威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SIR466DP-T1-GE3 编号：C466991

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换器。低边开关

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￥3.31
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￥2.99
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￥2.83
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￥2.68
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￥2.58
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￥2.53

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型号：SQ2337ES-T1_BE3 编号：C3280173

封装：SOT-23-3(TO-236-3)

品牌：VISHAY(威世)

特性：SOT-23 (TO-236)封装。 TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试

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￥1.9095 ￥2.01
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￥1.748 ￥1.84
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￥1.6625 ￥1.75

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型号：V20PW45-M3/I 编号：C188622

封装：TO-252-2

品牌：VISHAY(威世)

特性：非常低的外形。典型高度为1.3mm。沟槽MOS肖特基技术。适合自动贴装。正向压降低，功率损耗低。高效运行。应用：用于低压高频DC/DC转换器、续流二极管和极性保护应用

数据手册

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￥2.82
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￥2.64
500+
￥2.07
1000+
￥2.01

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型号：IHLP3232CZER3R3M01 编号：C241866

封装：SMD,8.6x8.2mm

品牌：VISHAY(威世)

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￥3.45
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￥1.7195 ￥1.81

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型号：TNPW0805499KBEEN 编号：C1356663

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%RH)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性(≤0.05%;70°C下额定功率1000h)。通过AEC Q200认证。单批次日期代码(可选)。根据ASTM B 809验证的耐硫性。应用：汽车。工业设备。测试和测量设备。医疗设备

数据手册

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￥2.0544 ￥2.14
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￥1.4784 ￥1.54

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型号：TEMD6200FX01 编号：C499517

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

TEMD6200FX01 是一款采用微型扁平塑料封装的高速、高灵敏度 PIN 光电二极管。其光谱灵敏度与人眼高度匹配。

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￥3.52
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￥2.0286 ￥2.07
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￥1.7052 ￥1.74

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型号：SL44-E3/57T 编号：C506645

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：VISHAY(威世)

特性：低外形封装，适合自动贴装。有过压保护的保护环。低功率损耗，高效率。极低的正向压降。高浪涌能力。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃。应用：低压高频逆变器。续流

数据手册

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￥2.8
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500+
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￥1.75

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型号：SI4459ADY-T1-GE3 编号：C143743

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-29A,0.005Ω@-10V

数据手册

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￥3.68
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￥3.3
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￥3.12
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￥2.93
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￥2.57

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型号：WSR32L000FEA 编号：C844091

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各类无铅电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至 0.001 Ω),符合 RoHS 标准。结构耐硫,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR(<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。出色的频率响应至 50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证

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￥3.71
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￥2.1952 ￥2.24
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￥1.9796 ￥2.02
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￥1.862 ￥1.9

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型号：TNPW06031K00BEEN 编号：C2076063

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%RH)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性(≤0.05%;70°C下额定功率1000h)。通过AEC Q200认证。单批次日期代码(可选)。根据ASTM B 809验证的耐硫性。应用：汽车。工业设备。测试和测量设备。医疗设备

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￥2.116 ￥2.3
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型号：WSR3R0300FEA 编号：C844300

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各类无铅电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至 0.001 Ω),符合 RoHS 标准。结构耐硫,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR(<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。出色的频率响应至 50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证

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￥3.7338 ￥3.81
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￥2.9988 ￥3.06
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型号：IRFL014TRPBF 编号：C428746

封装：SOT-223

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。SOT-223封装设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。其独特的封装设计允许像其他SOT或SOIC封装一样轻松自动拾放，并且由于用于散热的加大焊片，具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功率耗散可能超过1.25W。

数据手册

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￥3.8
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￥2.78
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￥2.04

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型号：CRCW201010R0FKEFHP 编号：C4332954

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

脉冲耐受、高功率厚膜片式电阻器系列是功率测量电子大多数领域的理想选择,在这些领域中,可靠性、稳定性、高额定功率和出色的脉冲负载性能是主要关注点。典型应用包括汽车电器中的电池管理系统。

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￥3.85
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￥3.14
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￥2.44

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型号：CMA02040X1001FB300 编号：C31841226

封装：MELF-0204

品牌：VISHAY(威世)

适用于汽车以太网共模端接的专业MELF电阻器的生产受到严格控制,并遵循一套广泛的指令以确保可重复性。在高级别陶瓷体(85% Al2O3)上沉积均匀致密的碳膜。镀镍钢端帽牢固地压在涂层棒上。使用特殊激光在电阻层上平滑切割螺旋槽以达到目标值,而不损坏陶瓷。电阻器覆盖有保护性涂层,用于电气、机械和气候保护。端接进行最后的纯哑光镀锡

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￥3.92
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￥2.02

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型号：VSMB1940X01 编号：C3151600

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

是一款采用 GaAlAs 双异质结技术的 940 nm 红外发射二极管，具有高辐射功率和高速度，采用透明、无色的 0805 塑料封装，适用于表面贴装（SMD）。

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￥2.548 ￥2.6
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￥2.0776 ￥2.12
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￥1.96 ￥2

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型号：SI4288DY-T1-GE3 编号：C506588

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% RG 和 UHS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：CCFL 逆变器。 DC/DC 转换器

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￥4.14
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￥3.49
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￥3.0738 ￥3.27
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￥2.961 ￥3.15
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￥2.8952 ￥3.08

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型号：SI7149ADP-T1-GE3 编号：C554002

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，低导通电阻，低压降。扩展的VGS最大额定值：25V。 100% Rg和UIS测试。应用：电池、负载和适配器开关。笔记本电脑

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￥4.14
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￥3.36
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￥2.98
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型号：AC03000001500JAC00 编号：C1368534

封装：插件,D4.8xL13mm

品牌：VISHAY(威世)

适用于通用电源应用。AEC Q200认证的系列最适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。

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￥4.14
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￥3.36
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￥2.97
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￥2.58

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型号：SI7111EDN-T1-GE3 编号：C5690133

封装：PowerPAK-1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 RDS(on) 额定值在 VGS =-2.5V。 100% Rg 和 UIS 测试。典型 ESD 保护：4600 V HBM。材料分类：有关合规类别的定义，请参阅相关文档。应用：电池开关。适配器和充电器开关

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￥4.22
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￥2.55
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￥2.3
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￥2.17

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型号：SIRA00DP-T1-GE3 编号：C141540

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：同步整流。 ORing

数据手册

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￥4.24
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￥3.82
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￥3.2054 ￥3.41
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￥2.8012 ￥2.98
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￥2.7354 ￥2.91

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型号：SQJ147ELP-T1_GE3 编号：C3289468

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，符合AEC-Q101标准。 100%进行Rg和UIS测试

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￥4.25
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1000+
￥3.05

有货

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型号：SIS407DN-T1-GE3 编号：C506608

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。材料分类：如需了解合规定义，请参阅相关文档。应用：负载开关。电池开关

数据手册

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￥4.26
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￥2.5745 ￥2.71
500+
￥2.356 ￥2.48
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￥2.242 ￥2.36

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型号：SI7119DN-T1-GE3 编号：C540964

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。低热阻 PowerPAK 封装，尺寸小，厚度仅 1.07 mm。 100% 进行 UIS 和 Rg 测试。应用：中间 DC/DC 电源中的有源钳位

数据手册

1+
￥4.45
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￥3.6
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￥3.17
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￥2.6675 ￥2.75
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￥2.4153 ￥2.49
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￥2.2892 ￥2.36

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型号：SIS862ADN-T1-GE3 编号：C3289417

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。非常低的RDS × Qg品质因数 (FOM)。针对最低的RDS × Qoss FOM进行了调整。 100% Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

1+
￥4.46
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￥4.01
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￥3.79
100+
￥3.57
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￥3.15
1000+
￥3.08

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型号：VSMY14940 编号：C511069

封装：SMD,3x2.5mm

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM系列产品的一部分，VSMY14940是一款940 nm红外侧发光二极管，基于GaAlAs表面发射芯片技术，具有极高的辐射强度、高光功率和高速度。它采用透明无色的基于PCB的封装（带透镜）进行模塑，适用于表面贴装（SMD）。

数据手册

1+
￥4.78
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￥3.8
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￥3.32
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￥2.83
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￥2.54
1500+
￥2.4

有货

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型号：SQJ486EP-T1_GE3 编号：C727780

封装：PowerPAK-SO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试

数据手册

1+
￥4.99
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￥4.48
30+
￥4.2
100+
￥3.88
500+
￥3.74
1000+
￥3.68

有货

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型号：SQ4937EY-T1_GE3 编号：C727700

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET。100% Rg 和 UIS 测试。AEC-Q101 认证。符合 RoHS 指令 2002/95/EC

数据手册

1+
￥5.06
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￥4.54
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￥3.8514 ￥3.93
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￥3.7044 ￥3.78
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￥3.6358 ￥3.71

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型号：AC05000001008JAC00 编号：C3416282

封装：插件,D7.5xL18mm

品牌：VISHAY(威世)

适合通用电源应用。AEC Q200合格的AC AT系列最适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。典型应用包括但不限于电表、电源和汽车电子。

1+
￥5.08
10+
￥4.07
30+
￥3.56
100+
￥3.06
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￥2.76

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型号：WSHM28185L000FEA 编号：C499552

封装：2818

品牌：VISHAY(威世)

特性：改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术,可生产极低的电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (< 5 nH)。采用低TCR (< 20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

1+
￥5.1
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￥4.38
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￥4.02
100+
￥3.4865 ￥3.67
500+
￥3.2775 ￥3.45
1000+
￥3.173 ￥3.34

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型号：T55B227M6R3C0025 编号：C2158095

封装：CASE-B-3528-21(mm)

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥5.39
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￥4.46
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￥4
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￥3.54
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