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  • 256-Kbit(32K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 5.5V
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  • MB85RC1MT是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为131,072字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与静态随机存取存储器(SRAM)不同,MB85RC1MT无需使用数据备份电池即可保留数据。
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    MB85RC256V是一款铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,配置为32,768字×8位,采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。与SRAM不同,MB85RC256V无需使用数据备份电池即可保留数据。
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  • AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化,在这些应用中,低功耗和低电压运行至关重要
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  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。
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  • AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为128/256个字,每个字8位。两款器件均具备级联功能,最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化,在这些应用中,低功耗和低电压运行至关重要
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  • W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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  • W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
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    • 8000+

      ¥4.8
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  • (与C82317为同一颗物料,只是编带方式不一样。)3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI
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      ¥4.72
    • 1000+

      ¥4.51
    • 2000+

      ¥4.4
  • 有货
  • W25Q128JV(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。
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