FM复旦存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MX25L1606EM2I-12G 编号：C415878

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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￥4.69
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￥3.82
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￥3.39
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￥2.96
500+
￥2.64
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￥2.5

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型号：24AA16T-I/ST-TUDI 编号：C41411028

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16/24LC16B（24XX16）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，并具备两线串行接口。24XX16还支持高达16字节数据的页写入功能

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￥2.4415 ￥2.57
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￥2.166 ￥2.28
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.805 ￥1.9
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￥1.767 ￥1.86

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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

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￥3.3
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￥3
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￥2.86
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￥2.71
500+
￥1.78
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￥1.74

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型号：M95640-DRMN3TP/K 编号：C314019

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥3.38
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型号：93LC86CT-I/SN 编号：C2061401

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

16K位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93XX86C这样的字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A器件采用专用8位内存架构，而93XX86B器件采用专用16位内存架构

数据手册

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￥3.45
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￥2.77
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￥2.43
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￥2.09
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型号：CAT24AA16TDI-GT3-TUDI 编号：C42372939

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16 提供 16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。

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￥3.9235 ￥4.13
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￥3.2585 ￥3.43
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￥2.907 ￥3.06
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￥2.8405 ￥2.99

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型号：FT24C1024A-USR-T 编号：C7466812

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C1024A系列是1,048,576位串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它们被组织为131,072个8位字（一个字节）每个。这些设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供标准8引脚DIP和8引脚SOP封装。支持标准2线双向串行接口，具有内部自定时编程周期（最大5毫秒），自动擦除前写操作，硬件数据保护等功能。

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￥3.96
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￥3.18
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型号：GD25Q32ETIGR 编号：C2986328

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32MBIT（4M x 8）SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 3.3V

数据手册

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￥4.56
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￥3.69
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￥2.58

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型号：GT5SLAD2E-1A 编号：C2874944

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT5SLAD2E-1A是一款支持16-192点阵的矢量字库芯片，使用灰度算法使汉字边缘变得比纯点阵字更加柔和、平滑。采用高通超小型嵌入式矢量字库，具有字体平滑及不失真等特点，可以产生多种高质量的文字输出，可以支持加粗、倾斜、反白、阴影等文字特效，支持ASCII码字符、拉丁文、GB18030汉字。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

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￥5.06
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￥4.02
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￥3.51
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￥2.99
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￥2.68
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￥2.52

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型号：ZD24C1MA-MAGMT 编号：C52037962

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C1MA提供1Mbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。UDFN-8L-EP(2x3)

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￥4.26
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￥3.75
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￥3.23
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￥2.92
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型号：PY25Q128HA-SUH-IR 编号：C5354566

封装：SOP-8-208mil

品牌：PUYA(普冉)

PY25Q128HA是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。该器件灵活的擦除架构，具备页擦除粒度，也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

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￥5.4
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￥4.35
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￥2.83

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型号：CAV24C64WE-GT3 编号：C154621

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C64 是一款 64-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持 Fast (100 kHz) 和 Fast (400 kHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAV24C64 器件。

数据手册

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￥5.54
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￥4.04
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￥3.55
500+
￥3.25

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型号：CAT24M01YI-GT3 编号：C233776

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥6.81
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￥4.94
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500+
￥3.75

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型号：IS61LV256AL-10TLI 编号：C412837

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

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￥9.1
10+
￥8.25
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￥7.71
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￥7.16
500+
￥6.91

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型号：W25Q64FWSSIQ 编号：C783717

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64FW（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双路/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥9.82
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￥8.59
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￥7.92
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￥6.46
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￥6.3

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型号：TC58BVG0S3HTA00 编号：C113406

封装：TSOPI-48

品牌：KIOXIA(铠侠)

TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit（1,107,296,256 位）的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E²PROM），其组织形式为（2048 + 64）字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 K 字节 + 4 K 字节：2112 字节×64 页）

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1+
￥11.1
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￥9.35
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￥8.25
96+
￥7.13

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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥12.7205 ￥13.39
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￥10.9725 ￥11.55
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￥10.2885 ￥10.83
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￥9.975 ￥10.5
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￥9.842 ￥10.36

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

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￥18.54
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￥14.03
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￥11.19

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型号：M95M01-DWMN3TP/K 编号：C221456

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M95M01-A125和M95M01-A145是1 Mbit的串行EEPROM，符合汽车标准AEC-Q100等级0。这些设备通过简单的SPI兼容接口运行，最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具有嵌入式错误校正码逻辑，提高了可靠性。

数据手册

1+
￥20.55
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￥17.46
30+
￥15.63
100+
￥13.78

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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。

单价：
￥22.83 / 个

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型号：IS43TR16128DL-125KBLI 编号：C1349483

封装：BGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43TR16128D, IS43TR16128DL 是 256Mx8 和 128Mx16 2Gb DDR3L SDRAM，支持低电压 1.35V。具有高速数据传输速率，系统频率高达 1066MHz。支持 8 个内部banks并发操作，具有自动预充电和部分阵列自刷新功能。

数据手册

1+
￥23.21
10+
￥19.65
30+
￥17.53

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型号：IS43TR16128BL-125KBLI 编号：C2977983

封装：BGA-96(13x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V,-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构

1+
￥23.73
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￥22.7808
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￥21.8316
200+
￥21.26208
500+
￥20.8824

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
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￥20.84
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￥18.61
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￥16.35
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￥15.31
960+
￥14.84

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型号：IS25WP256D-JLLE 编号：C178257

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

1+
￥28.41
10+
￥24.59
30+
￥22.33
100+
￥20.04
480+
￥18.98

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型号：MKDV2GIL-AST 编号：C26159625

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV2GIL-AS的升级款，2Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV2GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C6；IOPS R/W 1491/80；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

1+
￥28.458 ￥31.62
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￥24.327 ￥27.03
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￥21.879 ￥24.31
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￥19.395 ￥21.55
520+
￥18.252 ￥20.28
1040+
￥17.73 ￥19.7

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型号：24LC1025T-I/SN 编号：C615697

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥30.71
10+
￥26.28
30+
￥23.65
100+
￥20.99
500+
￥19.76

有货

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型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥34.02
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￥29.07
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￥26.13
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￥21.37
480+
￥20
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￥19.38

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型号：H5TC4G63EFR-RDAR 编号：C37953994

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TC4G83EFR-xxA(I,L,J,K), H5TQC4G63EFR-xxA(I,L,J,K) 均为 4Gb 低功耗双倍数据速率III (DDR3L) 同步DRAM，非常适合需要大内存密度、高带宽和低功耗运行（电压为1.35V）的主内存应用。SK Hynix DDR3L SDRAM 在不进行任何更改的情况下，与基于1.5V的DDR3环境向后兼容。SK Hynix 4Gb DDR3L SDRAM 提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入都在时钟的上升沿（时钟的下降沿）上锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿上采样。数据路径内部经过流水线处理，并预取8位以实现非常高的带宽。

1+
￥34.67
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￥30.94
30+
￥28.73
100+
￥26.49

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型号：MX66L1G45GMI-10G 编号：C2802775

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。Mode 0和Mode 3。单电源操作。读写和擦除操作电压为2.7至3.6伏。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

数据手册

1+
￥45.4158 ￥65.82
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￥43.47 ￥63
30+
￥42.2832 ￥61.28
100+
￥41.2896 ￥59.84
500+
￥40.779 ￥59.1

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型号：FM24V05-GTR 编号：C66021

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造，提供高耐久性和低功耗。支持I2C接口，最高时钟频率为3.4 MHz，适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥50.82
10+
￥43.66
30+
￥39.3
100+
￥35.65

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