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封装：SOIC-8

GD25Q64E（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：MX25L3206EM2I-12G 编号：C415880

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS 启用对设备的串行访问。

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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：W25N512GVEIG 编号：C3024446

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：23LC1024T-I/SN 编号：C114449

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

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型号：W25Q64JVSFIQ TR 编号：C2456207

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

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型号：MX25L25645GM2I-10GTR 编号：C2802976

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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型号：NT5CC64M16GP-DI 编号：C428582

封装：VFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

1Gb 双倍数据速率 3（DDR3(L)）G 型裸片 DRAM 采用双倍数据速率架构，以实现高速运行。其内部配置为八存储体 DRAM。这款 1Gb 芯片的组织形式为 16Mbit × 8 I/O × 8 存储体，或 8Mbit × 16 I/O × 8 存储体器件

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

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型号：MT29F2G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2887393

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能 I/O 操作。这些设备使用高度复用的 8 位总线 (I/Ox) 来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态 (R/B#)。

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：SDINBDG4-8G-XA 编号：C22405955

封装：-

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：MKDV16GIL-STPB 编号：C48937378

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

16Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥301.3115 ￥317.17
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￥286.729 ￥301.82

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

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10+
￥0.2324
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型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

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￥0.2337 ￥0.246
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￥0.191045 ￥0.2011
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￥0.16967 ￥0.1786
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￥0.153615 ￥0.1617
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￥0.123975 ￥0.1305
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￥0.117515 ￥0.1237

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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

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￥0.284022 ￥0.3054
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￥0.224688 ￥0.2416
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￥0.195021 ￥0.2097
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￥0.172701 ￥0.1857
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￥0.154938 ￥0.1666
8000+
￥0.14601 ￥0.157

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型号：AT24C16CDR179 编号：C51026305

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

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￥0.308367 ￥0.3807
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￥0.243081 ￥0.3001
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￥0.210438 ￥0.2598
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￥0.185895 ￥0.2295
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￥0.166293 ￥0.2053
8000+
￥0.156492 ￥0.1932

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型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

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￥0.3193
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￥0.2524
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￥0.2189
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￥0.1938
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￥0.1737

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型号：HX24LC02BDBVRG 编号：C2987265

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B是一款2K位I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于1.7V至5.5V的工作电压范围，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备包括一个写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。此外，还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。

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10+
￥0.38196 ￥0.4244
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￥0.29772 ￥0.3308
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￥0.2556 ￥0.284
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￥0.22401 ￥0.2489
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￥0.19872 ￥0.2208
9000+
￥0.18603 ￥0.2067

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

10+
￥0.3922
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￥0.31
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￥0.2689
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￥0.2381
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￥0.2135
8000+
￥0.2012

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型号：AT24C04CDGKRG 编号：C19723708

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.4034
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￥0.317
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￥0.2738
3000+
￥0.2414
6000+
￥0.2155
9000+
￥0.2025

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型号：AT24C16C-SSHM-T 编号：C41411481

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

AT24C16C-SSHM-T是一款2K至16K位的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚可防止误写入，支持部分页面写入，具有高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。

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￥0.4359
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￥0.3399
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型号：HX24LC02BDRG 编号：C2987256

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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