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首页 > 热门关键词 > 威世模拟芯片
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特性:UL认证,文件编号E54214。 适合自动贴装。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃。 RoHS合规。应用:开关电源的AC/DC桥式全波整流。 照明镇流器
数据手册
  • 1+

    ¥2.241 ¥2.49
  • 10+

    ¥1.764 ¥1.96
  • 30+

    ¥1.557 ¥1.73
  • 100+

    ¥1.305 ¥1.45
  • 500+

    ¥1.188 ¥1.32
  • 1500+

    ¥1.116 ¥1.24
  • 有货
  • 特性:超低感测电阻。低TCR(低至50 ppm/°C)。芯片尺寸低至0402,可最小化电路板空间。耐硫。应用:开关电源。电压调节模块
    • 5+

      ¥2.3204
    • 50+

      ¥1.8189
    • 150+

      ¥1.604
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      ¥1.269105 ¥1.3359
    • 2500+

      ¥1.155675 ¥1.2165
    • 5000+

      ¥1.08756 ¥1.1448
  • 有货
  • 具有先进脉冲负载能力的碳膜MELF电阻器,是保护带有信号和电源输入线路的电路免受浪涌脉冲影响的理想选择。该电阻器还适用于暴露在高电磁干扰或静电放电环境中的电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3228
    • 50+

      ¥1.844
    • 150+

      ¥1.6388
    • 500+

      ¥1.3828
  • 有货
  • 全新 ChipLED 系列采用最小的 SMD 封装设计。这种创新的 ChipLED 技术为打造更小尺寸、更高性能、更具设计灵活性和增强型应用的产品开辟了道路。对于预期在恶劣环境下可靠工作的小规模、高亮度产品而言,0603 LED 是显而易见的解决方案
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3863
    • 50+

      ¥1.9017
    • 150+

      ¥1.694
    • 500+

      ¥1.235285 ¥1.3003
    • 3000+

      ¥1.125655 ¥1.1849
    • 6000+

      ¥1.05982 ¥1.1156
  • 有货
  • 特性:非常低的外形-典型高度为1.0mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃。应用:用于低压高频逆变器。 续流
    • 5+

      ¥2.4012
    • 50+

      ¥1.9324
    • 150+

      ¥1.7316
    • 500+

      ¥1.451282 ¥1.4809
    • 3000+

      ¥1.19609 ¥1.2205
    • 6000+

      ¥1.130528 ¥1.1536
  • 有货
  • 钽电解电容器是在体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命是主要考虑因素的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性使固体钽电容器成为当今表面贴装组装技术的合适选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.45
    • 10+

      ¥1.9
    • 30+

      ¥1.66
    • 100+

      ¥1.37
    • 500+

      ¥1.23
    • 1000+

      ¥1.16
  • 有货
  • 生产受到严格控制,遵循一套广泛的指令以确保可重复性。在高级陶瓷基板 (Al2O3) 上沉积一层特殊金属合金的均匀薄膜,并进行处理以获得所需的温度系数。在两侧沉积特殊设计的内部触点。使用特殊激光对电阻层进行平滑微调以达到目标值,而不损坏陶瓷。进一步进行处理以稳定微调结果。电阻元件由保护性涂层覆盖,用于电气、机械和气候保护。终端进行最后的纯哑光镀镍处理。通过对 100% 的单个片式电阻器进行广泛的测试程序和光学检查来验证确定的生产结果。这包括全面筛选以消除有早期失效潜在风险的产品(适用于 R ≥ 10 Ω)。只有合格的产品才会按照 IEC 60286 3,类型 1a (1) 直接放入胶带中。
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.92
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      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.3818 ¥1.41
    • 500+

      ¥1.2544 ¥1.28
    • 1000+

      ¥1.176 ¥1.2
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen II p- channel power MOSFET。 100% Rg 测试。应用:适配器开关。 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.95
    • 30+

      ¥1.72
    • 100+

      ¥1.3585 ¥1.43
    • 500+

      ¥1.2445 ¥1.31
    • 1000+

      ¥1.1685 ¥1.23
  • 有货
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.39
    • 500+

      ¥1.26
  • 有货
  • 特性:非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。应用:低压高频逆变器。 续流
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5058
    • 50+

      ¥2.0106
    • 150+

      ¥1.7985
    • 1500+

      ¥1.5337
  • 有货
    • 1+

      ¥2.52
    • 10+

      ¥1.94
    • 30+

      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.311 ¥1.38
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用:DC/DC转换。 电池保护
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.59
    • 500+

      ¥1.46
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • 特性:用于高可靠性应用的超整流器结构。 无腔体玻璃钝化结。 低正向压降。 典型反向电流小于0.1μA。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275℃,持续10s,符合JESD 22-B106标准。应用:用于电源、逆变器、转换器的高压整流。 用于钳位电路、水平偏转系统和阻尼应用的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.36
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构耐硫,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.14
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.4812 ¥1.61
    • 500+

      ¥1.3524 ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.2788 ¥1.39
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结。 适合自动贴装。 超快反向恢复时间。 低开关损耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,无铅最高峰值260℃。应用:用于消费、计算机、汽车和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用
    • 1+

      ¥2.71
    • 10+

      ¥2.15
    • 30+

      ¥1.92
    • 100+

      ¥1.539 ¥1.62
    • 500+

      ¥1.4155 ¥1.49
    • 1000+

      ¥1.3395 ¥1.41
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级94 V-0。 适用于表面贴装应用。 低齐纳阻抗。 低调节系数。 保证高温焊接:端子处260℃/10 s。 标准电压公差为±10%,后缀A为±5%。 通过AEC-Q101认证
    • 1+

      ¥2.72
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.5675 ¥1.65
    • 500+

      ¥1.2825 ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.2065 ¥1.27
  • 有货
  • 特性:无卤,符合IEC 81249-2-21定义。TrenchFET功率MOSFET。100%进行Rg测试。100%进行UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC。应用:DC/DC转换器。负载开关
    数据手册
    • 1390+

      ¥1.3068
    • 2500+

      ¥1.2342
    特性:全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至 0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥2.76
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.501 ¥1.58
    • 500+

      ¥1.368 ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.292 ¥1.36
  • 有货
  • 该电容器由双面镀银的陶瓷圆盘组成。连接引线由直径为0.6mm的镀锡铜包钢制成。电容器可提供直引线或弯引线,引线间距为5mm、7.5mm或10.0mm。封装采用符合UL 94 V-0的阻燃环氧树脂。
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.18
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.35
  • 有货
  • 特性:符合EN 140401 803认证,通过AEC Q200认证。先进的金属膜技术。卓越的稳定性:0.05级。固有耐硫性。应用:汽车。电信
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.26
    • 30+

      ¥2
    • 100+

      ¥1.596 ¥1.68
    • 500+

      ¥1.4535 ¥1.53
    • 1000+

      ¥1.368 ¥1.44
  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围高达5.0 MHz。处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.04
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.03
    • 1000+

      ¥0.94
  • 有货
  • 特性:符合 IEC 60384 14。高可靠性。垂直(直列)扭结或直引脚。单层交流圆盘安全电容器。应用:根据 IEC 60384 14 的 X1、Y1。线对线滤波(X 类)
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.38
    • 30+

      ¥2.09
    • 100+

      ¥1.6856 ¥1.72
    • 500+

      ¥1.5288 ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.4308 ¥1.46
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1
    • 10+

      ¥2.77
    • 30+

      ¥2.61
    • 100+

      ¥2.2936 ¥2.44
    • 500+

      ¥2.209 ¥2.35
    • 1000+

      ¥2.1526 ¥2.29
  • 有货
  • 第三代功率 MOSFET 提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直插引脚版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达 1.5 W。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.11
    • 10+

      ¥2.75
    • 30+

      ¥2.57
    • 75+

      ¥2.39
    • 525+

      ¥2.29
    • 975+

      ¥2.23
  • 有货
  • 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器有一个砷化镓红外二极管发射器,它与一个硅平面光电晶体管探测器进行光耦合,并封装在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。耦合器端部可堆叠,间距为 2.54mm。选项 6 和选项 8 可实现 >8.0mm 的爬电距离和电气间隙。此版本符合 IEC 60950(DIN VDE 0805)标准,适用于高达 400VRMS 或直流的工作电压的加强绝缘。规格可能会有所变化。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥2.45
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.77
    • 500+

      ¥1.6
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 特性:AEC Q200合格(修订版C),最高温度可达105°C。符合IEC 60381 14: AMD1二级B标准,间距≥15mm。THB:40°C / 93%相对湿度,在额定交流电压下持续21天。高温性能,最高可达125°C。应用:标准线路旁路(线与地之间)Y2应用。连续运行的线路旁路应用。适用于标准线路旁路应用(线与地之间)50Hz / 60Hz的Y2电磁干扰抑制,最大市电电压为300VAC
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.27
    • 100+

      ¥1.91
    • 500+

      ¥1.76
  • 有货
  • 特性:高温可达155°C。屏蔽结构。高达1 MHz至2 MHz具有出色的DC/DC能量存储能力。在自谐振频率(SRF)范围内适用于滤波电感应用。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。应用:发动机和变速器控制单元。柴油喷射驱动器
    • 1+

      ¥3.22
    • 10+

      ¥2.51
    • 30+

      ¥2.21
    • 100+

      ¥1.83
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.56
  • 有货
  • 第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。D2PAK (TO-263)是一种表面贴装功率封装,能够容纳高达HEX-4的芯片尺寸。它在任何现有的表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其低内部连接电阻,D2PAK (TO-263)适用于大电流应用,并且在典型的表面贴装应用中可以耗散高达2.0 W的功率。
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.58
    • 50+

      ¥2.29
    • 100+

      ¥1.824 ¥1.92
    • 500+

      ¥1.6625 ¥1.75
    • 1000+

      ¥1.577 ¥1.66
  • 有货
  • 钽电解电容器是在体积效率、稳定的电气参数、高可靠性和长使用寿命是主要考虑因素的应用中的首选。钽/钽氧化物/二氧化锰系统的稳定性和耐高温性,使固体钽电容器成为当今表面贴装组装技术的合适选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.84
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。AEC-Q101合格。100% Rg和UIS测试。符合RoHS指令2002/95/EC
    数据手册
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.95
    • 30+

      ¥2.77
    • 100+

      ¥2.5382 ¥2.59
    • 500+

      ¥2.4304 ¥2.48
    • 1000+

      ¥2.3814 ¥2.43
  • 有货
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