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首页 > 热门关键词 > ON安森美存储器
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特性:低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8(2 Mbit)。工业温度范围:-40°C 至 +85°C
数据手册
  • 1+

    ¥19.83
  • 10+

    ¥16.97
  • 30+

    ¥15.18
  • 100+

    ¥12.28
  • 500+

    ¥11.45
  • 1000+

    ¥11.09
  • 有货
  • SD NAND二代32Gb.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡
    数据手册
    • 1+

      ¥280.72
    • 30+

      ¥241.67
  • 有货
  • SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C,广泛适配在各大MCU平台上;支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;
    • 1+

      ¥284.9792 ¥309.76
    • 30+

      ¥271.308 ¥294.9
  • 有货
  • 24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器,采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口,工作电压范围为1.8V至5.5V。
    • 10+

      ¥0.378955 ¥0.3989
    • 100+

      ¥0.296875 ¥0.3125
    • 300+

      ¥0.255835 ¥0.2693
    • 1000+

      ¥0.225055 ¥0.2369
    • 4000+

      ¥0.20045 ¥0.211
    • 8000+

      ¥0.1881 ¥0.198
  • 有货
  • AT24C02M/TR升级替代料,建议试样,串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)
    • 10+

      ¥0.4227
    • 100+

      ¥0.3362
    • 300+

      ¥0.293
    • 2500+

      ¥0.2606
    • 5000+

      ¥0.2347
    • 10000+

      ¥0.2217
  • 有货
  • 2 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6276
    • 50+

      ¥0.5098
    • 150+

      ¥0.4492
  • 有货
  • AT24C64M/TR升级替代料,建议试样
    • 5+

      ¥0.8108
    • 50+

      ¥0.6381
    • 150+

      ¥0.5517
    • 500+

      ¥0.4869
    • 2500+

      ¥0.4459
    • 5000+

      ¥0.4199
  • 有货
  • ZD24C64A是一款低电压操作的64Kbit (8,192 x 8) I2C兼容串行EEPROM,支持100kHz至1MHz的时钟频率,具有32字节页写模式,高可靠性和超低功耗。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9857
    • 50+

      ¥0.7831
    • 150+

      ¥0.6963
    • 500+

      ¥0.588
    • 3000+

      ¥0.5181
    • 6000+

      ¥0.4892
  • 有货
  • ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM,支持I2C兼容接口,工作电压1.7V至5.5V,具有超低功耗和高可靠性。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9733
    • 50+

      ¥1.5841
    • 150+

      ¥1.4172
    • 500+

      ¥1.2091
    • 3000+

      ¥1.0239
    • 6000+

      ¥0.9683
  • 有货
  • 是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成,具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作,I温度下的最大待机电流仅为1μA,E温度下为5μA,最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力(24AA025E48/24AA025E64为16字节)。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.12
    • 30+

      ¥2.79
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥2.4
    • 1000+

      ¥2.29
  • 有货
  • 4Mb 串行 NOR 闪存,内部配置为 524,288 x 8。在四 I/O 模式下,结构变为 1048,576 位 x 4 或 2,097,152 位 x 2。具有串行外设接口和软件功能。
    • 1+

      ¥6.8
    • 10+

      ¥6.02
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥5.25
    • 500+

      ¥5.02
    • 1000+

      ¥4.9
  • 有货
  • 32-Mbit(4M x 8bit),SPI接口,工作电压:2.3V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥11.14
    • 30+

      ¥10.1
    • 100+

      ¥9.02
    • 500+

      ¥7.8
    • 1000+

      ¥7.59
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口-模式 0 和模式 3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。134,217,728 x 1 位结构,或 67,108,864 x 2 位(双 I/O 模式)结构,或 33,554,432 x 4 位(四 I/O 模式)结构。协议支持-单 I/O、双 I/O 和四 I/O。从 -1V 到 Vcc + 1V 可承受 100mA 的闩锁保护
    数据手册
    • 1+

      ¥17.32
    • 10+

      ¥14.5
    • 30+

      ¥12.74
    • 92+

      ¥9.17
    • 460+

      ¥8.36
    • 920+

      ¥8
  • 有货
    • 1+

      ¥19.85
    • 10+

      ¥18.05
    • 30+

      ¥16.91
    • 100+

      ¥15.76
    • 500+

      ¥15.23
    • 1000+

      ¥15
  • 有货
    • 1+

      ¥20.82
    • 10+

      ¥17.84
    • 30+

      ¥16.08
    • 100+

      ¥14.29
    • 500+

      ¥13.46
    • 1000+

      ¥13.09
  • 有货
  • 低功耗同步内存,包含536,870,912个存储单元,采用高性能工艺技术制造。 设计功耗低于普通SDRAM,具备低功耗特性,适用于电池供电的应用。 有两种组织形式:4,194,304字×4个存储体×32位或8,388,608字×4个存储体×16位。 以完全同步模式运行,输出数据与系统时钟的正边沿同步,能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。 支持部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)等特殊低功耗功能。
    数据手册
    • 16+

      ¥39.37
    • 160+

      ¥38.78
    • 480+

      ¥38.39
    • 1600+

      ¥38
  • 有货
  • W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级:-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-25, 25l 和 25J 等级符合DDR2-800 (5-5-5)或DDR2-800 (6-6-6)规范,支持-40°C至105°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。
    • 20+

      ¥50.52
    • 200+

      ¥45.56
    • 600+

      ¥42.54
    • 2500+

      ¥40
  • 有货
  • H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM,适用于主内存,支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压,支持多种时钟频率,包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥70.52
    • 10+

      ¥67.92
    • 30+

      ¥66.33
    • 100+

      ¥65
  • 有货
    • 24+

      ¥83.78
    • 240+

      ¥73.98
    • 720+

      ¥68.01
    • 2400+

      ¥63
  • 有货
  • Micron 8Gb NAND Flash Memory,支持单次编程操作,具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作,通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。
    数据手册
    • 1+

      ¥213.5
    • 10+

      ¥207.99
    • 30+

      ¥190.33
    • 100+

      ¥182
  • 有货
  • 三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同,因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压,而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压(VDD或VCCQ)
    数据手册
    • 1+

      ¥276.08
    • 30+

      ¥242
  • 有货
  • 这款EEPROM元器件采用I2C接口,提供16Kbit存储容量,适应400kHz至1MHz的时钟频率。其工作电压范围为1.8V至5.5V,确保了良好的兼容性和稳定性。适用于多种设备,如通信设备、医疗设备,满足数据存储与管理的需求。
    • 5+

      ¥0.4672
    • 50+

      ¥0.3765
    • 150+

      ¥0.3311
    • 500+

      ¥0.2971
    • 2500+

      ¥0.2489
    • 4000+

      ¥0.2353
  • 有货
  • ZD24C02B提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用,其中低功耗和低压操作至关重要。
    • 5+

      ¥0.6629
    • 50+

      ¥0.5285
    • 150+

      ¥0.4614
    • 500+

      ¥0.411
    • 3000+

      ¥0.3455
    • 6000+

      ¥0.3254
  • 有货
  • BL24C128A提供131,072位(16,384字节)的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该设备适用于多种工业和商业应用,支持低功耗和低电压操作。BL24C128A具有两线串行接口,可在1.7V至5.5V的单电源电压下工作,工作温度范围为-40°C至+85°C。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7584
    • 50+

      ¥0.6108
    • 150+

      ¥0.537
    • 500+

      ¥0.4816
    • 2500+

      ¥0.4373
    • 5000+

      ¥0.4152
  • 有货
  • SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,USON-8(2x3),Tape&Reel
    • 5+

      ¥2.0559
    • 50+

      ¥1.6324
    • 150+

      ¥1.4508
    • 500+

      ¥1.2244
    • 3000+

      ¥1.1514
    • 6000+

      ¥1.0909
  • 有货
  • 是一款8K位电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该设备由四个256×8位存储器块组成,具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作,待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.6454
    • 50+

      ¥2.0799
    • 150+

      ¥1.8375
    • 500+

      ¥1.4048
    • 3000+

      ¥1.2702
    • 6000+

      ¥1.1894
  • 有货
  • SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm,Tape&Reel
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.73
  • 有货
  • 24AA64/24LC64/ 24FC64 (24)xx64是一个64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块8Kx8位存储器,具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作,待机和工作电流分别仅为1μA和3 mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.53
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.12
    • 500+

      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.81
  • 有货
  • 的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
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