三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RC256VPNF-G-AMERE2 编号：C45273903

封装：SOP-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538

1+
￥13.75
10+
￥11.71
30+
￥10.44
100+
￥9.13
500+
￥8.54
1500+
￥8.28

有货

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型号：M24M01-RDW6TP 编号：C283500

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥7.17
10+
￥5.94
30+
￥5.26
100+
￥4.5
500+
￥4.16

有货

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型号：ZD25Q128CWIGR 编号：C53959302

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Zetta(澜智)

C41428598 ZD25Q128DWIGR的替代料 SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,DFN5.0*6.0,Tube

1+
￥8.28
10+
￥6.87
30+
￥6.1
100+
￥5.23
500+
￥4.84
1000+
￥4.67

有货

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型号：AT24CM02-SSHM-T-TUDI 编号：C36533661

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

1+
￥8.73
10+
￥7.98
30+
￥7.5
100+
￥7.02
500+
￥6.8

有货

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型号：IS61LV256AL-10TLI 编号：C412837

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

1+
￥9.009 ￥9.1
10+
￥7.3425 ￥8.25
30+
￥6.0909 ￥7.71
100+
￥5.6564 ￥7.16
500+
￥5.4589 ￥6.91
1000+
￥5.3799 ￥6.81

有货

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型号：GD25Q16EEIGR 编号：C2986331

封装：USON-8(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度达266Mbit/s，四I/O数据传输速度达532Mbit/s。

数据手册

1+
￥9.29
10+
￥8.02
30+
￥7.39
100+
￥6.76
500+
￥3.46
1000+
￥3.27

有货

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型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.5
30+
￥7.63
100+
￥6.65
500+
￥5.69

有货

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥10.83
10+
￥9.12
30+
￥8.05

有货

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型号：IS25LP064A-JBLE-TR 编号：C2841348

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

1+
￥12.15
10+
￥10.19
30+
￥8.96
100+
￥7.71
500+
￥7.14
1000+
￥6.89

有货

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型号：DS2430AP+T&R 编号：C407897

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

256位1-WireEEPROM

数据手册

1+
￥13.37
10+
￥11.39
30+
￥10.16
100+
￥8.188 ￥8.9
500+
￥7.6544 ￥8.32
1000+
￥7.4336 ￥8.08

有货

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型号：AT25SF128A-SHB-T 编号：C5775693

封装：SOP-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单电压操作，范围为2.7V至3.6V。 128 Mbit（32 x 4 Mbit物理块）NOR闪存。支持串行外设接口（SPI）: -支持SPI模式0和3。支持双输出和四输出读取。最大工作频率: -85℃时最大工作频率为133 MHz。105℃时最大工作频率为120 MHz

1+
￥14.42
10+
￥12.37
30+
￥11.09
100+
￥9.77
500+
￥9.18
1000+
￥8.92

有货

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥14.65
10+
￥12.44
30+
￥11.05
100+
￥9.63

有货

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型号：DS28EC20+T 编号：C596397

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥23.36
10+
￥20.14
30+
￥18.23
100+
￥16.3

有货

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型号：AT24C1024B-PU25 编号：C36533652

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥23.37
10+
￥22.24
30+
￥21.56
100+
￥20.87

有货

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型号：AT24C1024-10PI-2.7 编号：C36533653

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥23.37
10+
￥22.24
30+
￥21.56
100+
￥20.87

有货

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型号：23LC512-I/ST 编号：C219763

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术，支持无限次读写，零写入时间，以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥24.16
10+
￥20.56
30+
￥18.41
100+
￥16.25

有货

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35
480+
￥15.31
960+
￥14.84

有货

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型号：ML22594-900MBZ0BX 编号：C2982499

封装：SSOP-30

品牌：ROHM(罗姆)

ML22594-xxx是一款4通道混合语音合成LSI，内置MASK ROM用于存储语音数据。该LSI集成了高音质HQ-ADPCM解码器、16位D/A转换器、低通滤波器、1.0W单声道扬声器放大器以及过流检测功能。通过这些功能，可以实现高质量和长时间的语音再生。

数据手册

1+
￥26.19
10+
￥24.98
30+
￥22.99
100+
￥22.38

有货

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型号：MX25U25645GMI00 编号：C2802878

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥27.89
10+
￥24.13
30+
￥21.9
100+
￥19.65

有货

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型号：MX25L25645GZ2I-08G 编号：C2802978

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

数据手册

1+
￥28.37
10+
￥24.87
30+
￥22.79
100+
￥20.69
500+
￥19.72

有货

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

数据手册

1+
￥31.24
10+
￥26.71
30+
￥24.01
100+
￥21.29

有货

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥31.32
10+
￥26.9
30+
￥24.27
100+
￥21.61

有货

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

数据手册

1+
￥37.92
10+
￥32.67
30+
￥29.47
100+
￥25.42

有货

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型号：MKDV1GIL-AS 编号：C726726

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于工业标准的SD卡。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成，支持3.3V供电电压。完全符合SD2.0接口标准，支持SPI模式，内置硬件ECC引擎和高可靠的NAND管理机制。写速度最高可达Class 6，封装尺寸小，LGA-8。

数据手册

1+
￥42.5695 ￥44.81
10+
￥37.0975 ￥39.05
30+
￥33.7725 ￥35.55
100+
￥29.0985 ￥30.63

有货

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型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥43.61
10+
￥38.14
30+
￥34.8

有货

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型号：XT61M2G8D2TA-B8BEA 编号：C558831

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器，结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决方案，而LPDDR2 SDRAM则适用于需要大容量快速存储的应用场景。

数据手册

1+
￥47.896 ￥59.87
10+
￥45.904 ￥57.38
30+
￥44.696 ￥55.87
100+
￥39.672 ￥49.59

有货

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥53.4
10+
￥45.56
30+
￥40.78
100+
￥36.77

有货

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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

数据手册

1+
￥54.64
10+
￥47.26
30+
￥38.02
100+
￥34.25

有货

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

数据手册

1+
￥56.9
10+
￥49.13
30+
￥44.39
100+
￥40.42

有货

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型号：S34ML04G100TFI000 编号：C98940

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 4Gbit

数据手册

1+
￥76.44
10+
￥65.48
30+
￥58.8
100+
￥53.2

有货

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