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主流增强型ARM Cortex-M3 MCU，具有128 KB Flash、72 MHz CPU、电机控制、USB和CAN

型号：STM32F103TBU6 编号：C8363

封装：VFQFPN36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥32.56
10+
￥28.24
30+
￥24.56
100+
￥21.96
490+
￥20.76
980+
￥20.22

有货

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超低功耗Arm Cortex-M0+ MCU，具有64-KB Flash存储器和32 MHz CPU

型号：STM32L051K8U6TR 编号：C516778

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

数据手册

1+
￥9.65
10+
￥8.03
30+
￥7.14
100+
￥5.92
500+
￥5.48
1000+
￥5.28

有货

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超低功耗Arm Cortex-M0+ MCU，具有32-KB Flash存储器和32 MHz CPU

型号：STM32L031F6P6 编号：C115208

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

数据手册

1+
￥12.27
10+
￥10.44
30+
￥9.29
100+
￥7.84
500+
￥7.31
1000+
￥7.08

有货

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主流增强型8位MCU，具有64 KB Flash、24 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8S207R8T6TR 编号：C2054482

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：最大fCPU：高达24 MHz，在fCPU ≤ 16 MHz时0等待状态。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8内核。扩展指令集。24 MHz时最大20 MIPS。存储器：程序：高达128 Kbytes闪存；在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年。数据：高达2 Kbytes真数据EEPROM；耐久性300 kcycles

数据手册

1+
￥15.6
10+
￥13.33
30+
￥11.91
100+
￥10.46
500+
￥9.8

有货

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带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有256 KB Flash、84 MHz CPU和ART加速器

型号：STM32F401RCT6 编号：C74524

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

数据手册

1+
￥17.2
10+
￥14.93
30+
￥13.78
100+
￥12.23
500+
￥11.67
1000+
￥11.43

有货

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超低功耗8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8L151K6T6 编号：C8259

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停状态快速唤醒：4.7μs

数据手册

1+
￥19.29
10+
￥16.52
30+
￥14.78
250+
￥11.45
500+
￥10.65
1000+
￥10.3

有货

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600V 80mA

型号：BTA41-600BRG 编号：C9103

封装：TOP-3

品牌：ST(意法半导体)

40A标准三端双向可控硅

数据手册

1+
￥25.44
10+
￥22.19
30+
￥20.26
90+
￥18.3
510+
￥17.4
1200+
￥16.99

有货

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带DSP和FPU的主流混合信号ARM Cortex-M4 MCU，具有256 KB Flash、72 MHz CPU、MPU、CCM、5 Msps 12位ADC、PGA和比较器

型号：STM32F303CCT6 编号：C81523

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

数据手册

1+
￥27.44
10+
￥23.74
30+
￥20.25
250+
￥18.03
500+
￥17

有货

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高性能ARM Cortex-M3 MCU，具有512 KB Flash、120 MHz CPU和ART加速器

型号：STM32F205ZET6 编号：C46197

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

数据手册

1+
￥33.26
10+
￥28.62
60+
￥25.87
120+
￥23.08

有货

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Arm Cortex-M33 32位微控制器 + TrustZone + 浮点运算单元，375 DMIPS，250 MHz，2 Mbyte闪存，640 Kbyte RAM，数学加速器

型号：STM32H563RIT6 编号：C20619634

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

1+
￥33.44
10+
￥28.6
30+
￥25.64
100+
￥23.17

有货

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带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU、ART加速器、以太网和FSMC

型号：STM32F407VGT6 编号：C12345

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥35.466
540+
￥31.625

我要订货

汽车6轴惯性模块:3D加速度计和3D陀螺仪

型号：ASM330LHHTR 编号：C459826

封装：LGA-14(2.5x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车6轴惯性模块：3D加速度计和3D陀螺仪

数据手册

1+
￥41.34
10+
￥36.59
30+
￥33.77
100+
￥30.92
500+
￥29.6
1000+
￥29

有货

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带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU、ART加速器和FSMC

型号：STM32F405VGT6 编号：C56621

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。高达 1 Mbyte 的闪存。高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64-Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM。灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。 1.8 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。 PCR、PDR、PVD 和 BOR。 4 至 26 MHz 晶体振荡器

数据手册

1+
￥42.78
10+
￥37.55
30+
￥34.36
100+
￥31.68

有货

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带FPU的超低功耗80 Mhz Arm Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash存储器、LCD、USB OTG和DFSDM

型号：STM32L476RGT6 编号：C74797

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA，为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA，带RTC时1.4μA。运行模式（LDO模式）100μA/MHz，运行模式（@3.3V SMPS模式）39μA/MHz

数据手册

1+
￥55.29
10+
￥48.98
30+
￥45.13
100+
￥41.91

有货

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64 Kbit串行I2C总线EEPROM

型号：M24C64-FMN6TP 编号：C143943

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8744
50+
￥0.6833
150+
￥0.5877
500+
￥0.5161
2500+
￥0.4587
5000+
￥0.43

有货

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耐压:1.2kV 电流:1A 反向恢复时间：75ns

型号：STTH112U 编号：C56792

封装：SMB

品牌：ST(意法半导体)

1200 V，1A超高速二极管

数据手册

5+
￥1.2209
50+
￥0.9778
150+
￥0.8737
500+
￥0.7437
2500+
￥0.6858
5000+
￥0.6511

有货

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低功耗双电压比较器

型号：LM393ST 编号：C2688712

封装：MiniSO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM193、LM293和LM393器件由两个独立的低压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作，也可采用双电源供电。这些比较器还具有独特的特性，即使在单电源电压下工作，其输入共模电压范围也包含地电位。

数据手册

5+
￥1.2308
50+
￥0.9571
150+
￥0.8398
500+
￥0.6935
2500+
￥0.6283
4000+
￥0.5892

有货

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15V 500mA 35V

型号：L78M15CDT-TR 编号：C55508

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

三端正压调节器有TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，并具有多种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些调节器可提供板载局部稳压，消除单点稳压带来的分配问题。每种类型均采用内部限流、热关断和安全区保护，使其基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过0.5A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些设备可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.2472
50+
￥0.9866
150+
￥0.8749
500+
￥0.7356
2500+
￥0.6328
5000+
￥0.5955

有货

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7.6V~30V

型号：UC3843BD1013TR 编号：C92746

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

UC384xB系列控制IC具备实现离线或直流到直流固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端经过精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至<50%的占空比范围。

数据手册

5+
￥2.1505
50+
￥1.7289
150+
￥1.5481
500+
￥1.2484
2500+
￥1.148
5000+
￥1.0877

有货

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1.2V~37V 1.5A 40V

型号：LM317D2T-TR 编号：C91673

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

1.2 V - 37 V可调稳压器

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.59
30+
￥2.31
100+
￥1.96
500+
￥1.8
1000+
￥1.71

有货

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730V 9V~38V

型号：VIPER12ASTR-E 编号：C7522

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPER12A在同一硅芯片上集成了专用的电流模式PWM控制器和高压功率MOSFET。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化（此特性非常适合电池充电器适配器配置）、低负载条件下的自动间歇模式以及HICCUP模式下的过压保护。

数据手册

1+
￥3.56
10+
￥2.84
30+
￥2.53
100+
￥2.14
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

有货

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动态NFC/RFID标签IC，带EEPROM、快速传输模式和优化I2C接口

型号：ST25DV04KC-IE6S3 编号：C3304276

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

具有 4-Kbit EEPROM 和快速传输模式功能的动态 NFC/RFID 标签 IC

数据手册

1+
￥4.47
10+
￥3.61
30+
￥3.19
100+
￥2.76
500+
￥2.51
1000+
￥2.38

有货

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STM32C031G6U6TR

型号：STM32C031G6U6TR 编号：C7324966

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥5.05
10+
￥4.54
30+
￥4.26
100+
￥3.94
500+
￥3.8
1000+
￥3.74

有货

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1个N沟道耐压:80V 电流:110A

型号：STP110N8F6 编号：C81146

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.02
10+
￥5.16
50+
￥4.48
100+
￥4.05
500+
￥3.8
1000+
￥3.66

有货

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主流ARM Cortex-M0超值系列MCU，具有16 KB Flash和48 MHz CPU

型号：STM32F030F4P6 编号：C32908

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

数据手册

1+
￥6.42
10+
￥5.45
30+
￥4.75
100+
￥4.19

有货

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主流Arm Cortex-M0+ MCU，具有64 KB Flash存储器、8 KB RAM、64 MHz CPU、2x USART、定时器、ADC和通信接口，1.7-3.6V

型号：STM32G031G8U6TR 编号：C5270180

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥6.86
10+
￥5.67
30+
￥5.01
100+
￥4.28
500+
￥3.95
1000+
￥3.8

有货

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降压型 3A 2.5V~18V

型号：ST1S10PHR 编号：C11175

封装：SOIC-8-EP

品牌：ST(意法半导体)

ST1S10 是一款高效率的同步降压 PWM 转换器,能够提供高达 3 A 的输出电流。输入电压范围为 2.5 V 至 18 V,输出电压可调范围为 0.8 V 至 13.6 V。该器件具有同步整流功能,提高效率,尤其是在低输出电压下。它还具有抑制功能、动态短路保护和典型的 90% 效率。

数据手册

1+
￥7.03
10+
￥5.89
30+
￥5.26
100+
￥4.55
500+
￥4.24
1000+
￥4.09

有货

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降压型 3A 5.5V~48V

型号：ST1S14PHR 编号：C84130

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

ST1S14是一款能够提供高达3A输出电流的降压开关调节器。它的工作输入电压范围为5.5V到48V,内部固定开关频率为850kHz。该器件具有内部软启动功能,最大静态电流为2.4mA。输出电压可在1.22V以上设置。

数据手册

1+
￥8.75
10+
￥7.43
30+
￥6.71
100+
￥5.9
500+
￥4.92
1000+
￥4.75

有货

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超低功耗8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8L151G6U6TR 编号：C85325

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

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主流基本型系列8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM

型号：STM8S105C6T6TR 编号：C130280

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进STM8内核，采用哈佛架构和3级流水线，指令集扩展。中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正数据EEPROM，耐久性300 kcycles。RAM：高达2 Kbytes。2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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