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封装：FBGA-153

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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￥241.9
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￥220

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型号：W956D8MBYA5I 编号：C2844948

封装：TFBGA-24

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s

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￥39.02
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￥36.4
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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

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￥0.25574 ￥0.2692
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￥0.21413 ￥0.2254
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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

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￥0.5924
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￥0.4771
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￥0.3416
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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.743
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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥0.7603
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￥0.5968
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￥0.4046
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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥1.8753
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￥1.4665
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￥1.2912
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￥1.0726
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型号：W25Q80DVSNIG TR 编号：C401655

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，掉电时电流消耗低至 1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由 4096 个可编程页面组成，每个页面 256 字节。一次最多可编程 256 字节

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1+
￥3.97
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￥3.39
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￥3.15
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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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1+
￥4.27
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￥3.58
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￥3.24
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￥2.05
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型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥5.03
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型号：GD25Q32CSIGR 编号：C318845

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

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￥5.28
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￥3.93
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￥3
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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥5.55
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￥4.42
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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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1+
￥10.16
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￥8.95
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￥8.34
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￥7.74
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型号：AT45DB321E-SHF-T 编号：C60544

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

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￥10.83
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￥9.16
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型号：PM002MNIATR 编号：C7434471

封装：SOP8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

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￥13.77
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￥11.65
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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

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1+
￥36.92
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￥31.62
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￥26.33
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￥21

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型号：K4B4G1646E-BCNB 编号：C2803248

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥44.4
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￥38.51
30+
￥34.92

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型号：W25Q512JVEIQ TR 编号：C7389628

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。

1+
￥44.49
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￥40.07
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￥37.44
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￥34.78
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￥33.56
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￥33

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型号：MKDN064GCL-AA 编号：C2836409

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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1+
￥107.8915 ￥113.57
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￥103.0275 ￥108.45
30+
￥91.713 ￥96.54
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￥84.3695 ￥88.81

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型号：THGBMUG6C1LBAIL 编号：C7509349

封装：BGA-153(13X11.5)

品牌：KIOXIA(铠侠)

集成闪存和e-MMC控制器于单个BGA封装，执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。支持符合JEDEC 5.0/5.1版本的高速内存接口，无需主机直接控制闪存。适用于因所需密度处于较低GB范围，或处理器尚不支持UFS接口而无法迁移到最新一代UFS的应用。

1+
￥146.36
30+
￥140

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型号：MT40A512M16LY-075:E 编号：C598779

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）

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￥200.6
30+
￥193.57

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型号：MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 编号：C5330500

封装：TFBGA-200

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源: -VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。频率范围：2133-4266 MHz（每引脚数据速率范围）

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￥491.99
3+
￥471.59
30+
￥451.2

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型号：AT24C02S 编号：C46550852

封装：SOT-23-5

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。