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描述

价格(含税)

库存

操作

薄膜电阻 200Ω ±0.1% 200mW

型号：TNPW0805200RBEEA 编号：C844464

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：卓越的耐湿性(85°C;85%相对湿度)。在不同环境条件下具有出色的整体稳定性 ≤ 0.05%(70°C下额定功率1000小时)。通过AEC Q200认证。可选单批次日期代码。经过ASTM B 809验证的先进抗硫性。材料分类:有关合规性定义请参考相关文档。应用：汽车。工业设备

数据手册

5+
￥1.9317
50+
￥1.5033
150+
￥1.3197
500+
￥0.98154 ￥1.0906

有货

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330kΩ 210mW

型号：NTCS0805E3334JHT 编号：C7509626

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

尺寸为 0805（M2012）的玻璃保护贴片式负温度系数热敏电阻，引脚采用哑光镀锡（Sn）工艺，器件无标记。

5+
￥1.9641
50+
￥1.5371
150+
￥1.354
500+
￥1.1257
2500+
￥1.024
4000+
￥0.963

有货

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汽车级P沟道60 V（D-S）、175 °C MOSFET

型号：SQ2361CEES-T1_GE3 编号：C29267586

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试

5+
￥2.0395
50+
￥1.6097
150+
￥1.4255
500+
￥1.171688 ￥1.1956
3000+
￥1.071434 ￥1.0933
6000+
￥1.011262 ￥1.0319

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:0.96A

型号：IRFL210TRPBF 编号：C3289914

封装：SOT-223

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。SOT - 223封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。其独特的封装设计使其能像其他SOT或SOIC封装一样便于自动拾放，此外，由于散热片的焊片增大，还具有改善热性能的优势

1+
￥2.09
10+
￥1.84
30+
￥1.73
100+
￥1.5582 ￥1.59
500+
￥1.4308 ￥1.46
1000+
￥1.3916 ￥1.42

有货

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1mΩ ±1% 5W

型号：WSLF25121L000FEA 编号：C844907

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。采用实心金属镍铬、锰铜、无铅或锰铜锡合金电阻元件,低TCR(<20 ppm/°C)。专有加工技术,可实现极低的电阻值,低至0.0003 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感(<2 nH)。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证

5+
￥2.1693
50+
￥1.7409
150+
￥1.5573
500+
￥1.1073
2500+
￥1.0053

有货

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500mΩ ±1% 1W

型号：WSL2010R5000FEA18 编号：C844288

封装：2010

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可生产极低电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势 (< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

5+
￥2.1881
50+
￥1.7093
150+
￥1.5041
500+
￥1.21056 ￥1.248
2500+
￥1.09998 ￥1.134
4000+
￥1.033632 ￥1.0656

有货

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绕线电阻 1Ω ±5% 3W

型号：AC03000001008JAC00 编号：C1884630

封装：插件,D4.8xL13mm

品牌：VISHAY(威世)

适合用于通用电源应用。AEC Q200 认证的系列非常适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。典型应用包括但不限于电表、电源和汽车电子。有各种引线形式可供选择,如 RT(径向带式)、WSZ(Z 形)、DK(双弯折)、EK(单弯折),并具有规定的安装间距。

数据手册

5+
￥2.2334
50+
￥1.7798
150+
￥1.5854
500+
￥1.3429
2500+
￥1.2349

有货

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1个P沟道耐压:150V 电流:0.69A

型号：SI2325DS-T1-GE3 编号：C60773

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-150V

数据手册

1+
￥2.37
10+
￥2.08
30+
￥1.96
100+
￥1.7014 ￥1.81
500+
￥1.6356 ￥1.74
1000+
￥1.598 ￥1.7

有货

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薄膜电阻 20kΩ ±0.1% 250mW

型号：MMA02040D2002BB300 编号：C2084015

封装：MELF-0204

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合EN 140401 803认证,通过AEC Q200认证。先进的金属膜技术。卓越的稳定性:0.05级。固有耐硫性。应用：汽车。电信

数据手册

1+
￥2.37
10+
￥1.86
30+
￥1.64
100+
￥1.3015 ￥1.37
500+
￥1.1875 ￥1.25
1000+
￥1.121 ￥1.18

有货

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50mΩ ±1% 1W

型号：WSLP1206R0500FEA 编号：C844912

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

数据手册

1+
￥2.39
10+
￥1.84
30+
￥1.61
100+
￥1.32
500+
￥1.19
1000+
￥1.11

有货

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薄膜电阻 1kΩ ±0.1% 250mW

型号：MMA02040E1001BB300 编号：C1778797

封装：MELF-0204

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合EN 140401 803认证,通过AEC Q200认证。先进的金属膜技术。卓越的稳定性:0.05级。固有耐硫性。应用：汽车。电信

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.94
30+
￥1.71
100+
￥1.4014 ￥1.43
500+
￥1.274 ￥1.3
1000+
￥1.1956 ￥1.22

有货

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绕线电阻 220Ω ±5% 3W

型号：AC03000002200JAC00 编号：C1364219

封装：插件,D4.8xL13mm

品牌：VISHAY(威世)

适用于通用电源应用。AEC Q200认证的系列最适合汽车应用。坚固的有机硅水泥涂层可以应对具有挑战性的环境和工作条件。

数据手册

1+
￥2.48
10+
￥1.98
30+
￥1.76
100+
￥1.49
500+
￥1.37

有货

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等级:X2 0.1uF ±20% 310V

型号：BFC233820104 编号：C3000883

封装：插件,P=10mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：7.5 mm 至 27.5 mm 引脚间距。散装于盒中,卷带包装。应用：标准跨线 X2 应用

数据手册

5+
￥2.4887
50+
￥1.8394
150+
￥1.5611
750+
￥1.214
2250+
￥1.0594

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:14.9A

型号：SI4825DDY-T1-GE3 编号：C143671

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：负载开关。笔记本适配器开关

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.02
30+
￥1.79
100+
￥1.51
500+
￥1.38
1000+
￥1.3

有货

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10uH ±20% 4A

型号：IHLP2020CZER100M01 编号：C844996

封装：SMD,5.2x5.2mm

品牌：VISHAY(威世)

特性：屏蔽结构。频率范围高达5.0 MHz。在该封装尺寸中具有最低的DCR/μH。能处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,嗡嗡声极低。电感和饱和具有出色的温度稳定性。应用：PDA/笔记本电脑/台式机/服务器应用。高电流负载点(POL)转换器

数据手册

1+
￥2.63
10+
￥2.33
30+
￥2.18
100+
￥1.9992 ￥2.04
500+
￥1.911 ￥1.95
1000+
￥1.862 ￥1.9

有货

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停产带中断功能、红外发射管和I2C接口的接近传感器

型号：VCNL36821S 编号：C1850419

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

I2C接口接近传感器与中断，IRED

数据手册

1+
￥2.92
500+
￥2.62

有货

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200V 2A

型号：BYV27-200-TR 编号：C968555

封装：SOD-57

品牌：VISHAY(威世)

特性：可控雪崩特性。低正向电压。超快速恢复时间。玻璃钝化结。密封封装。应用：非常快速的整流二极管，例如用于开关电源

数据手册

1+
￥2.992 ￥3.74
10+
￥2.424 ￥3.03
30+
￥2.184 ￥2.73
100+
￥1.88 ￥2.35
500+
￥1.744 ￥2.18
1000+
￥1.664 ￥2.08

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:5.1A

型号：IRFR9014TRPBF 编号：C143746

封装：DPAK(TO-252)

品牌：VISHAY(威世)

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。DPAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插式版本（IRFU、SiHFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5 W。

数据手册

1+
￥3.02
10+
￥2.39
30+
￥2.12
100+
￥1.7542 ￥1.79
500+
￥1.568 ￥1.6
1000+
￥1.4798 ￥1.51

有货

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0.5mΩ ±1% 6W

型号：WSLF2512L5000FEA 编号：C844703

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。采用实心金属镍铬、锰铜、无铅或锰铜锡合金电阻元件,低TCR(<20 ppm/°C)。专有加工技术,可实现极低的电阻值,低至0.0003 Ω。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感(<2 nH)。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC-Q200认证

1+
￥3.03
10+
￥2.38
30+
￥2.09
100+
￥1.74
500+
￥1.59
1000+
￥1.5

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:12V 电流:4.5A

型号：SIA527DJ-T1-GE3 编号：C222486

封装：PowerPAK-SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

N+P双沟道,12V/4.5A(-12V/-4.5A)

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.41
30+
￥2.14
100+
￥1.62 ￥1.8
500+
￥1.485 ￥1.65
1000+
￥1.404 ￥1.56

有货

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高速940nm红外发光二极管，表面发射技术

型号：VSMY2940G 编号：C499547

封装：SMD,2.3x2.3mm

品牌：VISHAY(威世)

作为SurfLightTM产品组合的一部分，VSMY2940系列是基于GaAlAs表面发射芯片技术的940 nm红外发射二极管，具有极高的辐射强度、高光功率和高速度，采用透明无色塑料封装（带透镜）进行表面贴装（SMD）。

数据手册

1+
￥3.06
10+
￥2.69
30+
￥2.51
100+
￥2.2736 ￥2.32
500+
￥2.1658 ￥2.21
1000+
￥2.1168 ￥2.16

有货

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20mΩ ±1% 2W

型号：WSL2512R0200FEA18 编号：C844696

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可生产极低电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势(< 3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

1+
￥3.06
10+
￥2.47
30+
￥2.21
100+
￥1.7955 ￥1.89
500+
￥1.6625 ￥1.75
1000+
￥1.292 ￥1.36

有货

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6mΩ ±1% 1W

型号：WSL25126L000FEA 编号：C843882

封装：2512

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至 0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3μV/°C)。通过 AEC Q200 认证

数据手册

1+
￥3.1
10+
￥2.44
30+
￥2.16
100+
￥1.764 ￥1.8
500+
￥1.5386 ￥1.57
1000+
￥1.4406 ￥1.47

有货

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15mΩ ±1% 3W

型号：WSR3R0150FEA 编号：C844092

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各类无铅电流感应、分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至 0.001 Ω),符合 RoHS 标准。结构耐硫,不受高硫环境影响。实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低 TCR(<20 ppm/°C)。极低电感 0.5 nH 至 5 nH。出色的频率响应至 50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过 AEC Q200 认证

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.61
30+
￥2.28
100+
￥1.9208 ￥1.96
500+
￥1.7346 ￥1.77
1500+
￥1.6366 ￥1.67

有货

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350nm~1120nm 60V

型号：VEMD2520X01 编号：C6913719

封装：SMD

品牌：VISHAY(威世)

VEMD2500X01和VEMD2520X01是高速、高灵敏度的PIN光电二极管，采用带有圆顶透镜的透明环氧树脂微型表面贴装封装（SMD）。芯片的光敏面积为0.23 mm²。

1+
￥3.27
10+
￥2.62
30+
￥2.3
100+
￥1.881 ￥1.98
500+
￥1.691 ￥1.78
1000+
￥1.596 ￥1.68

有货

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P沟道 MOSFET,电流:3.0A,耐压:80V

型号：SI2387DS-T1-GE3 编号：C3290063

封装：SOT-23-3(TO-236-3)

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV p-channel power MOSFET。 100 % Rg and UIS tested。应用：Load switch。 Circuit protection

1+
￥3.306 ￥3.48
10+
￥2.66 ￥2.8
30+
￥2.3845 ￥2.51
100+
￥2.0425 ￥2.15
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.805 ￥1.9

有货

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40mΩ ±1% 125mW

型号：WSL0805R0400FEA 编号：C4203251

封装：0805

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH至5 nH。低热电动势 (<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证。符合RoHS标准。电阻元件:采用低TCR (<20 ppm/°C) 的实心金属镍铬或锰铜合金电阻元件。镀锡端子:实心铜,100%锡(最小100 μm),底层为100%镍(最小20 μm)。端子/元件焊接。带油墨印刷的硅胶涂层

1+
￥3.31
10+
￥2.93
30+
￥2.74
100+
￥2.499 ￥2.55
500+
￥2.3912 ￥2.44
1000+
￥2.3324 ￥2.38

订货

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1mΩ ±1% 250mW

型号：WSL12061L000FEA 编号：C3020236

封装：1206

品牌：VISHAY(威世)

特性：全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低的电阻值(低至 0.0005 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。极低电感:0.5 nH 至 5 nH。低热电动势 (< 3μV/°C)。AEC Q200 认证

数据手册

1+
￥3.32
10+
￥2.62
30+
￥2.32
100+
￥1.794 ￥1.95
500+
￥1.6468 ￥1.79
1000+
￥1.5548 ￥1.69

有货

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40mΩ ±1% 2W

型号：WSR2R0400FEA 编号：C499537

封装：4527

品牌：VISHAY(威世)

特性：模制高温封装。全焊接结构,适用于各类电流感应、电压分压和脉冲应用。专有加工技术可实现极低电阻值(低至0.001 Ω)。结构具有耐硫性,不受高硫环境影响。采用固态金属镍铬或锰铜合金电阻元件,低TCR(<20 ppm/°C)。极低电感:0.5 nH至5 nH。出色的频率响应至50 MHz。低热电动势(<3 μV/°C)。通过AEC Q200认证

数据手册

1+
￥3.32
10+
￥2.95
30+
￥2.76
100+
￥2.4158 ￥2.57
500+
￥2.3124 ￥2.46
1500+
￥2.2654 ￥2.41

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:30.3A

型号：SIA471DJ-T1-GE3 编号：C5918946

封装：PowerPAKSC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。热增强型PowerPAK SC-70封装。 RoHS认证。极低的RDS(on) x面积，可最大限度地减少在卤素限制PCB空间上的功率损耗。为开关应用提供出色的RDS-Qg品质因数（FOM）。 100%进行Rg测试。应用：电池充电和管理。负载开关

1+
￥3.41
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

有货

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海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

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