威世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI7489DP-T1-GE3 编号：C499484

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 61249-2-21 的无卤产品。TrenchFET 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥9.41
10+
￥8.64
30+
￥8.16
100+
￥7.67
500+
￥7.45
1000+
￥7.35

有货

立即购买

型号：WSHP2818R0500FEA 编号：C4112860

封装：2818

品牌：VISHAY(威世)

特性：改进的热管理设计。全焊接结构,适用于各种无铅电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术,可实现极低的电阻值。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感 (<5 nH)。低热电动势 (<3 μV/°C)。采用低 TCR (<20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。通过 AEC Q200 认证

1+
￥9.8
10+
￥8.08
30+
￥7.13
100+
￥6.06
500+
￥5.58
1000+
￥5.37

有货

立即购买

型号：NTHS1206N02N1002JE 编号：C3008884

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：标准尺寸提供扩展电阻值。环绕式镍阻挡层终端，100%镀锡。带玻璃涂层的高密度单片结构。应用：工业、电信和消费应用中的温度传感、保护和补偿。示例包括: -电池充电器

数据手册

1+
￥10.17
10+
￥8.57
30+
￥7.57
100+
￥6.55
500+
￥6.09
1000+
￥5.89

有货

立即购买

型号：SQD40P10-40L_GE3 编号：C141570

封装：TO-252

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。低热阻封装。通过 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 USI 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC

数据手册

1+
￥10.21
10+
￥8.49
30+
￥7.54
100+
￥6.48
500+
￥6
1000+
￥5.79

有货

立即购买

型号：DG419BDQ-T1-E3 编号：C2673354

封装：MSOP-8

品牌：VISHAY(威世)

高精度、低功耗、高速度、低导通电阻和小体积，适用于便携式和电池供电的工业。

数据手册

1+
￥10.37
10+
￥8.72
30+
￥7.69
100+
￥6.5072 ￥6.64
500+
￥6.0368 ￥6.16
1000+
￥5.8408 ￥5.96

有货

立即购买

型号：WSLP27261L000FEA 编号：C500635

封装：2726

品牌：VISHAY(威世)

特性：高功率与占位尺寸比。全焊接结构,适用于各类电流检测、电压分压和脉冲应用。专有处理技术可产生极低的电阻值,低至 0.0002 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。特殊选择和稳定的材料允许高功率额定值(高达 7 W)。固体金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR (< 20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。AEC Q200 合格

数据手册

1+
￥10.51
10+
￥8.88
30+
￥7.87
100+
￥6.6934 ￥6.83
500+
￥6.2328 ￥6.36
1500+
￥6.027 ￥6.15

有货

立即购买

型号：SIR570DP-T1-RE3 编号：C3279563

封装：PowerPAK-SO-8

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥11.7
10+
￥10.03
30+
￥8.99
100+
￥7.91
500+
￥7.43

有货

立即购买

型号：FC0402E50R0BST1 编号：C2073810

封装：0402

品牌：VISHAY(威世)

特性：小标准尺寸0402外壳尺寸。边缘修整块状电阻器。高纯度氧化铝基板。欧姆范围:10 Ω至1000 Ω。小内部电抗:< 10 mΩ。低TCR:低至± 25 ppm/°C。应用：低噪声放大器。衰减

数据手册

1+
￥11.95
10+
￥9.99
30+
￥8.76
100+
￥7.5
500+
￥6.93

有货

立即购买

型号：PNM0603E5001BST5 编号：C2073723

封装：0603

品牌：VISHAY(威世)

这些器件消除了会干扰磁场应用的材料,如在MRI磁共振成像机器中。采用非磁性材料精心设计,消除杂散磁场对电路性能的影响,从而简化屏蔽要求,并提高音频应用中的音质。提供无磁场失真的信号调理。

数据手册

1+
￥12.24
10+
￥10.28
30+
￥9.05
100+
￥7.79

有货

立即购买

型号：TSMP95000TR 编号：C20593617

封装：-

品牌：VISHAY(威世)

是一款双透镜小型化传感器，用于接收各种调制红外信号。两个PIN二极管和一个前置放大器组装在引线框架上，环氧封装设计为红外滤波器。调制输出信号载波输出可用于代码学习应用。该组件未通过汽车规格认证。

1+
￥12.5
10+
￥10.49
30+
￥9.24
100+
￥7.96
500+
￥7.38
1000+
￥7.13

有货

立即购买

型号：CRHV1206AF1G00FKE5 编号：C844672

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥13.32
10+
￥11.45
30+
￥10.29
100+
￥9.09

有货

立即购买

型号：WSLP2726L2000FEA 编号：C1518132

封装：2726

品牌：VISHAY(威世)

特性：高功率与尺寸比。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值,低至 0.0002 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。特殊选择和稳定的材料允许高功率额定值(高达 12 W)。固体金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR (< 20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。低热 EMF (< 3 μV/°C)。AEC Q200 合格

数据手册

1+
￥14.14
10+
￥12.94
30+
￥12.19
100+
￥11.42
500+
￥11.08
1500+
￥10.93

有货

立即购买

型号：SIR510DP-T1-RE3 编号：C3289516

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen V功率MOSFET。极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100%进行Rg和UIS测试

1+
￥15.12
10+
￥12.82
30+
￥11.38
100+
￥9.9
500+
￥9.23
1000+
￥8.94

有货

立即购买

型号：ORNTA5001AT1 编号：C5703144

封装：SOIC-8

品牌：VISHAY(威世)

电阻网络具有4个隔离电阻或7个总线电阻,标准引脚间距为50密耳。该网络具有紧密的TCR跟踪和严格的比率公差,非常适合单位增益运算放大器电路。提供的标准电阻可立即供货。

1+
￥19.83
10+
￥16.95
30+
￥15.24
100+
￥13.51
500+
￥12.71

有货

立即购买

型号：SQJ461EP-T1_GE3 编号：C3279500

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

1+
￥20.27
10+
￥17.28
30+
￥15.4
100+
￥13.48
500+
￥12.61
1000+
￥12.24

有货

立即购买

型号：SUM70101EL-GE3 编号：C5156028

封装：TO-263

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。最高结温175℃。低RDS(on)，可最大程度降低传导功率损耗。与逻辑电平栅极驱动兼容。 100%汞和UIs测试。应用：电池保护。电机驱动控制

数据手册

1+
￥25.37
10+
￥22.08
30+
￥18.36
100+
￥16.39
500+
￥15.48

有货

立即购买

型号：SIC471ED-T1-GE3 编号：C2071666

封装：MLP55-27L(5x5)

品牌：VISHAY(威世)

SiC47x 是一系列宽输入电压、高效同步降压稳压器，集成了高端和低端功率 MOSFET。其功率级能够在高达 2 MHz 的开关频率下提供高连续电流。该稳压器可从 4.5 V 至 55 V 的输入轨产生低至 0.8 V 的可调输出电压，以适应各种应用，包括计算机、消费电子、电信和工业领域

1+
￥36.62
10+
￥32.2
30+
￥29.58
100+
￥24.78

有货

立即购买

型号：MPMT2002AT1 编号：C1731026

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

提供 ±2 ppm/°C 跟踪和低至 0.01% 的比率公差,尺寸小,适用于所有表面贴装应用。标准 SOT 23 封装格式,具有统一和常见的标准电阻分压器比率,便于大多数需要匹配电阻元件的应用进行选择。

数据手册

1+
￥41.04
10+
￥34.81
30+
￥31.01

有货

立即购买

型号：Y145315K0000T9L 编号：C1476783

封装：插件

品牌：VISHAY(威世)

Bulk Metal Foil电阻基于特殊的热金属应力概念,将专有块状金属冷轧箔粘合到陶瓷基板上,然后光刻成电阻图案,再进行激光调整以达到所需的阻值和公差。由于制造过程中使用的金属未经过拉伸、缠绕或不当处理,因此该电阻能保持其设计、物理和电气特性。Z Foil电阻实现了最大稳定性和接近零的TCR,这些性能特性内置于每个单元中,不依赖筛选或其他人为手段来实现均匀性能。Vishay Foil Resistors的Z Foil技术使块状金属箔元件对温度变化(包括外部和内部)的敏感性降低了一个数量级,该技术的典型TCR为±0.2 ppm/°C(军用范围:-55°C至+125°C,参考温度+25°C),额定功率下的PCR为5 ppm

数据手册