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首页 > 热门关键词 > 威世模拟芯片
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  • 特性:无卤TrenchFET功率MOSFET。应用:负载开关。DC/DC转换器
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  • 特性:UL认证(UL1676,文件编号:E171160)。符合以下安全要求:。 IEC 60065。 DIN EN 60065。 VDE 0860。 CQC(中国)。应用:需要高电阻、高稳定性和高可靠性的高压环境。高湿度环境
    数据手册
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  • 特性:TrenchFET功率MOSFET,符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试
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  • 特性:功率与占位面积比高(0805封装为1W,1206封装为2W)。全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用,符合RoHS标准,无卤环保。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.005Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。采用低TCR(<20 ppm/°C)的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。极低电感,0.5 nH至5 nH。频率响应极佳,可达50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)
    数据手册
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    • 1000+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:适配器开关。 负载开关
    数据手册
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      ¥4.21
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      ¥3.2
  • 有货
  • 特性:全焊接结构。模压封装。无铅卷绕式终端。在不同环境条件下具有出色的稳定性。高功率额定值(高达3W)。卓越的浪涌能力。提供采用艾尔顿 佩里绕组的无感式型号(WSN代替WSC,最大电阻为WSC范围的一半)。通过AEC Q200认证。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档
    数据手册
    • 1+

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      ¥4.49
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  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:OR-ing DC/DC低侧开关
    • 1+

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    • 1000+

      ¥4.1
  • 有货
  • 适用于通用电源应用。AEC Q200认证的系列最适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。
    数据手册
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      ¥7.01
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    • 500+

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  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:笔记本适配器开关。 笔记本负载开关
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  • 8通道单端模拟多路复用器,设计用于将八个输入中的一个连接到公共输出。
    数据手册
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  • 表面贴装芯片旨在提供与接地层或散热器的电绝缘热传导路径,同时保持器件的电绝缘。器件采用氮化铝基板,有SnPb和无铅环绕端接两种样式。低电容使其非常适合高频和热梯应用。可提供定制尺寸。
    • 1+

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  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试
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  • 有货
  • VSMD66694 是一款双色发光器件,峰值波长分别为 660 nm 和 940 nm。该发光器采用 SurfLightTM 技术,可提供高辐射功率。
    数据手册
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      ¥4.93
  • 有货
  • 特性:高温,可达180°C等级。屏蔽结构。高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC储能,适用于高达无铅自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。在该封装尺寸中具有最低的直流电阻每微亨(DCR/μH),无卤。能够处理高达额定电流10倍的高瞬态电流尖峰,具体取决于持续时间。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。应用:汽车废气再循环(EGR)泵用无刷直流电机。高级驾驶辅助系统(ADAS)
    • 1+

      ¥8.6
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  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围低于1.0 MHz。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。RoHS合规。粉末铁成分提供软饱和。无卤。应用:笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.78
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    • 100+

      ¥6.14
  • 有货
  • 特性:此封装尺寸中最低高度 (3.5mm)。屏蔽结构。频率范围高达 5.0MHz。此封装尺寸中最低的直流电阻/微亨。处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,超低嗡嗡声。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.31
    • 10+

      ¥7.87
    • 30+

      ¥7.08
    • 100+

      ¥6.18
    • 500+

      ¥5.78
  • 有货
  • 特性:高温涂层(>350°C)。全焊接结构。符合MIL PRF 26的适用要求。提供无感式(NS型),采用艾尔顿 佩里绕组,具有极低的无功分量。运行稳定性好(典型电阻变化<0.5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥9.57
    • 10+

      ¥7.95
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      ¥6.06
    • 500+

      ¥5.61
  • 有货
  • 特性:氮化铝(AlN)基板上的厚膜电阻元件。在小尺寸封装中具有非常高的热导率。端接:镀镍阻挡层上的锡/铅环绕端接,也提供无铅环绕端接。能够根据客户要求开发特定的可靠性计划。工作温度范围:-65°C至+155°C。高达6GHz的高频性能
    数据手册
    • 1+

      ¥9.74
    • 10+

      ¥8.1
    • 30+

      ¥7.19
    • 100+

      ¥6.17
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg 和UIS测试。应用:同步整流。 OR-ing
    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

      ¥8.53
    • 30+

      ¥7.63
    • 100+

      ¥6.62
    • 500+

      ¥6.17
  • 有货
  • DG469是高电压SPDT开关,具有低导通电阻(典型值3.6Ω)和典型的平坦度0.4Ω。适用于音频和视频信号切换。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.51
    • 10+

      ¥8.89
    • 30+

      ¥7.89
    • 100+

      ¥6.49
    • 500+

      ¥6.02
    • 1000+

      ¥5.82
  • 有货
  • 提供高速、低误差的模拟和音频信号切换。具有常开功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.61
    • 10+

      ¥9.04
    • 30+

      ¥8.06
    • 100+

      ¥7.05
    • 500+

      ¥6.6
    • 1000+

      ¥6.4
  • 有货
  • 高电压整流器,针对极低正向压降和适度泄漏进行了优化。这些器件适用于主整流(单相或三相电桥)。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.88
    • 10+

      ¥9.75
    • 30+

      ¥9.04
    • 100+

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    • 500+

      ¥6.65
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • 特性:结钝化优化设计,采用钝化各向异性整流器技术。 Tj = 175℃ 能力,适用于高可靠性和汽车要求。 仅提供单向极性。 低泄漏电流。 低正向压降。 高浪涌能力。应用:用于敏感电子设备,防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变,特别是用于汽车负载突降保护应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.92
    • 10+

      ¥9.41
    • 30+

      ¥8.47
    • 100+

      ¥7.5
  • 有货
    • 1+

      ¥11.25
    • 10+

      ¥9.44
    • 30+

      ¥8.31
    • 100+

      ¥7.15
    • 500+

      ¥6.63
  • 有货
  • 特性:高温,最高可达155°C。屏蔽结构。高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC能量存储。在自谐振频率(SRF)以下的滤波电感应用(参见标准电气规格表)。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用:发动机和变速器控制单元。柴油喷射驱动器
    • 1+

      ¥11.3
    • 10+

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