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型号：AT45DB161E-SSHD-T 编号：C66279

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥6.97
10+
￥5.82
30+
￥5.19
100+
￥4.47
500+
￥4.15
1000+
￥4.01

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型号：DS28E05R+T 编号：C2064942

封装：SOT-23-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-WireEEPROM、利用高效的单触点操作，为传感器和附件提供低成本的认证或校准

数据手册

1+
￥8.12
10+
￥6.79
30+
￥6.07
100+
￥5.24
500+
￥4.4
1000+
￥4.24

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

1+
￥9.09
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￥8.28
30+
￥7.76
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￥7.24
500+
￥7
1000+
￥6.9

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型号：IS25LP064A-JBLE-TR 编号：C2841348

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064A 串行闪存存储器在引脚数量精简的封装中，提供了一种具备高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 功能

1+
￥9.93
10+
￥8.13
30+
￥7.14
100+
￥6.02
500+
￥5.53
1000+
￥5.3

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型号：24LC1025T-I/SM 编号：C183301

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥12.25
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￥10.41
30+
￥9.25
100+
￥8.07
500+
￥7.53

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型号：AT25M01-SSHM-T 编号：C117499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

数据手册

1+
￥15.26
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￥13.06
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￥11.68
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￥10.27
500+
￥9.63
1000+
￥9.36

有货

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型号：23K256T-I/SN 编号：C136317

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256T-I/SN 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚SOIC封装。

数据手册

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￥15.6
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￥13.23
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￥11.75
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￥9.23
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￥8.55
1000+
￥8.25

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型号：DS24B33S+T&R 编号：C117539

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

数据手册

1+
￥19.56
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￥16.58
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￥14.71
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￥12.79
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￥11.93
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￥11.56

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥20.17
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￥17.15
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￥15.27
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￥13.34
500+
￥12.47

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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥25.82
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￥22.13
30+
￥19.94
100+
￥17.72
500+
￥16.7
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￥16.24

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型号：AT45DB641E-SHN-T 编号：C2060948

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

AT45DB641E是一款最低工作电压为1.7V的串行接口顺序访问闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB641E还支持RapidS串行接口，适用于需要极高速度运行的应用。其69,206,016位的存储器被组织为32,768页，每页256字节或264字节

数据手册

1+
￥28.12
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￥24.11
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￥21.72
100+
￥19.3
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￥18.19
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￥17.69

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥31.25
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￥26.72
30+
￥24.03
100+
￥19.74
500+
￥18.49

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

1+
￥37.9
10+
￥34.48
30+
￥32.44
100+
￥30.38
480+
￥29.43
960+
￥29

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C500274

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥39.29
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￥34.46
30+
￥31.52
112+
￥28

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型号：MT25QL256ABA8ESF-0SIT TR 编号：C2653526

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，包括STR和DTR

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1+
￥47.14
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￥41.61
30+
￥38.25
100+
￥35.43

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

8+
￥48.28
80+
￥42.96
240+
￥39.72
800+
￥36.63 ￥37

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型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥62.86
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￥55.46
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￥50.95
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￥47.17

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型号：IS61WV102416BLL-10TLI 编号：C28124

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

16-Mbit(1M x 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥80.89
10+
￥63.95
30+
￥57.13
96+
￥51.42

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥92.39
10+
￥88.17
30+
￥80.85
100+
￥74.48

有货

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型号：IS61WV51216EDBLL-10TLI 编号：C57407

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.4V to 3.6V

数据手册

1+
￥93.61
10+
￥81.64
30+
￥74.34

有货

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥95.17
10+
￥82.57
30+
￥72.47
100+
￥66.03

有货

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

2+
￥151.8385 ￥159.83
60+
￥144.2575 ￥151.85

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型号：IS61WV204816BLL-10TLI 编号：C1349134

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV204816ALL/BLL是高速32M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为2048K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥177.88
10+
￥166.81
30+
￥152.76
100+
￥140.51

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型号：H9HCNNNCPUMLXR-NEE 编号：C42396545

封装：BGA

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥527.8
30+
￥509.82

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥814.6
30+
￥775.21

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型号：AT24C02D-SSHM-T 编号：C22452050

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

10+
￥0.3493
100+
￥0.2773
300+
￥0.2413
1000+
￥0.2143

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型号：HX24LC08BDBVRG 编号：C2987267

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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