ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：LQFP-64(10x10)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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￥14.89
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￥13.01
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￥11.68
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型号：STM32G031G8U6 编号：C432211

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

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￥6.07
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￥5.31
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￥4.58
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￥4.04
490+
￥3.82
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￥3.71

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型号：STM32F030R8T6 编号：C39105

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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￥7.18
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型号：STM32G070RBT6 编号：C529340

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃。存储器：128 KB带保护的闪存；36 KB SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F103RBT6 编号：C8735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

数据手册

1+
￥13.82
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￥12.01
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￥10.73
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￥9.56
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￥8.8

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型号：STM32G0B1CBT6 编号：C2847904

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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￥8.78
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型号：STM32F407VGT6 编号：C12345

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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￥27.39
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￥23.74
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￥21.89
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￥19.4
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￥18.5
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￥18.12

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型号：LM393DT 编号：C32901

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

LM193、LM293和LM393器件由两个独立的低压比较器组成，专门设计用于在宽电压范围内的单电源下工作。也可以使用双电源供电。这些比较器还有一个独特的特性，即即使在单电源电压下工作，其输入共模电压范围也包含地电位。

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￥0.3163
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￥0.2493
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￥0.2148
2500+
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型号：ULN2003D1013TR 编号：C61273

封装：SOIC-16

品牌：ST(意法半导体)

7个达林顿阵列

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￥0.597
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￥0.4749
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￥0.3603
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￥0.33

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型号：L78M05ABDT-TR 编号：C58069

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

该系列三端正电压调节器采用TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，有多种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载本地稳压，消除单点稳压带来的分配问题。每种类型都采用内部限流、热关断和安全区保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过0.5A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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￥0.8718
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￥0.6669
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￥0.4777
2500+
￥0.4532
5000+
￥0.4385

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型号：STM32F030C8T6TR 编号：C40053

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。16 至 256 Kbytes 的闪存。4 至 32 Kbytes 的带硬件奇偶校验的 SRAM。CRC 计算单元。复位和电源管理。数字和 I/O 电源：VDD = 2.4V 至 3.6V

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￥5.64
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￥4.02
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￥3.47
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￥3.3
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￥3.19

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型号：STM32F105RBT6 编号：C8349

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

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￥14.41
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￥11.08
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￥9.82
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￥9.24
1000+
￥9

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型号：STM32F401RCT6 编号：C74524

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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￥14.59
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￥11.13
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￥9.22
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￥8.97

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型号：STM32F411CEU6 编号：C60420

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备BAM（批量采集模式）。核心：带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存存储器零等待状态执行，频率高达100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。存储器：高达512 Kbytes的闪存存储器，128 Kbytes的SRAM。

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￥12.3
260+
￥10.97
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1040+
￥10.1

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型号：STM32G431CBT6 编号：C529355

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥19.97
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￥17.32
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￥15.97
250+
￥13.93
500+
￥13.28
1000+
￥13.01

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型号：L78M05CDT-TR 编号：C55509

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器有TO-220、TO-220FP、DPAK和IPAK封装，并有几种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些调节器可以提供板载本地稳压，消除了单点稳压带来的分配问题。每种类型都采用了内部限流、热关断和安全区保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过0.5A的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器，但也可以与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

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5+
￥0.7664
50+
￥0.6061
150+
￥0.5237
500+
￥0.4558
2500+
￥0.4321
5000+
￥0.416

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型号：L7812CV-DG 编号：C2914

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

该系列三端正电压调节器采用 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装，有多种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载本地稳压，消除了单点稳压带来的分配问题。每种类型都内置了内部限流、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.2192
50+
￥0.9785
150+
￥0.861
500+
￥0.7561
2400+
￥0.7273
4800+
￥0.71

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型号：L7805CV-DG 编号：C3795

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

采用TO-220、TO-220FP、D²PAK和DPAK封装，有几种固定输出电压，适用于广泛的应用。这些稳压器可以提供本地板载调节，消除了与单点调节相关的分配问题。每种类型都内置了内部电流限制、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热措施，它们可以输出超过1A的电流。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可以与外部组件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥1.3418
50+
￥1.0384
150+
￥0.8903
500+
￥0.7581
2000+
￥0.7218
5000+
￥0.7

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型号：STM32F030F4P6TR 编号：C89040

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V

数据手册

1+
￥4.27
10+
￥3.59
30+
￥3.1
100+
￥2.71

有货

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型号：STM32F103RCT6TR 编号：C39704

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。存储器：256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM，具有4个片选的灵活静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器，LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC带校准，32 kHz振荡器用于RTC带校准。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器（最多21个通道），转换范围：0至3.6 V，三重采样和保持能力，温度传感器，2个12位D/A转换器。 DMA：12通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

数据手册

1+
￥14.46
10+
￥12.61
30+
￥11.29
100+
￥9.82
500+
￥9.26
1000+
￥9.04

有货

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型号：STM32F107VCT6 编号：C8315

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。存储器：64 至 256 Kbytes 的闪存，64 Kbytes 的通用 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），3 至 25 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC 带校准，32 kHz 振荡器用于 RTC 带校准。

数据手册

1+
￥26.48
10+
￥23.27
30+
￥21.63
100+
￥19.44
500+
￥18.65
1000+
￥18.32

有货

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型号：STM32H743VIT6 编号：C114409

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1），以及DSP指令。高达2MB的闪存，支持边读边写。高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序），高达864KB的用户SRAM，以及4KB备份域中的SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存，同步模式下时钟频率高达100MHz。CRC计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护。高达168个具有中断能力的I/O端口

数据手册

1+
￥44.62
10+
￥39.17
30+
￥35.69
100+
￥32.32

有货

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型号：LM317T-DG 编号：C18718

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

1.2 V - 37 V可调稳压器

数据手册

5+
￥1.8927
50+
￥1.4482
150+
￥1.2312
500+
￥1.0376
2400+
￥0.9844
4800+
￥0.9525

有货

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型号：VIPER12ADIP-E 编号：C5317

封装：DIP-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPER12A在同一硅芯片上集成了专用的电流模式PWM控制器和高压功率MOSFET。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化（此特性非常适合电池充电器适配器配置）、低负载条件下的自动间歇模式以及HICCUP模式下的过压保护。

数据手册

5+
￥2.1087
50+
￥1.5804
150+
￥1.3482
500+
￥1.1411
2500+
￥1.0842
5000+
￥1.05

有货

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型号：VIPER22ADIP-E 编号：C5318

封装：DIP-8

品牌：ST(意法半导体)

VIPer22A-E在同一硅芯片上将专用的电流模式PWM控制器与高压功率MOSFET集成在一起。典型应用包括电池充电器适配器的离线电源、电视或显示器的待机电源、电机控制的辅助电源等。内部控制电路具有以下优点：VDD引脚的宽输入电压范围可适应辅助电源电压的变化，此特性非常适合电池充电器适配器配置。在低负载条件下自动进入间歇模式。在HICCUP模式下提供过压保护。

数据手册

1+
￥3.33
10+
￥2.77
30+
￥2.37
100+
￥2.05
500+
￥1.95
1000+
￥1.88

有货

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型号：STFW3N150 编号：C36207

封装：TO-3PF

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V

数据手册

1+
￥6.13
10+
￥5.43
30+
￥4.49
90+
￥4
510+
￥3.8
960+
￥3.7

有货

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型号：STM32L031G6U6 编号：C96514

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

数据手册

1+
￥6.79
10+
￥5.93
30+
￥5.12
100+
￥4.52
490+
￥4.27
980+
￥4.15

有货

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型号：STM32F407ZET6 编号：C36869

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 ARM Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，具备内存保护单元，210 DMiPS / 1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1）和 DSP 指令。内存：高达 1 Mbyte 的闪存；高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM，包括 64 Kbyte 的 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，8080/6800 模式。

数据手册

1+
￥30.78
10+
￥26.66
30+
￥24.56
100+
￥21.75
500+
￥20.74
1000+
￥20.31

有货

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型号：STM32H750VBT6 编号：C404010

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核，带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存；频率高达480MHz，具备内存保护单元、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128KB闪存。 1MB RAM：192KB TCM RAM（包括64KB ITCM RAM + 128KB用于时间关键程序的DTCM RAM），864KB用户SRAM和4KB备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：同步模式下SRAM、PSRAM、NOR闪存时钟频率高达133MHz；支持SDRAM/LPSDR SDRAM；支持8/16位NAND闪存；具备CRC计算单元。支持ROP、PC-ROP、主动篡改保护、安全固件升级，具备安全访问模式。多达168个具有中断能力的I/O端口

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型号：STM32H743IIT6 编号：C89597

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术。32 位 Arm Cortex-M7 内核，带双精度 FPU 和 L1 缓存：16 Kbytes 数据缓存和 16 Kbytes 指令缓存；频率高达 480 MHz，MPU，1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。高达 2 Mbytes 的闪存，支持读写操作。高达 1 Mbyte 的 RAM：192 Kbytes 的 TCM RAM（包括 64 Kbytes 的 ITCM RAM + 128 Kbytes 的 DTCM RAM 用于时间关键程序），高达 864 Kbytes 的用户 SRAM，以及 4 Kbytes 的备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口，运行频率高达 133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达 32 位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND 闪存，同步模式下时钟频率高达 100 MHz。CRC 计算单元。ROP、PC-ROP、主动篡改保护

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