兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：CAT25M02VI-GT3-TUDI 编号：C41355581

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02是一款2M位（262,144 x 8位）的串行外围接口（SPI）EEPROM，具有2.8V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为55MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

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型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C60525

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：S25FL128SAGMFI001 编号：C466853

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

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型号：NT5TU64M16HG-AC 编号：C908389

封装：FBGA-84

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：JEDEC DDR2 兼容。双数据速率在 DQs、DQS、DM 总线。 4n 预取架构。有效命令吞吐量。发布式 CAS 和附加延迟 (AL)。可配置的 DS 以实现系统兼容性

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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：MT41K64M16TW-107:J 编号：C75475

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。

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型号：MT47H32M16NF-25E:H 编号：C2841140

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项。

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型号：W632GG6NB-11 编号：C2641226

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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型号：F35SQA001G-WWT 编号：C5126827

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA001G 是一款 1Gbit (128Mx8bit) 的串行 NAND 闪存，支持标准 SPI 接口和双/四线 SPI 模式。工作电压为 2.7V 至 3.6V，支持 104 MHz 的 SPI 时钟频率。该设备具有内部 1-bit ECC 逻辑，默认启用。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID，具有唯一 ID 和 62 个 OTP 页面。

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：NT5CC256M16ER-EK 编号：C428584

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：符合DDR3标准。 8n预取架构，差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS），DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR），具备自动刷新和自刷新模式，有节能模式和掉电模式。信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上终端，通过外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度，具备信号同步，通过MR设置进行写电平校准，通过MPR进行读电平校准。

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

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型号：MKDN032GIL-AD 编号：C52754175

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte), Flash 类型pSLC, P/E Cycles 5万次，速度等级：C10,U1,V10,别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;-40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压

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￥163.5235 ￥172.13

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型号：MKDN064GIL-ZC 编号：C53374590

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等，应用：工业设备、物联网终端、嵌入式系统、数据记录