富士通存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24C32D-XHM-T 编号：C2685757

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部结构为4,096 x 8（32K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口

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型号：M95256-RDW6TP 编号：C283458

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：M24256-BWMN6P 编号：C283433

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24256是一款256-Kbit I2C兼容EEPROM，组织为32 K × 8位。支持所有I2C总线模式，包括1 MHz、400 kHz和100 kHz。具有32 K字节的EEPROM，页面大小为64字节。支持单电源电压和高速操作，工作电压范围为1.7V到5.5V。工作温度范围为-40°C至+85°C，具有超过4百万次写入周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT21CS01-STUM10-T 编号：C616192

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11是一款双引脚存储器（SI/O和接地引脚），它可从SI/O引脚获取能量，为集成电路供电。该器件提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），以128个8位字的形式组织。该器件经过优化，可通过两点机械连接在无电源附件中添加配置和使用信息，这种连接方式仅将一个信号（SI/O）和接地端引入无电源附件

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型号：M24C02-DRMF3TG/K 编号：C880085

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：AT24CM01-SSHM-T-TUDI 编号：C36533659

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM01是一款1Mbit的I2C兼容串行EEPROM，具有1.7V和2.5V两种工作电压选项，支持400kHz和1MHz的时钟频率，具备硬件数据保护功能。

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型号：W25X10CLSNIG-TR 编号：C164120

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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型号：MX25L8006EM1I-12G 编号：C106262

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：IS25LP032D-JNLE-TR 编号：C2063103

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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￥19.01
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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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型号：MX30LF1G18AC-TI 编号：C128679

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

1Gb (128M x 8)

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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