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封装：SOP-8

HK24C64是一款64Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗、宽工作电压范围（1.8V至5.5V）、32字节页写模式、标准2线双向串行接口、自定时写周期（最大5ms）、1MHz（5V）和400kHz（1.8V、2.5V、2.7V）兼容性、硬件数据保护等功能。工作温度范围为-40℃至85℃，数据保留时间为100年。

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型号：HG24C04M/TR 编号：C2688457

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。HG24C04有节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP、8引脚MSOP、8焊盘DFN和SOT23 - 5封装可供选择，并可通过两线串行接口进行访问

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型号：AT24C16DGKRG 编号：C19723711

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C16是一款16K位串行EEPROM，具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+85°C。它支持两线串行接口，最大时钟频率为1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。该器件具有写保护引脚，支持16字节页写模式，自定时写周期时间最大为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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型号：HX24C08DRG 编号：C5145455

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C08提供8K位（1024字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

数据手册

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型号：HG24C08M/TR 编号：C2688459

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08提供8K位的串行EEPROM，支持1.8V至5.5V宽电压操作，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有硬件写保护功能，支持部分页写入，自定时写周期，高可靠性，数据保留时间为100年。

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型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。

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型号：24C16(LX) 编号：C22397201

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

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型号：HX24LC04BDRG 编号：C2987257

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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型号：ZD25WD20BEIGR 编号：C2759919

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

新版本ZD25WD20CEIGR

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型号：HX24LC08BDRG 编号：C2987258

封装：SOIC-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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型号：AT24C32-TD 编号：C42421829

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

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型号：HG24C08CMM/TR 编号：C22396889

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08MM/TR升级替代料，建议试样，HG24C08C是一款8K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高传输速率为1MHz，具有硬件和软件写保护功能，提供多种封装选项，包括DIP-8、SOP-8、MSOP-8、TSSOP-8、DFN-8和SOT-23-5。

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型号：HG24C04MM/TR 编号：C5310846

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04提供4096位的串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为512个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。通过两线串行接口访问。

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型号：AT24C08CM5/TR 编号：C22396891

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08M5/TR升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8-Kbit I2C-compatible串行EEPROM设备。该设备设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。设备集成了写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。设备还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。存储器阵列组织为64页，每页16字节，总计1024*8位。设备提供了一个额外的16字节标识页，用于存储敏感的应用参数。该页包含一个工厂编程的128位唯一ID，可以通过发送特定的读命令访问。

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型号：HG24C32M/TR 编号：C2688467

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C32 / HG24C64 提供 32,768 / 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 4096 / 8192 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。HG24C32 / HG24C64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 TSSOP 封装，可通过两线串行接口访问

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型号：SL24C32D 编号：C5155395

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C32D是32K位（4K字节）的电可擦除PROM，采用两线串行接口（I2C总线），具有宽范围的工作电压（1.8V~5.5V），低待机电流（1uA），低工作电流（1mA），页写能力（32字节/页），内部写周期最大5ms，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

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型号：HG24C128BM/TR 编号：C41415962

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

该芯片是一款128Kbit EEPROM存储器，支持I2C接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C。具备硬件写保护功能，ESD防护高达4KV，写周期寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

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型号：BR24T04FJ-WE2 编号：C600856

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24T04-W 是一款采用 I²C 总线接口方式的串行 EEPROM。

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型号：AT24C04N 编号：C434605

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

数据手册

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型号：BR24G02F-3GTE2 编号：C2062152

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G02-3 是一款采用 I²C 总线接口的 2Kbit 串行 EEPROM。

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型号：CAT24C16WI-GT3-TUDI 编号：C22469403

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2,048个字，每个字8位。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作至关重要。AT24C16可在节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装中使用，并通过2线串行接口访问。

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型号：HT1307BRZ 编号：C50338904

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。

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型号：P25Q80SH-SSH-IR 编号：C50201872

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

是串行接口闪存设备，适用于各种大容量消费类应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。其灵活的擦除架构，页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更有效地利用内存空间

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型号：AT24C16B-TH-T-TUDI 编号：C22469407

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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型号：P24C512B-SSH-MIR 编号：C5263814

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C512B是一款512 Kbit的I²C兼容串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。它包含一个64 K × 8位的存储阵列，每页组织为128字节。P24C512B为不同应用提供以下器件

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型号：HG24C08AM/TR 编号：C49270262

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

8K BITS EEPROM

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型号：AT24C08N 编号：C434604

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

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