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特性:屏蔽结构。在此封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。高达1 MHz至2 MHz的出色DC/DC能量存储。高达自谐振频率(SRF)的滤波电感应用(参见“标准电气规格”表)。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器
数据手册
  • 1+

    ¥3.54
  • 10+

    ¥2.83
  • 30+

    ¥2.53
  • 100+

    ¥2.15
  • 500+

    ¥1.98
  • 1000+

    ¥1.88
  • 有货
  • 薄型迷你扁平封装包含一个具有交流输入和晶体管输出的光耦合器。它有单通道(4引脚)或四通道(16引脚)可选。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥2.99
    • 30+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥1.3916 ¥1.42
    • 500+

      ¥1.2642 ¥1.29
    • 1000+

      ¥1.1858 ¥1.21
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 低导通电阻。 100% Rg测试。应用:DC/DC转换器。 高速开关
    • 1+

      ¥3.57
    • 10+

      ¥2.82
    • 30+

      ¥2.5
    • 100+

      ¥2.058 ¥2.1
    • 500+

      ¥1.8914 ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.7836 ¥1.82
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有抗硫性,不受高硫环境影响。极低电感,0.5 nH至5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证
    数据手册
    • 1+

      ¥3.63
    • 10+

      ¥2.92
    • 30+

      ¥2.57
    • 100+

      ¥2.109 ¥2.22
    • 500+

      ¥1.919 ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.8145 ¥1.91
  • 有货
  • 特性:4 端子设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现低电阻值。采用低 TCR(< 20 ppm/°C)的实心金属镍铬和锰铜合金电阻元件。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。低热电动势(< 3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥3.66
    • 10+

      ¥2.94
    • 30+

      ¥2.57
    • 100+

      ¥2.21
    • 500+

      ¥2
    • 1000+

      ¥1.89
  • 有货
  • 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21标准。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用:笔记本电脑。 系统电源
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.65
    • 100+

      ¥2.07 ¥2.25
    • 500+

      ¥1.9044 ¥2.07
    • 1000+

      ¥1.8032 ¥1.96
  • 有货
  • P沟道,-150V,-8.9A,0.295Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.92
    • 100+

      ¥2.5186 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.0972 ¥2.14
    • 1000+

      ¥1.9894 ¥2.03
  • 有货
  • 特性:4 端子设计。全焊接结构,适用于各类电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现低电阻值。采用低 TCR(< 20 ppm/°C)的实心金属镍铬和锰铜合金电阻元件。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。低热电动势(< 3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

      ¥2.96
    • 100+

      ¥2.4795 ¥2.61
    • 500+

      ¥1.8905 ¥1.99
    • 1000+

      ¥1.786 ¥1.88
  • 有货
  • 适合通用电源应用。AEC Q200合格的AC AT系列最适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。典型应用包括但不限于电表、电源和汽车电子。
    • 1+

      ¥4.08
    • 10+

      ¥3.28
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.4304 ¥2.48
    • 500+

      ¥2.1952 ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.0776 ¥2.12
  • 有货
  • 这些产品是用于红外遥控系统的小型化红外接收模块。PIN二极管和前置放大器组装在引线框架上,环氧封装包含红外滤波器。解调后的输出信号可直接连接到微处理器进行解码。TSOP384系列器件经过优化,可抑制来自节能灯具(如CFL)的几乎所有杂散脉冲。TSOP384系列中使用的AGC4可能会抑制一些数据信号。TSOP382系列主要用于与旧的AGC2设计兼容。新设计应优先选择包含较新AGC4的TSOP384系列。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.34
    • 30+

      ¥2.91
    • 250+

      ¥2.49
    • 500+

      ¥2.23
    • 1000+

      ¥2.1
  • 有货
  • 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%经过T_Hg和IHS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:POL。 同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.3
    • 100+

      ¥2.7835 ¥2.93
    • 500+

      ¥2.3465 ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.242 ¥2.36
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Power MOSFET-PowerPAK 封装。 低热阻,RthJC。 低 1.07 mm 外形。 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 UIS 测试
    数据手册
    • 1+

      ¥4.51
    • 10+

      ¥3.59
    • 30+

      ¥3.12
    • 100+

      ¥2.67
    • 500+

      ¥2.39
    • 1000+

      ¥2.25
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 材料分类:有关合规性定义,请参阅相关文档。应用:负载开关。 电机驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥4.76
    • 10+

      ¥4.29
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.7436 ¥3.82
    • 500+

      ¥3.1458 ¥3.21
    • 1000+

      ¥3.0772 ¥3.14
  • 有货
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      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.09
    • 30+

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      ¥3.12
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      ¥2.83
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      ¥2.68
  • 有货
  • 第三代功率MOSFET采用先进的处理技术,以实现每硅面积的低导通电阻。结合功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于各种应用。DPAK设计用于使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装。直引脚版本(IRFU/SiHFU系列)用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5W。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
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      ¥4.1
    • 30+

      ¥3.55
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      ¥3.01
    • 500+

      ¥2.69
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • 适用于通用电源应用。符合AEC Q200标准的系列非常适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。典型应用包括但不限于电表、电源和汽车电子。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.19
    • 10+

      ¥4.22
    • 30+

      ¥3.73
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      ¥3.0875 ¥3.25
    • 500+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 1000+

      ¥2.489 ¥2.62
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 材料分类:有关合规性定义请参阅相关文档
    数据手册
    • 1+

      ¥5.33
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      ¥4.85
    • 30+

      ¥4.59
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      ¥4.0326 ¥4.29
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      ¥3.9104 ¥4.16
    • 1000+

      ¥3.854 ¥4.1
  • 有货
  • 特性:氧化铝基板搭配镍基PTC薄膜元件。 提供0603、0805和1206尺寸。 采用卷带包装。 标准R₂₅公差:±0.5%、±1%、±5%。 工作温度范围:-55℃至+150℃。 在整个温度范围内具有高稳定性。应用:汽车。 电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.34
    • 10+

      ¥4.28
    • 30+

      ¥3.75
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      ¥3.22
    • 500+

      ¥2.91
    • 1000+

      ¥2.75
  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围高达 1.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的 DCR/μH。能够处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。电感和饱和具有出色的温度稳定性。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点 (POL) 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.88
    • 10+

      ¥4.69
    • 30+

      ¥4.1
    • 100+

      ¥3.51
    • 500+

      ¥3.16
  • 有货
    • 1+

      ¥5.94
    • 10+

      ¥5.34
    • 30+

      ¥5
    • 100+

      ¥4.5276 ¥4.62
    • 500+

      ¥4.3708 ¥4.46
    • 1000+

      ¥4.2924 ¥4.38
  • 有货
  • P沟道,-200V,-3.5A,1.5Ω@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥4.9
    • 50+

      ¥4.09
    • 100+

      ¥3.4888 ¥3.56
    • 500+

      ¥3.1752 ¥3.24
    • 1000+

      ¥3.0184 ¥3.08
  • 有货
  • 特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。应用:高频DC/DC转换器。 开关电源
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.91
    • 50+

      ¥4.36
    • 100+

      ¥3.6195 ¥3.81
    • 500+

      ¥3.306 ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.1445 ¥3.31
  • 有货
  • 特性:改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各类电流传感、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可实现极低电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (< 5 nH)。采用低 TCR (< 20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过 AEC-Q200 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥6.25
    • 10+

      ¥5.75
    • 30+

      ¥5.48
    • 100+

      ¥5.0666 ¥5.17
    • 500+

      ¥3.4104 ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.3516 ¥3.42
  • 有货
  • 特性:提供无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。应用:同步整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.29
    • 10+

      ¥5.1
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥3.8318 ¥3.91
    • 500+

      ¥3.4888 ¥3.56
    • 1000+

      ¥3.3124 ¥3.38
  • 有货
  • 特性:屏蔽结构。频率范围高达1.0 MHz。在该封装尺寸中,具有最低的DCR/μH。能够承受高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,具有超低嗡嗡声。电感和饱和电流具有出色的温度稳定性。应用:PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.33
    • 10+

      ¥5.04
    • 30+

      ¥4.4
    • 100+

      ¥3.76
    • 500+

      ¥3.37
  • 有货
  • 特性:无卤,符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET 封装,热阻低。100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。AEC-Q101 合格
    数据手册
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥5.23
    • 30+

      ¥4.64
    • 100+

      ¥3.8475 ¥4.05
    • 500+

      ¥3.515 ¥3.7
    • 1000+

      ¥3.344 ¥3.52
  • 有货
  • 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UUS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:DC/DC转换器。 固定电信
    数据手册
    • 1+

      ¥6.76
    • 10+

      ¥6.07
    • 30+

      ¥5.69
    • 100+

      ¥5.1548 ¥5.26
    • 500+

      ¥4.9686 ¥5.07
    • 1000+

      ¥4.8804 ¥4.98
  • 有货
  • P沟道,-100V,-19A
    数据手册
    • 1+

      ¥6.82
    • 10+

      ¥5.6
    • 50+

      ¥4.56
    • 100+

      ¥3.8808 ¥3.96
    • 500+

      ¥3.528 ¥3.6
    • 1000+

      ¥3.3418 ¥3.41
  • 有货
  • 特性:全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可产生极低的电阻值,低至 0.0001 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。特别选择和稳定的材料允许高功率额定值(至 15 W)。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证
    数据手册
    • 1+

      ¥7.3
    • 10+

      ¥6.04
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.3415 ¥4.57
    • 500+

      ¥4.009 ¥4.22
    • 1500+

      ¥3.857 ¥4.06
  • 有货
  • VCNL4035X01将一个接近传感器(PS)、环境光传感器(ALS)、一个多路复用器和一个最多可驱动3个外部红外发射二极管(IRED)/发光二极管(LED)的驱动器集成到一个小型封装中。它通过CMOS工艺将光电二极管、放大器和模数转换电路集成到单芯片中。16位高分辨率的环境光传感器具备出色的感应能力,有足够的选项可满足大多数应用需求,无论是采用深色还是高透明度的透镜设计
    数据手册
    • 1+

      ¥7.41
    • 10+

      ¥6.67
    • 30+

      ¥6.26
    • 100+

      ¥5.51 ¥5.8
    • 500+

      ¥5.32 ¥5.6
    • 1000+

      ¥5.225 ¥5.5
  • 有货
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