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型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

数据手册

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￥19.83
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￥16.97
30+
￥15.18
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￥12.28
500+
￥11.45
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￥11.09

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型号：AT24C16D-STUM-T-TUDI 编号：C22469411

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作至关重要的场合。AT24C16可通过2线串行接口访问，工作电压范围为1.7V至5.5V。

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￥1.99348 ￥2.0984
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￥1.56256 ￥1.6448
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￥1.37788 ￥1.4504
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￥1.147505 ￥1.2079
2500+
￥1.044905 ￥1.0999
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￥0.98325 ￥1.035

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型号：AT24C16D-SSHM-T 编号：C615966

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有2,048个8位字，支持1.7V至3.6V低电压操作。它提供标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式Plus（1MHz）的I2C接口。该器件具有硬件写保护、超低功耗和高可靠性。

数据手册

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￥2.15
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￥1.6837
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￥1.4839
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￥1.2346
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￥1.1236

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型号：M95640-RMC6TG 编号：C2061380

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥2.5047 ￥2.53
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￥1.9847 ￥2.23
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￥1.6432 ￥2.08
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￥1.5247 ￥1.93
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￥1.4536 ￥1.84
1000+
￥1.422 ￥1.8

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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

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￥3.36
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￥2.68
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￥2.33
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￥1.79
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￥1.69

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型号：BY25Q128ASSIG(R) 编号：C383794

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q128AS是一款128M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。该器件采用2.7V至3.6V的单低压电源供电

数据手册

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￥5.23
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￥4.4
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￥3.81
100+
￥3.32
500+
￥3.17
1000+
￥3.08

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型号：W25Q16JWXHIQ 编号：C2835333

封装：XSON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

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￥6.93
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￥5.94
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￥5.44
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￥4.95
500+
￥4.66
1000+
￥4.5

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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥7.22
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￥5.94
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￥5.24
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￥4.44
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￥4.09
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￥3.93

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型号：W25Q64JVSSIM 编号：C5362615

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥9.44
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￥8.28
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￥7.64
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￥6.92
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￥6.45
1000+
￥6.3

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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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1+
￥10.55
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￥8.91
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￥7.89
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￥6.84
500+
￥6.36
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￥6.16

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型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

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1+
￥11.12
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￥9.42
30+
￥8.36
100+
￥7.26
500+
￥6.77
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￥6.56

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型号：W25Q128JVEIQ 编号：C401662

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

1+
￥12.09
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￥10.56
30+
￥9.6
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￥8.62
480+
￥7.7
960+
￥7.5

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型号：W25Q128JVFIQ 编号：C111478

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥13.98
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￥12.31
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￥10.68
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￥9.6
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￥9.11
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￥8.9

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型号：W25Q128JWSIQ 编号：C2763561

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音……（原文“voi”后内容不完整）

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1+
￥14.68
10+
￥12.75
30+
￥11.54
90+
￥10.31
540+
￥9.75
990+
￥9.5

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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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1+
￥15.4
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￥12.99
30+
￥11.49
100+
￥9.47
500+
￥8.77
1000+
￥8.47

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型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

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1+
￥17.02
10+
￥14.78
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￥13.37
100+
￥11.94
500+
￥11.29
1000+
￥11

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型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

1+
￥27.06
10+
￥23.15
30+
￥20.82
100+
￥18.47

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型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI 编号：C883296

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV25616EDBLL 是一款高速的 4,194,304 位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为 262,144 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥29.78
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￥25.08
30+
￥22.28
100+
￥19.45
500+
￥18.15
1000+
￥17.56

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥34.29
10+
￥29.87
30+
￥26.12
135+
￥23.46
540+
￥22.23
945+
￥21.68

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型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；