兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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型号：MT41K64M16TW-107 AIT:J TR 编号：C2060943

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

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型号：MT25QL512ABB1EW9-0SIT 编号：C2063401

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥151.8385 ￥159.83
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型号：SDINBDG4-16G-XI1 编号：C2830398

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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￥172

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥199.538 ￥210.04
30+
￥189.392 ￥199.36

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型号：MT40A512M16LY-062E IT:E 编号：C2891577

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms

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￥354.78
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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥526.91

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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￥0.2587
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￥0.1372
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型号：AT24C04CDBVRG 编号：C19723709

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.3437
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￥0.2717
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￥0.2357
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￥0.2087
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￥0.1871
9000+
￥0.1763

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
50+
￥0.412395 ￥0.4341
150+
￥0.355395 ￥0.3741
500+
￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.261345 ￥0.2751

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型号：AT24LC64M/TR 编号：C3007892

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC32 / AT24LC64 提供 32/768/65536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 4096/8192 个 8 位字。该器件针对众多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24LC32 / AT24LC64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 MSOP 封装，可通过两线串行接口进行访问

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5+
￥0.8075
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￥0.7109
150+
￥0.6695
500+
￥0.6179
2500+
￥0.5482
5000+
￥0.5344

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型号：HT1307BRMZ 编号：C50338903

封装：MSOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。

5+
￥0.8315
50+
￥0.8128
150+
￥0.8003
500+
￥0.7878

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型号：P24C256B-SSH-MIR 编号：C5263811

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C256B是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持单电源电压和高速模式。其最低工作电压可低至1.7V，时钟频率在2.5V到5.5V之间可达1MHz，在1.7V到5.5V之间可达400kHz。该设备具有64字节页写模式，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，1百万次写周期寿命和100年的数据保留时间。

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