FM复旦存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q128JVPIM TR 编号：C2441427

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

2+
￥11.33
20+
￥9.84
60+
￥9.02
200+
￥8.1
1000+
￥7.69
2000+
￥7.5

有货

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型号：AT24C02S 编号：C46550852

封装：SOT-23-5

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

24C02是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，施密特触发器，抑制输入噪声，双向数据传输协议，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，8-byte页，允许部分页写操作，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年，封装形式：DIP8、SOP8、TSSOP8、SOT23-5。

10+
￥0.2616
100+
￥0.2077
300+
￥0.1807
3000+
￥0.1605
6000+
￥0.1443
9000+
￥0.1362

有货

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型号：AT24C02C-SSHM-T 编号：C22453058

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

AT24C02C-SSHM-T是一款2K位串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。提供多种封装选项，包括8引脚PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

10+
￥0.3235
100+
￥0.2515
300+
￥0.2155
1000+
￥0.1885
4000+
￥0.1789
8000+
￥0.168

有货

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型号：ZD24C08A-STGMT 编号：C2896640

封装：SOT-23-5

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

数据手册

10+
￥0.3468
100+
￥0.2734
300+
￥0.2366
3000+
￥0.2091
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.176

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型号：AT24C32M/TR 编号：C2688466

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供32/768/65,536位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096/8192个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。有节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚MSOP封装，可通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.6784
50+
￥0.5344
150+
￥0.4624
500+
￥0.4084
2500+
￥0.3517
5000+
￥0.33

有货

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型号：ZD24C256A-SSGMB 编号：C918273

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.1516
50+
￥0.8995
200+
￥0.7702
500+
￥0.6354
2500+
￥0.5753
5000+
￥0.5393

有货

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型号：ZD25WQ16CTIGT 编号：C5353550

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,16Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil，Tape&Reel

数据手册

5+
￥1.168
50+
￥0.9158
200+
￥0.8077
500+
￥0.6729
2500+
￥0.6128
5000+
￥0.5768

有货

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.8753
50+
￥1.4665
150+
￥1.2912
500+
￥1.0726
2500+
￥0.9752
5000+
￥0.9168

有货

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型号：ZD24C512A-SSGMT 编号：C2896788

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

数据手册

5+
￥1.9296
50+
￥1.5165
150+
￥1.3394
500+
￥1.1185
3000+
￥0.9935
6000+
￥0.9345

有货

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型号：24AA02T-I/OT 编号：C478090

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0128
50+
￥1.5642
150+
￥1.372
500+
￥1.1321
3000+
￥1.0253

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型号：AT24C512CM/TR 编号：C19193470

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

5+
￥2.2673
50+
￥1.7814
150+
￥1.5731
500+
￥1.3133
2500+
￥1.1783
5000+
￥1.1089

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型号：ZD25WQ32CEIGR 编号：C5258281

封装：USON-8(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm，Tape&Reel

数据手册

5+
￥2.2682
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￥1.7965
150+
￥1.5944
500+
￥1.2673
3000+
￥1.1549
6000+
￥1.0876

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型号：AT45DB161E-SHD-T 编号：C64021

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16-Mbit(2M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

1+
￥9.08
10+
￥7.73
30+
￥6.98
100+
￥6.14
500+
￥4.68
1000+
￥4.52

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型号：W25Q64JVZEIQ 编号：C571262

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥9.77
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￥8.58
30+
￥7.92
100+
￥7.18
500+
￥6.85
1000+
￥6.7

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥10.16
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￥8.95
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￥8.34
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￥7.74
500+
￥6.99
1000+
￥6.8

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥10.9
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￥9.44
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￥8.64
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￥7.73
500+
￥6.89
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￥6.7

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

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1+
￥23.84
10+
￥21.91
30+
￥20.7
108+
￥18.8
540+
￥18.25
864+
￥18

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型号：W9751G6NB-25 编号：C908414

封装：VFBGA-84

品牌：Winbond(华邦)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA（8x12.5）

数据手册

1+
￥28.14
10+
￥25.43
30+
￥23.74
209+
￥21.13
418+
￥20.34
1045+
￥20

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型号：XT26G01CWSIGA 编号：C2833378

封装：WSON-8(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01C是一款1G-bit SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有高级写保护机制，适用于高可靠性应用。它支持单级单元(SLC)技术，页编程时间为450μs，块擦除时间为4ms，读取速度高达104MHz。

数据手册

1+
￥33.54
10+
￥29.53
30+
￥27.15
100+
￥23.56
480+
￥22.45
960+
￥21.95

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型号：GD5F1GQ5UEYIGR 编号：C2829047

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

数据手册

1+
￥33.55
10+
￥29.53
30+
￥27.14
100+
￥20.98
500+
￥19.86
1000+
￥19.36

有货

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型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C500275

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥48.36
10+
￥42.53
30+
￥38.98
112+
￥36

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型号：K4B4G1646E-BCNB 编号：C2803248

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥52.49
10+
￥46.6
30+
￥43.01
112+
￥40

有货

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

1+
￥79.21
10+
￥75.39
30+
￥68.78
100+
￥63

有货

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

数据手册

1+
￥251.64
30+
￥240.67

有货

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥440.44
30+
￥319.72

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

数据手册

5+
￥0.3924
50+
￥0.3464
150+
￥0.3234
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￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

有货

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥1.2294
50+
￥0.9766
150+
￥0.8683
500+
￥0.7331
3000+
￥0.6129
6000+
￥0.5768

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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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