富士通存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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型号：W25Q512JVFIM 编号：C2641168

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：F35SQA002G-WWT 编号：C5126829

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA002G是一款2Gbit（256Mx8bit）的串行NAND闪存，支持标准SPI接口，最大时钟频率为104MHz。该设备具有JEDEC标准的制造商和设备ID，唯一ID，一个参数页和62个OTP页。内部1位ECC逻辑默认启用。

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

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型号：MT25QU256ABA1EW7-0SIT 编号：C2063145

封装：WPDFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：K4A4G165WE-BCRC 编号：C2803250

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。

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型号：XT26G04CWSIGA 编号：C2833373

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G04C是一款4G位（512MB）的SPI（串行外设接口）NAND闪存，具备先进的写保护机制。XT26G04C支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O选项。

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型号：XT25F128FSSIGT-W 编号：C29781629

封装：SOP-8-208mil

品牌：XTX(芯天下)

128Mbit 3.3V SPI NOR Quad I/O Customized

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型号：AT27C4096-90JU 编号：C220865

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C4096是一款低功耗、高性能的4,194,304位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为256K×16位。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源供电。任何字的访问时间都小于55ns，无需使用会降低速度的等待状态

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型号：W25Q01JVSFIQ 编号：C2962013

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI (XIP)执行代码以及存储语音、文本和数据。设备在2.7V至3.6V的单电源下工作。

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型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

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型号：FEMDNN032G-C9A55 编号：C42395192

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

提供了一种嵌入式存储解决方案，将NAND闪存和eMMC控制器集成在BGA封装中。控制器可以管理接口协议、损耗均衡、坏块和ECC。具有高性能、成本竞争力、高质量和低功耗的特点，并且与eMMC 5.1规范的JEDEC标准兼容。

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型号：KLM8G1GEUF-B04P 编号：C2920508

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：CY14B104LA-ZS45XIT 编号：C2759929

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

Cypress CY14B104LA-ZS45XIT 是一款 4Mbit nvSRAM，具有非易失性存储单元，支持无限次读写操作，数据保持时间为 20 年，支持 1 百万次 STORE 操作。

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型号：CY14E256LA-SZ25XIT 编号：C2952990

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MT25QL512ABB8E12-0SIT 编号：C17574673

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：MKEMF032GT2E-IE 编号：C26159628

封装：FBGA-153(13x11.5)

品牌：MK(米客方德)

32GB 工业宽温级，pSLC Flash，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,LDPC纠错，支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

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型号：HHK24C02G3-ULR-T 编号：C33576244

封装：SOT-23-5

品牌：HK(航顺)

HHK24C02是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，提供多种封装选项，适用于工业温度范围。

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￥0.2349
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型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

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型号：BL24C02F-TCRC 编号：C7436803

封装：SOT23-5

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个字节，每个字节8位。支持硬件数据保护，具有1百万次写周期寿命和100年的数据保留时间。

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￥0.3024
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￥0.2376
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型号：AT24C02CDQ/TR 编号：C44606419

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HGSEMI(华冠)

2-Kbit I2C-compatible Serial EEPROM

5+
￥0.3354
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500+
￥0.3173

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型号：AT24C02CDGKRG 编号：C19723705

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3666
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300+
￥0.2514
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型号：P24C64C-UNH-MIR 编号：C2977256

封装：DFN-8-EP(3x2)

品牌：PUYA(普冉)

P24C64C是一款64Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有8K x 8位的存储阵列，每页32字节。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40℃至125℃，最大时钟频率为1MHz。该芯片具有低功耗CMOS技术，写保护功能，自定时写周期，高可靠性和长达100年的数据保留时间。

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5+
￥0.3727
50+
￥0.3641
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￥0.3525

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型号：BL24C04F-PARC 编号：C2856707

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。

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10+
￥0.3828
100+
￥0.3012
300+
￥0.2604

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型号：HX24LC02BDBVRG 编号：C2987265

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B是一款2K位I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于1.7V至5.5V的工作电压范围，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备包括一个写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。此外，还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。

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10+
￥0.4468
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￥0.3532
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￥0.3064
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￥0.2713
6000+
￥0.2432
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￥0.2292

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型号：24C04(LX) 编号：C22397199

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C04(LX)是一款提供4096比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为512x8比特，内部分为32页，每页16字节，随机字地址需要一个9比特的数据字地址。其主要特点包括宽工作电压范围、两线串行接口、高可靠性和汽车级应用。

5+
￥0.4926
50+
￥0.3894
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￥0.3378
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￥0.2991
2500+
￥0.2682
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￥0.2527

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型号：HG24C02CMM/TR 编号：C7432360

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02MM/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

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￥0.5041
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￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

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型号：HG24C02MM/TR 编号：C5310848

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

数据手册

5+
￥0.5173
50+
￥0.4117
150+
￥0.3589
500+
￥0.3193
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

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型号：HG24C128DQ/TR 编号：C42435771

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HGSEMI(华冠)

Operating Ambient Temperature: -40°C to +85°C

5+
￥0.573
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￥0.5596
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