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封装：SOIC-8-208mil

IS25LP032/064/128 串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在引脚数量精简的封装中实现了高度的灵活性和出色的性能。IS25LP032/064/128 通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

数据手册

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￥13.02
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型号：FM24V01A-GTR 编号：C2759930

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺。它支持高达3.4 MHz的I2C接口，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保留时间。F-RAM无需内部升压电压，写入速度更快，功耗更低。

数据手册

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￥16.03
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型号：MKDV2GCL-ABF 编号：C51966231

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥16.5416 ￥17.98
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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥17.69
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型号：MX25L25673GM2I-08G 编号：C2938771

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作，2.7至3.6V用于读取、擦除和编程操作。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

数据手册

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￥19.39
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￥16.53
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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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￥20.94
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型号：AT24C1024B-PU25 编号：C36533652

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥21.394 ￥22.52
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型号：AT24C1024-10PI-2.7 编号：C36533653

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥21.394 ￥22.52
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￥19.019 ￥20.02
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型号：AT25M02-SSHM-T-TUDI 编号：C41355580

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02 是一款2M位（262,144x8）的串行EEPROM，具有256字节的可锁定识别页。支持部分页面写入，写保护功能可以保护四分之一、一半或整个内存阵列。工作电压范围为2.8V至5.5V，最高时钟频率为55MHz。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥22.8095 ￥24.01
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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥23.67
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￥21.92
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￥20.83
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￥19.71
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￥19.2
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型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

1+
￥28.41
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￥24.59
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￥22.33
100+
￥20.04
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￥18.98

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型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

数据手册

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￥30.18
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￥25.89
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￥20.76
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￥19.04

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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥33.0352 ￥37.54
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￥28.468 ￥32.35
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￥25.6784 ￥29.18
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￥23.3464 ￥26.53

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型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

1+
￥33.42
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￥28.35
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￥25.34
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￥22.29

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥34.51
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￥29.36
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￥26.3
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￥23.21

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型号：W971GG6NB-25 TR 编号：C17224612

封装：TFBGA-84(8x12.5)

品牌：Winbond(华邦)

W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM，组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级：-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-25, 25l 和 25J 等级符合DDR2-800 (5-5-5)或DDR2-800 (6-6-6)规范，支持-40°C至105°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。

1+
￥36.26
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￥31.3
30+
￥28.28
100+
￥25.75

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥39.12
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￥34.6
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￥31.91
180+
￥29.2
540+
￥27.94
1080+
￥27.38

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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1+
￥51.65
10+
￥44.16
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￥39.59
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￥35.76

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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1+
￥69.92
10+
￥59.57
30+
￥53.27
100+
￥47.98

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型号：MR25H40CDF 编号：C246235

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR2xH40 是一系列 4,194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，组织形式为 524,288 个 8 位字。对于那些必须使用少量 I/O 引脚快速存储和检索数据及程序的应用来说，它们是理想的存储解决方案。它们具有与串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制

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1+
￥104.52
10+
￥99.25
30+
￥90.12
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￥82.15

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型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

高速16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造，此高可靠性工艺结合创新电路设计技术，可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。

数据手册

1+
￥108.57
10+
￥104.28
30+
￥96.84
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￥90.36

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型号：H5AN4G6NBJR-UHI 编号：C46552766

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥126.66
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￥116.27
30+
￥109.95
100+
￥104.64

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型号：MT40A1G8SA-062E:R 编号：C2859183

封装：FBGA-78

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V 125mV + 250mV,片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内8192周期的刷新时间:-40°C至85°C时为64ms

数据手册

1+
￥186
30+
￥180

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

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