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封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥27.88
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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥30.51
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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：XT61M1G8C2TM-B8BEA 编号：C29781628

封装：BGA-162(10.5x8)

品牌：XTX(芯天下)

1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)

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型号：W631GG6NB-12 编号：C17452711

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

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型号：W632GG6NB-09 编号：C2641277

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

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型号：MKEMC004GT1E-IE 编号：C2987690

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

pSLC, 4GB 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm

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型号：RS70B08G3S03F 编号：C22364054

封装：TFBGA-153(11.5x13)

品牌：Rayson(晶存)

是高质量且具成本优势的嵌入式存储解决方案，兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。其强大的ECC引擎显著提高纠错能力，延长设备使用寿命，并增强处理更高原始误码率的能力。由NAND闪存和eMMC控制器组成。eMMC控制器和软件直接管理NAND闪存，包括ECC、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和性能优化，并管理接口协议。这种架构使NAND闪存的任何修订与eMMC主机隔离，使eMMC设备易于集成并加快上市时间。

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型号：K4F8E3S4HD-MGCL 编号：C2920231

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKEML016GV1E-IE 编号：C52753987

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型pSLC, 16GB eMMC 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

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￥215.517 ￥226.86
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￥205.086 ￥215.88

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型号：MKEML128GV1E-C 编号：C48936276

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,128GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

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￥279.5375 ￥294.25
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￥266.0095 ￥280.01

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型号：K4AAG165WA-BCWE 编号：C2920140

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：K4FBE3D4HM-MGCJ 编号：C19188580

封装：BGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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1+
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型号：KLMCG4JETD-B041 编号：C2915276

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：AT24C02CS5630 编号：C51026301

封装：SOT-23-5

品牌：GMIC(绿微)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

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￥0.159104 ￥0.1808
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￥0.123464 ￥0.1403
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￥0.103664 ￥0.1178
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￥0.091784 ￥0.1043
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￥0.081488 ￥0.0926
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型号：SL24C16D 编号：C5155394

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C16是16K位电可擦除PROM，采用2048x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量16Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

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5+
￥0.24088 ￥0.3011
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￥0.23552 ￥0.2944
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￥0.232 ￥0.29
500+
￥0.22848 ￥0.2856

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型号：ZD24C02B-STGMT 编号：C5374815

封装：SOT23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

10+
￥0.2562
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￥0.2035
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￥0.1772
3000+
￥0.1552
6000+
￥0.1394
9000+
￥0.1315

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型号：H24C02S 编号：C41419578

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM采用I²C接口，提供2Kbit的存储容量，支持最高1MHz的时钟频率。其宽泛的工作电压范围（1.8V至5.5V）使其兼容多种电源标准。适用于需要非易失性数据存储的应用场景，如保存配置数据、校准参数或小量关键信息记录，确保数据在断电后仍能保持完整。

10+
￥0.283005 ￥0.2979
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￥0.223725 ￥0.2355
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￥0.194085 ￥0.2043
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￥0.171855 ￥0.1809
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￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

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型号：24C02/TR 编号：C316692

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。HG24C02/HG24C04/HG24C08/HE24C16 采用节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOP、8 引脚 TSSOP、8 引脚 MSOP、8 焊盘 DFN 和 SOT23 - 5 封装，可通过两线串行接口访问

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10+
￥0.3662
100+
￥0.29
300+
￥0.252
2500+
￥0.2119
5000+
￥0.189
10000+
￥0.1776

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型号：AT24C02M5/TR 编号：C565361

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02 / AT24C04 / AT24C08 / AT24C16 提供 2048/4096/8192/16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 256/512/1024/2048 个字，每个字 8 位。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT24C02 / AT24C04 / AT24C08 / AT24C16 提供节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 TSSOP 和 5 引脚 SOT23 封装，通过两线串行接口进行访问

数据手册

1+
￥0.3716
10+
￥0.2911
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￥0.2509
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￥0.2207
500+
￥0.1966
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￥0.1845

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型号：HX24C32DRG 编号：C42396715

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.3951
50+
￥0.3451
150+
￥0.3201
500+
￥0.3013
2500+
￥0.2863

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型号：AT24C02M/TR 编号：C356696

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

10+
￥0.4296
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￥0.3429
300+
￥0.2996
2500+
￥0.267
5000+
￥0.241
10000+
￥0.228

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型号：BL24C04F-RRRC 编号：C2830699

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F是一款4K位（512字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，高可靠性和增强的ESD/Latch-up保护。提供多种封装选项，包括PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和TSOT23-5。

数据手册

10+
￥0.4457
100+
￥0.3597
300+
￥0.3167
3000+
￥0.2718

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型号：P25D40SH-SSH-IR 编号：C50201615

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

10+
￥0.4533
100+
￥0.3573
300+
￥0.3093

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型号：HX24C16DRG 编号：C5145457

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C16提供16K位的串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有硬件数据保护功能，支持100年的数据保留时间和1百万次写周期寿命。

数据手册

5+
￥0.4726
50+
￥0.3761
150+
￥0.3279
500+
￥0.2917
2500+
￥0.2507
5000+
￥0.2362

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型号：AT24C04M/TR 编号：C2688456

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.4797
50+
￥0.3789
150+
￥0.3285
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￥0.2907
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