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封装：SOIC-8-208mil

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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型号：MX25L12845EMI-10G 编号：C128677

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb (16M x 8)

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型号：GD25Q127CSIGR 编号：C395513

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q127C（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/ RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：ZD35Q1GC-IB 编号：C2928927

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

1Gb,SPI NAND FLASH,2.7-3.6V,WSON6*8,VerC

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型号：MB85RC256VPNF-G-AMERE2 编号：C45273903

封装：SOP-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538

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型号：W25Q128JWFIQ 编号：C5441275

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JW（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：AT88SC0404CA-SH 编号：C153259

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：APS6404L-3SQR-SN 编号：C5333729

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

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型号：ZD25Q256ASIGT 编号：C41364479

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,256Mbit,2.7~3.6V,SOP8-208mil,Tube

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型号：S29AL008J70TFI010 编号：C2759923

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

8 Mbit、3.0 伏的闪存,组织为 1,048,576 字节或 524,288 字。提供 48 球细间距 BGA(0.8 mm 间距)和 48 引脚 TSOP 封装。字宽数据(x16)出现在 DQ15 DQ0;字节宽(x8)数据出现在 DQ7 DQ0。该设备设计为使用标准系统 3.0 伏 VCC 电源在系统内编程。写入或擦除操作不需要 12.0 V VPP 或 5.0 VCC。该设备也可以在标准 EPROM 编程器中编程

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型号：MX25L25645GZ2I-08G 编号：C2802978

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：MKDV2GCL-ABF 编号：C51966231

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：DS28E15P+ 编号：C1519526

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

内置1-WireSHA-256和512位用户EEPROM的DeepCover安全认证方案、利用强大的加密认证技术和先进的物理保护措施有效保护您的研发投入

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型号：M24M02E-FDW6TP 编号：C21458389

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：24LC256T-I/MS 编号：C613348

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节数据的页写入能力。能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达2 Mbit的地址空间。

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型号：23LCV512-I/SN 编号：C1349237

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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型号：MX29LV640EBTI-70GTR 编号：C2802726

封装：TSOP-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁：具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

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型号：IS61LV6416-10TLI 编号：C2940532

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV6416/IS61LV6416L是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），其组织形式为65,536字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可实现低功耗下最快8 ns的存取时间

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型号：W631GU6NB-12 编号：C17328916

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：S25FL256SAGMFIG03 编号：C914931

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：VTI7064MSME 编号：C139966

封装：SOIC-8

品牌：Vilsion

64Mbit（8MB x 8）串行SPI SRAM,精简SOP8封装！

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型号：IS25LP256D-JLLE 编号：C1350139

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

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型号：IS46TR16640C-125JBLA1 编号：C7598607

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM，支持1.5V供电，数据传输速率为1600MT/s，时序为10-10-10。适用于汽车A1等级，具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。

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型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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型号：W25N02KWZEIR 编号：C17401814

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KW是Winbond公司生产的2G-bit SLC NAND闪存，支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。具有低功耗、宽温度范围、高可靠性等特点。

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型号：M24M02-DWMN3TP/K 编号：C2061773

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 MHz时钟的汽车2-Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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