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10uH ±20% 7A

型号：IHLP2525BDER100M01 编号：C506573

封装：SMD,6.9x6.5mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：该封装尺寸下高度最低(2.4mm)。屏蔽结构。频率范围高达5.0MHz。该封装尺寸下具有最低的直流电阻/微亨。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。应用：个人数字助理、笔记本电脑、台式机、服务器应用。高电流负载点转换器

数据手册

1+
￥3.38
10+
￥2.68
30+
￥2.37
100+
￥2
500+
￥1.59
1000+
￥1.49

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30mΩ ±1% 1W

型号：WSL2512R0300FEA 编号：C844697

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证。符合RoHS标准。电阻元件:采用低TCR (<20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。镀锡端子:实心铜,100%锡(最小100 μm),底层为100%镍(最小20 μm)。端子/元件焊接。带油墨印刷的硅胶涂层

1+
￥3.4
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￥3.33
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￥3.29
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￥3.24

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20mΩ ±1% 125mW

型号：WSL0805R0200FEA 编号：C6029728

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证。符合RoHS标准。电阻元件:采用低TCR (<20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。镀锡端子:实心铜,100%锡(最小100 μm),底层为100%镍(最小20 μm)。端子/元件焊接。带油墨印刷的硅胶涂层

1+
￥3.48
10+
￥2.75
30+
￥2.38
100+
￥2.02

有货

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10mΩ ±1% 500mW

型号：WSLP0805R0100FEA 编号：C844293

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：功率与尺寸比高(2512封装为3W,2010封装为2W,1206封装为1W,0805封装为0.5W,0603封装为0.4W)。全焊接结构,适用于各种电流检测、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.0005Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感,为0.5nH至5nH。低热电动势(<3μV/°C)。通过AEC Q200认证。材料分类:如需了解合规定义,请参考相关文档

数据手册

1+
￥3.53
10+
￥3.11
30+
￥2.9
100+
￥2.69
500+
￥2.56

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:58A

型号：SQJ858AEP-T1_GE3 编号：C143688

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。AEC Q101认证。100% Rg和UIS测试

数据手册

1+
￥3.54
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￥2.82
30+
￥2.51
100+
￥2.12
500+
￥1.95
1000+
￥1.84

有货

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10mΩ ±1% 3W

型号：WSR3R0100FEA 编号：C499494

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.001 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。采用固态金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低TCR(<20 ppm/°C)。极低电感:0.5 nH至5 nH。出色的频率响应至50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

1+
￥3.56
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￥2.84
30+
￥2.48
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￥2.13
500+
￥1.91

有货

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光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，低输入电流，半间距SSOP-4迷你扁平封装

型号：VOS628A-3T 编号：C143059

封装：SOIC-4-175mil

品牌：VISHAY(威世)

VOS628A系列采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并采用4引脚、引脚间距为50密耳的迷你扁平封装。其特点是在低输入电流下具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。

数据手册

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￥3.59
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￥2.86
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￥2.49
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￥2.13
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￥1.91
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￥1.8

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3.3uH ±20% 12A

型号：IHLP3232CZER3R3M01 编号：C241866

封装：SMD,8.6x8.2mm

品牌：VISHAY(威世)

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￥3.6
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￥2.93
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￥2.6
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￥1.96

有货

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100mΩ ±1% 500mW

型号：WSL2010R1000FEA 编号：C844284

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有抗硫性,不受高硫环境影响。极低电感,0.5 nH至5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

1+
￥3.81
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￥2.75
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￥2.4
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￥2.19
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￥2.09

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1个P沟道耐压:60V

型号：IRFR9024TRPBF 编号：C500644

封装：DPAK(TO-252)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5W。

数据手册

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￥3.85
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￥2.75
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￥2.38
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￥1.91
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￥1.79

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1个P沟道耐压:150V 电流:1.1A

型号：SI7117DN-T1-GE3 编号：C5754585

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET采用PowerPAK封装。低热阻。低1.07mm外形。应用：DC/DC电源中的有源钳位电路

1+
￥3.85
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￥3.43
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￥3.22
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￥3.02
500+
￥2.9
1000+
￥2.83

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厚膜电阻 10Ω ±1% 1W

型号：CRCW201010R0FKEFHP 编号：C4332954

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

脉冲耐受、高功率厚膜片式电阻器系列是功率测量电子大多数领域的理想选择,在这些领域中,可靠性、稳定性、高额定功率和出色的脉冲负载性能是主要关注点。典型应用包括汽车电器中的电池管理系统。

1+
￥3.85
10+
￥3.14
30+
￥2.79
100+
￥2.44

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厚膜电阻 20MΩ ±1% 500mW

型号：CRMA2010AF20M0FKEF 编号：C2091374

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

特性：AEC-Q200 合格。电压高达 3000 V。具备自动贴片能力。端接方式:提供三面环绕端接或单面端接倒装芯片。提供卷带包装。国际标准尺寸,可定制尺寸。端接材料:标准为镀锡镍阻挡层或镀锡非磁性端接

数据手册

1+
￥3.88
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￥3.12
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￥2.8
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￥2.4
500+
￥2.22
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￥2.11

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1个N沟道耐压:30V 电流:25.4A

型号：SI4160DY-T1-GE3 编号：C2837209

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：笔记本-Vcore低侧-DC/DC

数据手册

1+
￥4.02
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￥3.29
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￥2.92
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￥2.34
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￥2.23

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AC,DC输入隔离电压(rms):5300V

型号：SFH6206-3T 编号：C118295

封装：SMD-4P

品牌：VISHAY(威世)

SFH620A（DIP）和 SFH6206（SMD）具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。这些耦合器采用 GaAs 红外二极管发射器，与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合，并封装在塑料 DIP - 4 或 SMD 封装中。这些耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输

数据手册

1+
￥4.05
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￥3.26
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￥2.86
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￥2.46
500+
￥2.23
1000+
￥2.11

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1mΩ ±1% 9W

型号：WSLP39211L000FEA 编号：C844088

封装：3921

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用,无铅。专有加工技术可生产极低电阻值,低至0.0001 Ω。结构耐硫,不受高硫环境影响。特别挑选和稳定的材料允许高功率额定值(至15 W)。极低电感0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。AEC Q200合格

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1+
￥4.19
10+
￥3.47
30+
￥3.16
100+
￥2.77

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:2.8A

型号：SI4455DY-T1-GE3 编号：C241861

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Power MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：中间DC/DC电源中的有源钳位。照明应用的H桥高端开关

数据手册

1+
￥4.27
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￥3.49
30+
￥3.1
100+
￥2.71
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￥2.48
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￥2.36

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2uH ±20% 14A

型号：IHLP4040DZER2R0M11 编号：C554005

封装：SMD,10.8x10.2mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。频率范围高达1.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的DCR/μH。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,嗡嗡声极低。电感和饱和电流具有出色的温度稳定性。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器

数据手册

1+
￥4.37
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￥3.48
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￥3.04
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￥2.6
500+
￥2.33
1000+
￥2.2

有货

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薄膜电阻 100Ω ±0.1% 250mW

型号：MMA02040E1000BB300 编号：C3983591

封装：0204

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥4.46
10+
￥3.61
30+
￥3.19
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￥2.76

有货

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等级:X1,Y1 4.7nF ±20% 760V

型号：VY1472M61Y5UC6TV0 编号：C3286159

封装：插件,P=10mm

品牌：VISHAY(威世)

电容器由双面镀银的陶瓷圆盘组成。连接引线由直径为 0.6mm 的镀锡铜包钢制成。电容器可提供垂直(直列)弯折引线,引线间距为 10.0mm 或 12.5mm。封装采用符合 UL 94 V-0 的阻燃环氧树脂。

1+
￥4.49
10+
￥3.65
30+
￥3.23
100+
￥2.82
500+
￥2.57

有货

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电压:60V 电流:5.5A

型号：VS-50WQ06FNTR-M3 编号：C468107

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：VISHAY(威世)

VS - 50wQ06FN - M3 表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在 PCB 板上占用空间小的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

数据手册

1+
￥4.65
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￥3.81
30+
￥3.38
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￥2.96
500+
￥2.71
1000+
￥2.58

有货

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电压:200V 电流:15A

型号：V30200C-E3/4W 编号：C500643

封装：TO-220AB-3

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽MOS肖特基技术。低正向压降，低功率损耗。高效运行。低热阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最高峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。焊锡浴温度最高275℃，持续10s，符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。应用：高频转换器。开关电源

数据手册

1+
￥4.77
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￥4.27
50+
￥3.52
100+
￥3.21
500+
￥3.07
1000+
￥3

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1.5uH ±20% 11A

型号：IHLP2020CZER1R5M01 编号：C845001

封装：2020

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。频率范围高达5.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。电感和饱和具有出色的温度稳定性。应用：PDA/笔记本/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器

1+
￥4.8
10+
￥3.98
30+
￥3.57
100+
￥3.16
500+
￥2.61
1000+
￥2.49

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:40A

型号：SQD40N06-14L_GE3 编号：C3291003

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻封装。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101认证

1+
￥4.92
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￥4.41
30+
￥4.16
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￥3.91
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￥3.76
1000+
￥3.68

有货

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6.8uH ±20% 6.7A

型号：IHLP3232DZER6R8M11 编号：C845060

封装：SMD,8.6x8.2mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。高达1MHz至2MHz的出色DC/DC储能。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用。应用：个人数字助理(PDA)/笔记本电脑/台式机/服务器应用

数据手册

1+
￥4.95
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￥4
30+
￥3.52
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￥3.05
500+
￥2.48
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￥2.34

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DC输入隔离电压(rms):4000V

型号：ILD207T 编号：C71049

封装：SO-8-150mil

品牌：VISHAY(威世)

是由砷化镓红外 LED 和硅 NPN 光电晶体管组成的光耦合对。该器件可传输包括直流电平的信号信息，同时在输入和输出之间保持高度的电气隔离。采用标准 SOIC-8 小外形封装，适用于空间有限的高密度应用。这种封装不仅无需通孔，还符合表面贴装器件的标准。指定的最小和最大电流传输比（CTR）允许相邻电路的电气设计具有较窄的容差。70V 的高集电极-发射极击穿电压（BVCEO）比 30V 的行业标准提供了更高的安全裕度。

数据手册

1+
￥5.04
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￥4.11
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￥3.65
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￥3.19
500+
￥2.55
1000+
￥2.41

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电压:60V 电流:6A

型号：VS-12CWQ06FNTR-M3 编号：C467004

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

表面贴装、中心抽头的肖特基整流器系列，专为需要低正向压降和小 PCB 板占位面积的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反向保护。

数据手册

1+
￥5.61
10+
￥4.61
30+
￥4.11
100+
￥3.61
500+
￥3.08
1000+
￥2.92

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1mΩ ±1% 1W

型号：WSL20101L000FEA18 编号：C844486

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各种电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构耐硫,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证

数据手册

1+
￥5.63
10+
￥4.49
30+
￥3.91
100+
￥3.34
500+
￥3

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绕线电阻 5Ω ±1% 1W

型号：WSC25155R000FEA 编号：C844272

封装：2515

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构。模压封装。无铅卷绕式终端。在不同环境条件下具有出色的稳定性。高功率额定值(高达3W)。卓越的浪涌能力。提供采用艾尔顿佩里绕组的无感式型号(WSN代替WSC,最大电阻为WSC范围的一半)。通过AEC Q200认证。材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档

数据手册

1+
￥5.83
10+
￥4.76
30+
￥4.22
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￥3.69
500+
￥3.38
1000+
￥3.21

有货

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低功耗、高压单刀单掷模拟开关

型号：DG447DV-T1-E3 编号：C143710

封装：TSOP-6

品牌：VISHAY(威世)

DG447、DG448 是双电源单刀单掷（SPST）开关。在指定的模拟信号范围内，导通电阻最大为 25 Ω，平坦度最大为 2.2 Ω。

1+
￥5.87
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￥5.28
30+
￥4.96
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￥4.59
500+
￥4.42
1000+
￥4.35

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
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严控渠道

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