富士通存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

10+
￥76.63
100+
￥65.49
360+
￥58.7
1080+
￥53

有货

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型号：EPCS4SI8N 编号：C569019

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

若要使用基于SRAM的器件配置系统，每次给器件上电时，都必须加载配置数据。EPCS器件是一种闪存器件，可存储用于在FPGA上电后进行配置的数据。您可以在所有支持AS x1配置方案的FPGA上使用EPCS器件

数据手册

1+
￥23.57
10+
￥20.54
30+
￥18.74
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￥16.83

有货

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型号：XT61M1G8C2TM-B8BEA 编号：C29781628

封装：BGA-162(10.5x8)

品牌：XTX(芯天下)

1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)

1+
￥30.008 ￥37.51
10+
￥28.648 ￥35.81
30+
￥27.824 ￥34.78
100+
￥27.128 ￥33.91

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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥41.7
10+
￥37.87
30+
￥35.59
100+
￥33.29
500+
￥32.23
1000+
￥31.75

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥42.59
10+
￥37.49
30+
￥30.85
100+
￥27.78
500+
￥26.37
1000+
￥25.73

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥51.32
10+
￥44.18
30+
￥38.18

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型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

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1+
￥52.62
10+
￥46.01
30+
￥41.98
100+
￥38.6

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

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1+
￥53.74
10+
￥48.02
30+
￥41.95
100+
￥39.03

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型号：W971GG6NB-25 编号：C2826924

封装：VFBGA-84

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥62.91
10+
￥57.94
30+
￥54.99

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

1+
￥68.9
10+
￥65.48
30+
￥63.44
100+
￥61.38
480+
￥60.43

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型号：K4A8G165WB-BCRC 编号：C2803252

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥155.01
30+
￥147.11

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型号：MKDN032GCL-AD 编号：C52754172

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥177.8875 ￥187.25
30+
￥169.6415 ￥178.57

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型号：MX66UW1G45GXDI00 编号：C21197302

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

1+
￥216.3
30+
￥206.77

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型号：THGAMVG7T13BAIL 编号：C7599693

封装：BGA-153(11.5X13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

1+
￥230.02
30+
￥220

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型号：K4U6E3S4AA-MGCL 编号：C2920249

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥294.53
30+
￥279.93

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型号：MKDN064GIL-ZA 编号：C3041336

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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1+
￥301.739 ￥317.62
30+
￥287.1375 ￥302.25

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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1+
￥312.113 ￥328.54
30+
￥266.494 ￥280.52

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型号：NT5AD512M16C4-JR 编号：C24169788

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：基于DDR4标准。 8n预取架构。差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)。 DQS、DQS和DM上的双倍数据速率-DRAM访问带宽。按存储体组分开的I/O门控结构。自刷新中止

5+
￥362.51
150+
￥350

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型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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1+
￥525.64
30+
￥444.39

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型号：AT24C02CDBVRG 编号：C19723706

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.2881
100+
￥0.2257
300+
￥0.1945
3000+
￥0.1711
6000+
￥0.1524
9000+
￥0.143

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型号：AT24C02CDGKRG 编号：C19723705

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
3000+
￥0.2226
6000+
￥0.1996
9000+
￥0.188

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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

10+
￥0.396625 ￥0.4175
100+
￥0.314545 ￥0.3311
300+
￥0.273505 ￥0.2879
3000+
￥0.242725 ￥0.2555
6000+
￥0.21812 ￥0.2296
9000+
￥0.20577 ￥0.2166

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型号：HX24C32DRG 编号：C42396715

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.3975
50+
￥0.3475
150+
￥0.3225
500+
￥0.3038
2500+
￥0.2888

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型号：AT24C04C-SSHM-T-CN 编号：C45369185

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。

10+
￥0.40261 ￥0.4238
100+
￥0.31616 ￥0.3328
300+
￥0.272935 ￥0.2873
1000+
￥0.24054 ￥0.2532
4000+
￥0.22458 ￥0.2364
8000+
￥0.211565 ￥0.2227

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型号：AT24C32CDR165 编号：C51026297

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

10+
￥0.4377
100+
￥0.3475
300+
￥0.3024
1000+
￥0.2685
4000+
￥0.2414
8000+
￥0.2279

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型号：AT24C08CM/TR 编号：C22396888

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08M/TR升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8Kbit I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。该设备具有硬件和软件写保护功能，提供16字节的可写锁定页和128位唯一ID。支持2线串行接口，传输速率可达1MHz。

5+
￥0.5565
50+
￥0.441
150+
￥0.3832
500+
￥0.3399
2500+
￥0.3052
5000+
￥0.2879

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型号：BL24C02F-NTRC 编号：C2828222

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F是一款2K位串行EEPROM，具有I2C双向数据传输协议，支持硬件数据保护，高可靠性，1百万次写周期寿命，100年的数据保留时间。

数据手册

10+
￥0.5592
100+
￥0.4638
300+
￥0.4161
3000+
￥0.3704
6000+
￥0.3417

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型号：M24C04-WMN6TP 编号：C118280

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.6259
50+
￥0.4968
150+
￥0.4323

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型号：AT24C02CN 编号：C7432366

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02N升级替代料，建议试样，串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.6444
50+
￥0.5148
150+
￥0.45
500+
￥0.4014
2000+
￥0.3625
4000+
￥0.343

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型号：HX24LC16BDBVRG 编号：C2987268

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP和5引脚SOT23封装，并通过两线串行接口访问。

5+
￥0.7641
50+
￥0.6081
150+
￥0.5301
500+
￥0.4716
3000+
￥0.4053
6000+
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