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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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N沟道800 V、3.7 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET,PowerFLAT 5x6 VHV封装
数据手册
  • 1+

    ¥6.4
  • 10+

    ¥4.9248 ¥5.13
  • 30+

    ¥3.87 ¥4.5
  • 100+

    ¥3.3282 ¥3.87
  • 500+

    ¥3.0014 ¥3.49
  • 1000+

    ¥2.838 ¥3.3
  • 有货
  • 100 V、40 A场效应整流二极管(FERD)
    数据手册
    • 1+

      ¥6.47
    • 10+

      ¥5.81
    • 30+

      ¥5.45
    • 100+

      ¥5.04
    • 500+

      ¥4.86
    • 1000+

      ¥4.78
  • 有货
  • 100 V、20 A 3引线单路低压降功率肖特基整流器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.84
    • 10+

      ¥5.51
    • 30+

      ¥4.84
    • 100+

      ¥4.18
    • 500+

      ¥3.79
    • 1000+

      ¥3.58
  • 有货
  • LM134/LM234/LM334 是三端可调电流源,其特点如下:工作电流范围为 10000:1;具有出色的电流调节能力;动态电压范围宽,为 1V 至 10V。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.91
    • 10+

      ¥5.85
    • 30+

      ¥5.33
    • 100+

      ¥4.81
    • 500+

      ¥4.12
    • 1000+

      ¥3.96
  • 有货
  • 高性能开关,用于驱动汽车高功率应用,如高电流风扇电机、加热器和电力分配系统中的受保护电池线路。完全受保护的汽车高端开关(HSD),具有广泛的封装、导通电阻、输出通道数量和诊断选项,能够驱动电阻性、电感性和电容性接地负载,符合汽车应用严格的安全和可靠性要求。完全受保护的低端开关,可安全驱动一端连接到电池的电阻性、电感性和电容性负载,符合汽车应用严格的安全和可靠性要求。新型L99DZ1x0系列在门区应用中带来更高性能,在同一封装中集成电源管理电源功能(包括各种待机模式以及LIN和HS CAN物理通信层)以及所有主门负载的执行器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥5.73
    • 30+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.25
    • 500+

      ¥3.91
    • 1000+

      ¥3.75
  • 有货
  • SuperMESH™ 系列是通过成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外,还采取特殊措施确保该系列在要求最严苛的应用中具备出色的 dv/dt 能力。该系列完善了意法半导体的全系列高压功率 MOSFET 产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.38
    • 10+

      ¥6.24
    • 30+

      ¥5.67
    • 100+

      ¥5.1
    • 500+

      ¥4.76
    • 1000+

      ¥4.59
  • 有货
  • T-Flash和micro SD card 接口的6线EMI滤波器和ESD保护
    • 1+

      ¥8.39
    • 10+

      ¥6.58
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.57
    • 1000+

      ¥4.39
  • 有货
    • 1+

      ¥8.62
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.55
    • 500+

      ¥5.16
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和三级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8KB Flash,在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:640 字节真正的数据 EEPROM,耐久性 300k 周期。 RAM:1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥8.72
    • 10+

      ¥7.4824 ¥7.96
    • 30+

      ¥6.2832 ¥7.48
    • 100+

      ¥5.5608 ¥6.62
    • 500+

      ¥5.376 ¥6.4
    • 1000+

      ¥5.292 ¥6.3
  • 有货
  • 特性:32位Cortex-M0+ CPU核心,频率高达48 MHz。 工作温度范围:-40°C至85°C/105°C/125°C。 高达32 Kbytes的闪存,具备保护功能。 12 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。 复位和电源管理: -电压范围:2.0 V至3.6 V
    • 1+

      ¥8.89
    • 10+

      ¥7.28
    • 30+

      ¥6.4
    • 250+

      ¥5.4
    • 500+

      ¥4.95
    • 1000+

      ¥4.75
  • 有货
  • 该器件是采用先进的PowerMESH技术开发的低降压内部钳位IGBT。这一工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。
    • 1+

      ¥9.81
    • 10+

      ¥8.3
    • 30+

      ¥7.36
    • 100+

      ¥6.39
    • 500+

      ¥5.96
    • 1000+

      ¥5.77
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB SRAM,带硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.87
    • 10+

      ¥8.21
    • 30+

      ¥7.29
    • 100+

      ¥5.98
    • 500+

      ¥5.52
    • 1000+

      ¥5.32
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥11.08
    • 10+

      ¥9.46
    • 30+

      ¥8.57
    • 100+

      ¥7.56
    • 500+

      ¥7.12
    • 1000+

      ¥6.91
  • 有货
  • 超低功耗视频缓冲器/滤波器,具有关断功能
    数据手册
    • 1+

      ¥11.53
    • 10+

      ¥9.72
    • 30+

      ¥8.59
    • 100+

      ¥7.43
    • 500+

      ¥6.91
    • 1000+

      ¥6.68
  • 有货
  • 25A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册
    • 1+

      ¥11.86
    • 10+

      ¥10.02
    • 50+

      ¥8.86
    • 100+

      ¥7.68
    • 500+

      ¥7.14
    • 1000+

      ¥6.91
  • 有货
  • 特性:16MHz 先进 STM8 内核,采用哈佛架构和 3 级流水线,指令集扩展。 程序存储器:高达 32 Kbyte Flash;在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器:高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM;耐久性 300 k 周期。 RAM:高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制,4 个主时钟源:低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册
    • 1+

      ¥13.06
    • 10+

      ¥11.49
    • 30+

      ¥10.51
    • 100+

      ¥9.5
    • 490+

      ¥9.05
    • 980+

      ¥8.85
  • 有货
  • 是超低功耗微控制器,基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器(高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM),以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设,还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制,如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道,以及一个集成 LCD 控制器,可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口,即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART,以及一个无晶振 USB 全速设备
    • 1+

      ¥16.83
    • 10+

      ¥14.31
    • 30+

      ¥12.73
    • 260+

      ¥11.12
    • 520+

      ¥10.39
    • 1040+

      ¥10.07
  • 有货
  • 具有Coulomb计数器/燃气表的电池监测IC
    数据手册
    • 1+

      ¥21.98
    • 10+

      ¥18.5
    • 30+

      ¥16.32
    • 100+

      ¥14.1
    • 500+

      ¥13.09
    • 1000+

      ¥12.66
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 供电电压范围为1.7V至3.6V。 工作温度范围为 -40°C至85/105/125°C。 核心:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 高达512KB的闪存。 128KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V的应用电源和I/O。具备上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、可编程电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥22.31
    • 10+

      ¥19.5
    • 30+

      ¥17.83
    • 100+

      ¥16.14
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB实现硬件奇偶校验。 常规加速:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:具备上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)、可编程电压检测器(PVD)、低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机)、VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC可选PLL(±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥23.5
    • 10+

      ¥20.28
    • 30+

      ¥18.36
    • 250+

      ¥16.42
    • 500+

      ¥15.53
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥24.49
    • 10+

      ¥20.85
    • 30+

      ¥18.69
    • 100+

      ¥16.5
    • 500+

      ¥15.49
    • 1000+

      ¥15.04
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。V(BAT)模式下200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥25.31
    • 10+

      ¥21.8
    • 30+

      ¥18.41
    • 100+

      ¥16.3
    • 500+

      ¥15.33
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥28.62
    • 10+

      ¥24.47
    • 30+

      ¥22
    • 100+

      ¥19.5
    • 500+

      ¥18.35
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带FPU(浮点单元)和MPU(内存保护单元)的DSP指令,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。内存:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式:睡眠、停止、待机,VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,32 kHz带校准的RTC振荡器,内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O,所有可映射到外部中断向量,多达45个5 V耐压I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥30.76
    • 10+

      ¥26.28
    • 30+

      ¥22.51
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围:1.71V至3.6V。 -温度范围:-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式电流为280nA
    数据手册
    • 1+

      ¥33.01
    • 10+

      ¥28.99
    • 30+

      ¥26.59
    • 100+

      ¥24.17
    • 500+

      ¥23.06
    • 1000+

      ¥22.56
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式下1.1μA,带RTC时1.4μA
    数据手册
    • 1+

      ¥33.08
    • 10+

      ¥28.28
    • 30+

      ¥25.36
    • 90+

      ¥22.9
  • 有货
  • DMOS全桥驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥33.69
    • 10+

      ¥28.74
    • 30+

      ¥25.72
    • 100+

      ¥23.19
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存执行零等待状态,频率高达180 MHz,有MPU,225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达2 MB闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行;高达256 + 4 KB SRAM,包括64 KB CCM(核心耦合内存)数据RAM;灵活的外部存储器控制器,具有高达32位数据总线,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。
    数据手册
    • 1+

      ¥41.11
    • 10+

      ¥35.41
    • 30+

      ¥31.94
    • 100+

      ¥29.03
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 带有TrustZone FPU的Arm Cortex-M33 CPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的带ECC嵌入式闪存,2个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte的高循环能力(100 K周期)数据闪存
    • 1+

      ¥42.27
    • 10+

      ¥36.27
    • 30+

      ¥32.61
    • 90+

      ¥29.55
  • 有货
  • 超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU,具有512 KB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256
    数据手册
    • 1+

      ¥42.52
    • 10+

      ¥36.76
    • 30+

      ¥33.24
    • 100+

      ¥30.29
  • 有货
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