兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：ZD24C1MA-MAGMT 编号：C52037962

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C1MA提供1Mbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。UDFN-8L-EP(2x3)

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型号：24AA64T-I/MNY 编号：C2065123

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64 (24xx64) 是一款 64 Kb 电可擦除 PROM。该器件由一个 8K×8 位单块存储器组成，并带有双线串行接口。低电压设计允许低至 1V 的电压运行。

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型号：W25Q16JVSNIQ 编号：C115407

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

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型号：CAT24C512XI-T2 编号：C153760

封装：SOIC-8-208mil

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512是一款512Kb的CMOS串行EEPROM，内部组织为65,536个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有128字节的页写缓冲区，硬件写保护功能，以及工业和扩展温度范围。

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型号：CAT25M01VI-GT3-TUDI 编号：C41355577

封装：SOIC-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用。

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型号：AT25M01-SSHM-T-TUDI 编号：C41355578

封装：SOIC-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用。

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型号：W25Q16JVZPIQ TR 编号：C2456208

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

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型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

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型号：W25Q32JWSSIQ TR 编号：C2456252

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q32JW（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码以及存储语音、文本和数据

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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C115993

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

256Mbit(32Mx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),同W25Q256FVFIG,W25Q128JVSIQ,W25Q128FVSIG

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￥23.13
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型号：AT25M02-SSHM-T-TUDI 编号：C41355580

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02 是一款2M位（262,144x8）的串行EEPROM，具有256字节的可锁定识别页。支持部分页面写入，写保护功能可以保护四分之一、一半或整个内存阵列。工作电压范围为2.8V至5.5V，最高时钟频率为55MHz。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥24.01
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￥20.53
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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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￥24.59
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型号：IS42S16400J-7TLI 编号：C2979137

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥24.63
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型号：MX25L25645GZ2I-08G 编号：C2802978

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥28.37
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￥24.87
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￥22.79
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型号：23LCV1024-I/SN 编号：C615097

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。

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￥28.88
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￥25.39
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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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￥34.57
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￥26.8
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￥21.43
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￥20.08
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￥19.47

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

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1+
￥37.92
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￥32.67
30+
￥29.47
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￥25.42

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型号：IS61LV25616AL-10TL 编号：C16001

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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￥38.77
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￥33.54
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￥30.43

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型号：MT48LC16M16A2B4-6A:G 编号：C1351430

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

数据手册

1+
￥39.7624 ￥43.22
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￥34.1612 ￥41.66
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￥29.3112 ￥40.71
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￥28.7424 ￥39.92

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型号：NT5CC128M16JR-EK 编号：C428583

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

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￥61.53
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￥49.33
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￥44.26
1000+
￥40

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型号：XT25F128FSSIGT-W 编号：C29781629

封装：SOP-8-208mil

品牌：XTX(芯天下)

128Mbit 3.3V SPI NOR Quad I/O Customized

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￥65.59
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￥56.41
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￥50.81
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￥46.12

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型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

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￥82.22
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￥71.14
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￥64.38
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￥58.72

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型号：H5AN4G6NBJR-UHC 编号：C2803260

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

数据手册

1+
￥86.25
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￥76.25
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￥70.15
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￥65.04

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥91.73
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￥80.86
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￥74.23
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型号：F60C1A0004-M79W 编号：C5126839

封装：FBGA-96

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业DDR3、工业宽温DDR3、工规DDR3、工规宽温DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON、工业级

数据手册

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￥164.9
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￥160.89
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￥153.95
100+
￥141.36

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型号：MKEMC004GT1E-IE 编号：C2987690

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

pSLC, 4GB 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm

数据手册

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￥294.3005 ￥309.79
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￥268.2515 ￥282.37

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型号：MKDV16GIL-STPB 编号：C48937378

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

16Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥301.3115 ￥317.17
30+
￥286.729 ￥301.82

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型号：EPCQ128ASI16N 编号：C1519138

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Intel/Altera

EPCQ128A串行配置设备支持FPGA的主动串行配置方案，具有低引脚数和非易失性存储特性，工作电压范围为2.7V至3.6V，支持在系统编程(ISP)。

数据手册

1+
￥319.67
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￥299

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

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