三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24C256N 编号：C434602

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C256系列是具有262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器，通常称为EEPROM。它们被组织为32,768个8位（1字节）的字。这些器件采用专有的先进CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用

数据手册

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￥2.1363
50+
￥1.6801
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￥1.4965
500+
￥1.2675
2000+
￥1.1655
4000+
￥1.1042

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型号：HG24C512CM/TR 编号：C19193468

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

512K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到5.5V供电电压，400kHz和1MHz传输速率，具备硬件写保护功能，提供128字节写锁定页和128位唯一ID，工作温度范围为-40°C至+105°C。

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￥2.2285
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￥1.7499
150+
￥1.5447
500+
￥1.2888
2500+
￥1.1748
5000+
￥1.1064

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型号：24AA08T-I/SN-TUDI 编号：C41410993

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24XX08是一款8 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。24XX08还具备最多16字节数据的页写入能力。24XX08有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、TSSOP、DIP和MSOP封装可供选择，也有5引脚SOT - 23封装

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￥2.41
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￥2.14
30+
￥2.01
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￥1.87
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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1+
￥2.45
10+
￥2.16
30+
￥2.02
100+
￥1.88
500+
￥1.79

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型号：M24M01-RMN6TP-TUDI 编号：C36533663

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M01是一款1Mb I2C EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准、快速和快速增强I2C协议，具有256字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，100万次擦写寿命，100年数据保留时间。

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￥2.48
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￥2.16
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￥2.03
100+
￥1.86
500+
￥1.78
1000+
￥1.74

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型号：M95128-RDW6TP 编号：C283456

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95128-RDW6TP是一款128Kbit (16384 x 8) 的SPI串行访问EEPROM，支持高速时钟（最高20MHz），工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件还提供一个额外的64字节识别页，可以永久锁定为只读模式。

数据手册

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￥2.69
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￥2.09
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￥1.84
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￥1.52
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￥1.38
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￥1.29

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型号：AT24C256C-SSHL-B 编号：C615461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容 (2 线) 串行接口:100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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￥3.12
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￥2.49
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￥2.22
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￥1.89
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￥1.74
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￥1.65

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型号：93LC56B-I/SN 编号：C183620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

数据手册

1+
￥3.13
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￥2.54
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￥2.25
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￥1.96
500+
￥1.79

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型号：BR25G256FJ-3GE2 编号：C509766

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

256 - 3是一款采用SPI总线接口的256Kbit串行EEPROM。

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￥3.31
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￥2.91
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￥2.71
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￥2.52
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￥2.4
1000+
￥2.34

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型号：M95640-DRMN3TP/K 编号：C314019

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥3.32
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￥2.57
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￥2.25
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￥1.85
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￥1.68
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型号：M95160-RMC6TG 编号：C2061042

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥3.62
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￥3.02
30+
￥2.77
100+
￥2.45

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型号：24LC32AT-I/OT 编号：C616245

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该器件被组织为一个4K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写入能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

1+
￥3.81
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￥3.05
30+
￥2.67
100+
￥2.29
500+
￥2.06

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型号：RC25Q64EVBSIG 编号：C53696801

封装：SOP-8-208mil

品牌：RealChip(正芯半导体)

1+
￥3.84
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￥3.11
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￥2.74
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￥2.38
500+
￥2.16
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￥2.05

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型号：BR24L32F-WE2 编号：C253183

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

是串行EEPROM，采用I²C总线接口方式

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1+
￥3.97
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￥3.5
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￥3.26
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￥3.02
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￥2.88
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￥2.81

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型号：24LC04BT-E/OT 编号：C2061304

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥3.99
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￥3.17
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￥2.77
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￥2.36
500+
￥2.12
1000+
￥2

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型号：GD25Q80ESIG 编号：C2832999

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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1+
￥4.04
10+
￥3.35
30+
￥3.06
95+
￥1.86
475+
￥1.7
1045+
￥1.6

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型号：CAT24C512YI-GT3 编号：C56096

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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1+
￥4.35
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￥3.69
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￥3.36
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￥3.04
500+
￥2.73
1000+
￥2.63

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型号：AT25SF041B-SSHD-T 编号：C5127618

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF041B是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF041B的灵活擦除架构也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF041B的擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地使用内存空间。

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1+
￥4.97
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￥3.96
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￥3.46
100+
￥2.96

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型号：CAV24C64WE-GT3 编号：C154621

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C64 是一款 64-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持 Fast (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAV24C64 器件。

数据手册

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￥5.77
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￥4.6
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￥4.02
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￥3.44
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￥3.09

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型号：RC25Q128EVBSIG 编号：C53696802

封装：SOP-8-208mil

品牌：RealChip(正芯半导体)

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￥6.48
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￥5.24
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￥4.62
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￥4.01

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型号：M24M01-RDW6TP 编号：C283500

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥7.17
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￥5.94
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￥5.26
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￥4.5
500+
￥4.16

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型号：ZD25Q128CWIGR 编号：C53959302

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Zetta(澜智)

C41428598 ZD25Q128DWIGR的替代料 SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,DFN5.0*6.0,Tube

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￥8.28
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￥6.87
30+
￥6.1
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￥5.23
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￥4.84
1000+
￥4.67

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型号：AT24CM02-SSHM-T-TUDI 编号：C36533661

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

1+
￥8.73
10+
￥7.98
30+
￥7.5
100+
￥7.02
500+
￥6.8

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型号：IS61LV256AL-10TLI 编号：C412837

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

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￥9.009 ￥9.1
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￥7.3425 ￥8.25
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￥6.0909 ￥7.71
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￥5.6564 ￥7.16
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￥5.4589 ￥6.91
1000+
￥5.3799 ￥6.81

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型号：GD25Q16EEIGR 编号：C2986331

封装：USON-8(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度达266Mbit/s，四I/O数据传输速度达532Mbit/s。

数据手册

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￥9.29
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￥8.02
30+
￥7.39
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￥6.76
500+
￥3.46
1000+
￥3.27

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型号：24FC512-I/SN 编号：C615159

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥10.83
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￥9.12
30+
￥8.05
100+
￥6.96

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型号：IS25LP064A-JBLE-TR 编号：C2841348

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能