兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：M24C64-FDW6TP 编号：C222148

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.4521
50+
￥1.1172
150+
￥0.9737
500+
￥0.7946
2500+
￥0.7149

有货

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型号：HT25WD40ARZ 编号：C2928800

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

宽温,宽电压带有双SPI的4M容量flash

数据手册

1+
￥1.463665 ￥1.5407
10+
￥1.152445 ￥1.2131
30+
￥1.019065 ￥1.0727
100+
￥0.852625 ￥0.8975
500+
￥0.73815 ￥0.777
1000+
￥0.69369 ￥0.7302

有货

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型号：FM25Q16A-SO-T-G 编号：C174371

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

16Mbit, SPI FLASH

数据手册

5+
￥1.4985
50+
￥1.1709
150+
￥1.0305
500+
￥0.8553

有货

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型号：M24C16-FDW6TP 编号：C2061946

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.6351
50+
￥1.2691
150+
￥1.1123
500+
￥0.9166
2500+
￥0.8294

有货

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型号：M95320-WMN6TP 编号：C283459

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

5+
￥1.7596
50+
￥1.3709
150+
￥1.2043
500+
￥0.9965
2500+
￥0.9039

有货

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型号：HX24C256DRG 编号：C5145458

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C256是一款256K位串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C到+85°C。该器件具有I2C接口，支持1MHz（5V）和400kHz（1.8V、2.7V、3.3V）的时钟频率。具备硬件数据保护功能，支持64字节页面写入模式，写周期时间为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

5+
￥1.8049
50+
￥1.4269
150+
￥1.2649
500+
￥1.0628
2500+
￥0.9278
5000+
￥0.8738

有货

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型号：M95040-WMN6TP 编号：C118282

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

5+
￥1.8472
50+
￥1.4335
150+
￥1.2562
500+
￥1.0277

有货

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型号：BR24T64FJ-WE2 编号：C694089

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T64-W 是一款采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

数据手册

5+
￥2.224
50+
￥1.7452
150+
￥1.54
500+
￥1.199
2500+
￥1.085

有货

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

数据手册

5+
￥2.3811
50+
￥1.9129
150+
￥1.7122
500+
￥1.3676
3000+
￥1.2561
6000+
￥1.1892

有货

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型号：AT24C16D-SSHM-T 编号：C615966

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有2,048个8位字，支持1.7V至3.6V低电压操作。它提供标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式Plus（1MHz）的I2C接口。该器件具有硬件写保护、超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥2.3901
50+
￥1.8801
150+
￥1.6615
500+
￥1.3888

有货

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型号：ZD24C512A-XGMT 编号：C53284087

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A是一个512K位的串行EEPROM，具有I2C兼容的双向数据传输协议，支持1 MHz的高速操作。该器件提供64K字节的EEPROM存储空间，分为512页，每页128字节。具有硬件数据保护功能，可防止误写入。

1+
￥3.12
10+
￥2.46
30+
￥2.18
100+
￥1.83
500+
￥1.67
1000+
￥1.58

有货

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型号：AT25010B-SSHL-T 编号：C30499

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

数据手册

1+
￥3.49
10+
￥2.77
30+
￥2.46
100+
￥2.08
500+
￥1.91
1000+
￥1.8

有货

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型号：AT45DB021E-SSHN-T 编号：C161752

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.09
30+
￥2.72
100+
￥2.34
500+
￥1.96
1000+
￥1.85

有货

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

数据手册

1+
￥3.9494 ￥4.03
10+
￥2.8864 ￥3.28
30+
￥2.262 ￥2.9
100+
￥1.9656 ￥2.52
500+
￥1.794 ￥2.3
1000+
￥1.7004 ￥2.18

有货

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型号：11AA02E48T-I/TT 编号：C616174

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.09
500+
￥2.73
1000+
￥2.6

有货

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型号：BL25CM1A-PARC 编号：C2943349

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM1A是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥5.7
10+
￥4.6
30+
￥4.05
100+
￥3.5
500+
￥3.17
1000+
￥3

有货

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

数据手册

1+
￥6.07
10+
￥5.3
30+
￥4.97
100+
￥4.56
500+
￥4.22
1000+
￥4.1

有货

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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.15
10+
￥4.98
30+
￥4.39
100+
￥3.81
500+
￥3.46
1000+
￥3.28

有货

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型号：AT45DB041E-SSHN-T 编号：C226095

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4MB存储容量,8 bit,SPI接口,1.65V-3.6V

数据手册

1+
￥6.7
10+
￥5.45
30+
￥4.83
100+
￥4.21
500+
￥3.62
1000+
￥3.43

有货

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型号：HG25Q128BMW/TR 编号：C22461597

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q128MW/TR升级替代料，建议试样，3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

1+
￥8.28
10+
￥6.8
30+
￥5.99
100+
￥5.08
500+
￥4.67
1000+
￥4.49

有货

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥10.69
10+
￥8.99
30+
￥7.92
100+
￥6.83
500+
￥6.34
1000+
￥6.12

有货

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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

1+
￥12.96
10+
￥10.91
30+
￥9.63
100+
￥8.32
500+
￥7.73

有货

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型号：APS6404L-SQN-SN 编号：C5360304

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

该伪静态随机存取存储器（PSRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个单数据速率（SDR）输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QPI）模式下运行，频率高达144 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据。它最适合用于低功耗和低成本的便携式应用。它集成了无缝的自管理刷新机制，因此不需要系统主机提供动态随机存取存储器（DRAM）刷新支持。自刷新功能是一种特殊设计，旨在最大限度地提高存储器读取操作的性能。