ON安森美存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN8G6NDJR-XNC 编号：C2961593

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

10+
￥273.74
320+
￥258.68

有货

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥19.96
10+
￥17.99
30+
￥16.76
108+
￥14.82
540+
￥14.25
864+
￥14

有货

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥25.58
10+
￥22.86
30+
￥21.16
108+
￥18.13
540+
￥17.35
864+
￥17

有货

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型号：MKDV4GCL-ABF 编号：C51966232

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥55.45
10+
￥47.97
30+
￥43.4
100+
￥38.93

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDI 编号：C7435512

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥67.54
10+
￥59.69
30+
￥54.91
100+
￥50.9

有货

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR 编号：C401001

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态（R/B#）。该设备具有内部4位ECC，可以通过GET/SET特性命令启用。

数据手册

1+
￥125.31
10+
￥120.04
30+
￥110.91
100+
￥102.94

有货

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型号：M24C04-RMN6TP 编号：C81147

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.409
50+
￥0.357
150+
￥0.331
500+
￥0.3115
2500+
￥0.2959
5000+
￥0.288

有货

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

5+
￥0.6406
50+
￥0.5163
150+
￥0.4541
500+
￥0.4075
2500+
￥0.3702
4000+
￥0.3516

有货

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型号：AT24C64 编号：C18186739

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制。

5+
￥0.719
50+
￥0.5894
150+
￥0.5246
500+
￥0.476
2500+
￥0.3561
5000+
￥0.3366

有货

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7831
50+
￥0.6096
150+
￥0.5229
500+
￥0.4578
2500+
￥0.4057
4000+
￥0.3797

有货

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8108
50+
￥0.6381
150+
￥0.5517
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4459
5000+
￥0.4199

有货

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8233
50+
￥0.6597
150+
￥0.578
500+
￥0.5166
2500+
￥0.4676
5000+
￥0.443

有货

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型号：M24C08-WMN6TP 编号：C141771

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.887
50+
￥0.695
150+
￥0.599
500+
￥0.527
2500+
￥0.4694
5000+
￥0.4405

有货

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型号：BL24C256A-PARC 编号：C90485

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.9597
50+
￥0.7887
150+
￥0.7031
500+
￥0.639
2500+
￥0.5525
5000+
￥0.5268

有货

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型号：HT24LC64 编号：C73710

封装：SOP-8

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

64-Kbit(8K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.8V to 5.5V

数据手册

5+
￥1.0663
50+
￥0.8471
150+
￥0.7531
500+
￥0.6359
2500+
￥0.5276
5000+
￥0.4963

有货

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型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥1.1542
50+
￥0.8958
150+
￥0.7851
500+
￥0.647
2500+
￥0.5854
4000+
￥0.5485

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.7634
50+
￥1.3789
150+
￥1.2141
500+
￥1.0085
2500+
￥0.917
5000+
￥0.8621

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型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

1+
￥3.89
10+
￥3.18
30+
￥2.83
100+
￥2.47
500+
￥2.26
1500+
￥2.15

有货

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型号：MB85RS16PNF-G-JNERE1 编号：C38647

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

1+
￥4.74
10+
￥3.99
30+
￥3.45
100+
￥3.01
500+
￥2.98
1500+
￥2.89

有货

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型号：MX25R8035FZUIL0 编号：C152596

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

数据手册

12+
￥5.83
120+
￥4.99
360+
￥4.37
1200+
￥3.95
6000+
￥3.7
12000+
￥3.57

有货

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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.38
10+
￥5.08
30+
￥4.43
100+
￥3.79
500+
￥3.4
1000+
￥3.2

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型号：MX25L3233FM2I-08G 编号：C190802

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

数据手册

10+
￥6.42
100+
￥5.33
300+
￥4.59
2000+
￥3.92
4000+
￥3.62
10000+
￥3.48

有货

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型号：MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 编号：C189804

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥7.41
10+
￥6.28
30+
￥5.66
100+
￥4.95
500+
￥4.35
1500+
￥4.2

有货

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥11.84
10+
￥10.14
30+
￥9.21
100+
￥8.16
500+
￥6.33
1000+
￥6.11

有货

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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2980994

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

4+
￥27.02
40+
￥23.92
120+
￥21.11
400+
￥19.25
2000+
￥18.39
4000+
￥18

有货

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型号：W25Q512JVEIQ TR 编号：C7389628

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

40+
￥48.09
400+
￥41.92
1200+
￥38.16
4000+
￥35

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

数据手册