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型号：STPS20200CG-TR 编号：C222075

封装：TO-263-2

品牌：ST(意法半导体)

该器件是一款双中心抽头200 V肖特基整流器，适用于开关模式电源和高频直流-直流转换器。其采用TO 220AB、窄引脚TO 220AB、TO 220FPAB和DFPAK封装，特别适用于开关模式电源的次级整流，也非常适合所有LED照明应用。

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型号：STGD5NB120SZT4 编号：C2971167

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

该器件是采用先进的PowerMESH技术开发的低降压内部钳位IGBT。这一工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

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型号：STM8L152C6T6 编号：C8252

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停状态快速唤醒：4.7μs

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型号：STM8S105C4T6TR 编号：C66575

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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型号：BTA24-600BWRG 编号：C83957

封装：TO-220AB

品牌：ST(意法半导体)

25A Snubberless 三端双向可控硅

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型号：STM32F031K6U6 编号：C97412

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：16至32 Kbytes的闪存，4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：2.0至3.6 V；模拟电源：V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V；上电/掉电复位(POR/PDR)；可编程电压检测器(PVD)；低功耗模式：睡眠、停止和待机；V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；32 kHz用于RTC的振荡器，带校准；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O：所有可映射到外部中断向量；多达26个I/O具有5 V容限能力

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型号：STM32G071C8T6 编号：C529341

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STP16DP05XTTR 编号：C155648

封装：TSSOP-24-EP

品牌：ST(意法半导体)

具有输出错误检测功能的低压16位恒定电流LED灌驱动器

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

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型号：STM32F091CCT6TR 编号：C2053338

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：L6206QTR 编号：C726089

封装：HVQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：STM32F100C8T6BTR 编号：C2970082

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU。最高24 MHz频率，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 16至128 KB的闪存。 4至8 KB的SRAM。 2.0至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STL15N65M5 编号：C2970161

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.335 Ohm典型值、10 A MDmesh M5功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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型号：STM8S007C8T6 编号：C65701

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：最大CPU频率：高达24 MHz，在CPU频率 ≤ 16 MHz时0等待状态。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。在24 MHz时最大20 MIPS。存储器：程序：64 Kbytes Flash，在55℃下100个周期后数据保留20年。数据：128 bytes真数据EEPROM，耐久性100 kcycles

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型号：VN750PTTR-E 编号：C2149771

封装：TO-252-5

品牌：ST(意法半导体)

VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：TYN1225RG 编号：C190434

封装：TO-220AB-3

品牌：ST(意法半导体)

25 A 1200 V标准SCR晶闸管，TO-220AB封装

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型号：STM32U073CBT6 编号：C27035627

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

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型号：STM32U073CCU6 编号：C22455185

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

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型号：ST25R3916-AQWT 编号：C2908147

封装：VFQFN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

高性能NFC通用设备和EMVCo读卡器

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型号：STKNXTR 编号：C2671486

封装：VFQFPN-24(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

带稳压器的微型KNX收发器

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￥19
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型号：STM32WB50CGU5 编号：C529448

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32 MHz Cortex-M0+ MCU，具有1 MB Flash存储器、蓝牙LE 5.2、802.15.4、Zigbee、Thread、AES-256

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型号：STW11NK100Z 编号：C126636

封装：TO-247AC-3

品牌：ST(意法半导体)

N沟道

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型号：STM32H563VGT6 编号：C18221950

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU，带有TrustZone、FPU，频率高达250 MHz，具备MPU，375 DMIPS（Dhrystone 2.1）。 8 Kbyte指令缓存，允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz（Drystone 2.1）。 1023 CoreMark（4.092 CoreMark/MHz）。高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存，两个存储体可读写。每个存储体高达48 Kbyte，数据闪存具有高循环能力（100 K周期）

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￥23.04
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￥21.84
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￥21.12
90+
￥20.39

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型号：STM32G431KBT6 编号：C529357

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥23.5
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￥20.28
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￥18.36
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￥15.13

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型号：STM32L431VCT6 编号：C455384

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

数据手册

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￥25.01
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￥19.13
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￥17.12
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型号：STM32F101ZGT6 编号：C8290

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于ARM 32位Cortex-M3 CPU，带有MPU。最高频率36 MHz，每兆赫兹1.25 DMIPS（Dhrystone 2.1）性能。单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存（双存储体，具备读写功能）。 80 KB的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选

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￥28.86
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￥27.63
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￥23.63

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型号：STM32G431RBT3 编号：C2970001

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。核心：具有浮点单元的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备内存保护单元（MPU）和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，滤波器数学加速器FMAC。

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￥30.91
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￥26.48
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￥23.1
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型号：ISM330DHCXTR 编号：C2655101

封装：LGA-14(2.5x3)

品牌：ST(意法半导体)

iNEMO惯性模块：始终开启3D加速度计和3D陀螺仪，具有数字输出，用于工业应用

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￥31.81
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￥20.7
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型号：STM32F373CBT6 编号：C1337334

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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￥35.51
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￥31.22
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￥28.67
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￥26.09
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型号：STM32F373C8T6 编号：C404020

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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