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价格(含税)

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操作

单向TVS 26V截止峰值浪涌电流：0.87A@1.0ms

型号：SZMMBZ33VALT1G 编号：C719773

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装就能保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥1.3302
50+
￥1.0788
150+
￥0.9711
500+
￥0.8367

有货

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70V 215mA

型号：SBAV199LT1G 编号：C604679

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此开关二极管适用于高速开关应用。此双二极管器件包含串联封装的两个二极管，采用 SOT-23 表面贴装封装。

数据手册

5+
￥1.3834
50+
￥1.1133
150+
￥0.9976
500+
￥0.8532
3000+
￥0.7053
6000+
￥0.6667

有货

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N 沟道开关 N沟道开关

型号：MMBFJ108 编号：C464218

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此器件适用于需要极低电阻的模拟或数字开关应用。源自 Process 58。

数据手册

5+
￥1.3921
50+
￥1.1026
150+
￥0.9786
500+
￥0.8238
3000+
￥0.7549
6000+
￥0.7136

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:1.7A

型号：FDN5630 编号：C236899

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总效率而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。此 MOSFET 可在很小的 SOT23 占地面积中提供极低 RDS(ON)。与具有相当的 RDS(ON) 规格的其他 MOSFET 相比，Fairchild 的 PowerTrench 技术可提供更快的开关速度。因此提高了总体效率，减小了板空间。

数据手册

5+
￥1.3952
50+
￥1.1041
150+
￥0.9794
500+
￥0.8237
3000+
￥0.7544
6000+
￥0.7128

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.3A

型号：FDC655BN 编号：C201758

封装：SSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

数据手册

5+
￥1.4755
50+
￥1.2759
150+
￥1.1904
500+
￥1.0836
3000+
￥1.0361
6000+
￥1.0076

有货

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独立式耐压:150V 电流:1uA

型号：1SMB5953BT3G 编号：C238877

封装：SMB

品牌：onsemi(安森美)

特性：齐纳电压范围：3.3V至200V。人体模型静电放电等级3级（>16kV）。平整的操作表面，便于精确放置。封装设计支持顶部或底部电路板安装。符合AEC-Q101标准，可提供生产件批准程序文件。无铅器件

数据手册

5+
￥1.5401
50+
￥1.2145
150+
￥1.075
500+
￥0.9009

有货

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PNP 电流:2A 电压:40V

型号：NSS40200LT1G 编号：C232571

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

数据手册

5+
￥1.5795
50+
￥1.3023
150+
￥1.1835
500+
￥1.0353

有货

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轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器

型号：NCS20071SN2T1G 编号：C457774

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

NCx2007x系列运算放大器可实现轨到轨输出操作，带宽为3 MHz，有单通道、双通道和四通道配置可供选择。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3 MHz的带宽。NCx2007x可在低至2 V的电源电压下工作

数据手册

5+
￥1.5915
50+
￥1.2337
150+
￥1.0803
500+
￥0.889
3000+
￥0.8038
6000+
￥0.7526

有货

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双极小信号晶体管 NPN 电流:500mA 电压:300V

型号：MPSA42 编号：C719821

封装：TO-92

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 TO-92 封装。

数据手册

5+
￥1.7074
50+
￥1.3618
150+
￥1.2137
1000+
￥1.0026

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD817DSD 编号：C241832

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

数据手册

5+
￥1.7263
50+
￥1.3704
150+
￥1.2179
1000+
￥0.891
2000+
￥0.8063
5000+
￥0.7555

有货

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1.5V 150mA 6V

型号：NCP698SQ15T1G 编号：C233370

封装：SC-82AB

品牌：onsemi(安森美)

该系列固定输出低压差线性稳压器专为手持通信设备和便携式电池供电应用而设计，这些应用需要低静态电流和接地电流。该系列的特点是具有 2.5 μA 的超低静态电流。每个器件包含一个电压基准单元、一个误差放大器、一个 PMOS 功率晶体管、用于设置输出电压的电阻、电流限制和温度限制保护电路

数据手册

5+
￥1.7486
50+
￥1.3554
150+
￥1.1869
500+
￥0.9767

有货

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独立式耐压:3.3V 电流:300uA@1V

型号：1N5333BRLG 编号：C82364

封装：插件,D3.3xL8.4mm

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥1.7958
50+
￥1.3926
150+
￥1.1936
500+
￥0.978

有货

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单电源四路运算放大器

型号：LM224DR2G 编号：C150041

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

单电源四运算放大器是低成本的四运算放大器，具有真正的差分输入。它们在单电源应用中比标准运算放大器类型具有几个明显的优势。四运算放大器可以在低至3.0V或高达32V的电源电压下工作，静态电流约为MC1741的五分之一（每个放大器）。共模输入范围包括负电源，从而在许多应用中无需外部偏置组件。输出电压范围也包括负电源电压。

数据手册

5+
￥1.8463
50+
￥1.4305
150+
￥1.2523
500+
￥1.0299
2500+
￥0.9309
5000+
￥0.8715

有货

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12V 500mA 35V

型号：MC79M12CDTRKG 编号：C67852

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

固定输出负电压调节器，有 -5.0V、-8.0V、-12V 和 -15V 固定输出电压选项。采用限流、热关断和安全区补偿，在大多数工作条件下非常耐用。有足够散热时可提供超过 0.5A 的输出电流。

数据手册

5+
￥1.8941
50+
￥1.4808
150+
￥1.3037
500+
￥1.0375
2500+
￥0.9391
5000+
￥0.88

有货

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8/16-Kb SPI 串行 EEPROM

型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥1.9
10+
￥1.63
30+
￥1.52
100+
￥1.37
500+
￥1.31
1000+
￥1.27

有货

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耐压:1000V 电流:1A

型号：MDB10S 编号：C258169

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

1A、1000V MicroDIP封装，单相桥式整流器

数据手册

5+
￥2.0013
50+
￥1.5572
150+
￥1.3669
500+
￥1.1295

有货

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推挽式输出 8位串行至并行移位寄存器

型号：MC74HC164ADR2G 编号：C57395

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

该产品与LS164引脚排列相同，其输入与标准CMOS输出兼容；通过上拉电阻，也与LSTTL输出兼容。它是一个8位串行输入到并行输出的移位寄存器，提供两个串行数据输入A1和A2，因此可以将一个输入用作数据使能。数据在时钟的每个上升沿输入。低电平有效的异步复位会覆盖时钟和串行数据输入。

数据手册

5+
￥2.09232 ￥2.3248
50+
￥1.478 ￥1.8475
150+
￥1.1501 ￥1.643
500+
￥0.97146 ￥1.3878
2500+
￥0.89194 ￥1.2742
5000+
￥0.8442 ￥1.206

有货

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12V 1A 27V

型号：MC7812CDTRKG 编号：C113538

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：onsemi(安森美)

这些电压调节器是单片集成电路，设计用作各种应用的固定电压调节器，包括本地、板载调节。这些调节器采用内部限流、热关断和安全区补偿。在有足够散热的情况下，它们可以提供超过 1.0A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件可与外部元件配合使用，以获得可调电压和电流。

数据手册

5+
￥2.1201
50+
￥1.6654
150+
￥1.4706
500+
￥1.2274
2500+
￥1.1192
5000+
￥1.0542

有货

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3V~29.5V 100mA 26V

型号：LM2931ACDR2G 编号：C114265

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

由正固定和可调输出电压调节器组成，旨在以极低的输入输出电压差保持适当的调节。能够提供超过100 mA的输出电流，在10 mA输出时具有0.4 mA的低偏置电流。主要设计用于在恶劣的汽车环境中生存，可保护所有外部负载电路免受反向电池连接、两次电池启动和负载突降期间的过度线路瞬变引起的输入故障条件的影响。该系列还包括内部限流、热关断功能，此外，还能够承受镜像插入时的临时上电。由于低压差电压和偏置电流规格，非常适合需要延长电池使用寿命的电池供电工业和消费设备。带后缀的可调输出调节器具有输出禁止引脚，这在基于微处理器的系统中非常有用。

数据手册

5+
￥2.155412 ￥2.1994
50+
￥1.536128 ￥1.7456
150+
￥1.209858 ￥1.5511
500+
￥1.02063 ￥1.3085
2500+
￥0.936312 ￥1.2004
5000+
￥0.885768 ￥1.1356

有货

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单向ESD 5V截止峰值脉冲电流：1.6A

型号：NSQA6V8AW5T2G 编号：C233419

封装：SOT-353

品牌：onsemi(安森美)

这款集成浪涌保护装置（浪涌防护）专为需要瞬态过电压保护的应用而设计。它适用于计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等敏感设备及其他应用场景。其集成设计仅用一个封装就能为四条独立线路提供高效可靠的保护。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

数据手册

5+
￥2.1907
50+
￥1.7335
150+
￥1.5376
500+
￥1.2931

有货

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独立式耐压:24V 电流:0.5uA

型号：1N5359BRLG 编号：C9082

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

5+
￥2.193
50+
￥1.7197
150+
￥1.5168
500+
￥1.2637

有货

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单向ESD 5V截止峰值浪涌电流：17A@8/20us

型号：SZSM05T1G 编号：C464136

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此类双路单片硅二极管适用于需要保护功能的应用。此类器件适合用于电压和 ESD 敏感设备，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两个单独的线路。此类器件适用于板空间非常宝贵的情况。

数据手册

5+
￥2.2241
50+
￥1.7806
150+
￥1.5905
500+
￥1.3533

有货

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二次侧同步整流控制器，适用于反激式转换器

型号：FAN6240M6X 编号：C606017

封装：SOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

FAN6240M6X是一款用于工作在不连续导通模式（DCM）的隔离反激式转换器的次级侧同步整流器（SR）控制器。自适应死区时间控制算法可最大限度减少SR MOSFET的体二极管导通，同时确保SR在面对电路寄生效应引起的噪声和干扰时能稳定可靠地工作。额定输入电压为30 V的LDO和低VDD欠压锁定（UVLO）电压使FAN6240M6X无需额外电路即可用于宽范围的开关模式电源输出电压。

数据手册

1+
￥2.278 ￥3.4
10+
￥1.7328 ￥3.04
30+
￥1.3442 ￥2.86
100+
￥1.2596 ￥2.68
500+
￥1.2079 ￥2.57
1000+
￥1.1844 ￥2.52

有货

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耐压:30V 电流:12A

型号：FDMC7696 编号：C890948

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

1+
￥2.28
10+
￥1.77
30+
￥1.55
100+
￥1.28
500+
￥1.15
1000+
￥1.08

有货

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM121CR2V 编号：C903699

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM121 系列、FODM124 和 FODM2701 在紧凑型 4 引脚微型扁平封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动光电晶体管。引线间距为 2.54 mm。FODM2705 由两个逆向并联的砷化镓红外发光二极管组成，用于交流运行。

数据手册

1+
￥2.47
10+
￥1.92
30+
￥1.68
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

有货

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六路施密特触发反相器

型号：74LCX14MTCX 编号：C6011

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

特性：包含六个带施密特触发器输入的反相器门。能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。比传统反相器具有更大的噪声容限。正向和负向输入阈值之间具有迟滞（典型值为1.0V），由晶体管比率内部确定，基本不受温度和电源电压变化的影响

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.99
30+
￥1.76
100+
￥1.47
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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高压大电流达林顿晶体管阵列

型号：NCV1413BDR2G 编号：C138393

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

这些阵列中的七个 NPN 达灵顿联接晶体管非常适用于驱动各种工业和消费应用中的灯、继电器或打印字锤。其高击穿电压和内部抑制二极管可确保电感负载不会出现问题。最高 500 mA 的峰值涌入电流使其能够驱动白炽灯。带 2.7 kΩ 系列输入电阻的 MC1413，B 适用于使用 5.0 V TTL 或 CMOS 逻辑的系统。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥1.99
30+
￥1.75
100+
￥1.46
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

有货

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200V 3A

型号：S3DB 编号：C894249

封装：DO-214AA(SMB)

品牌：onsemi(安森美)

3A、1200V表面贴装整流器

数据手册

1+
￥2.55
10+
￥2.01
30+
￥1.77
100+
￥1.48
500+
￥1.35
1000+
￥1.27

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:136A

型号：NTMFS4C022NT1G 编号：C179623

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，30 V，136A，1.7 mΩ，单 N 沟道，SO?8FL

数据手册

1+
￥2.6
10+
￥2.07
30+
￥1.84
100+
￥1.56
500+
￥1.43
1500+
￥1.36

有货

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9.1V 7.5uA@6.9V

型号：1N5346BRLG 编号：C9077

封装：DO-27

品牌：onsemi(安森美)

这是全系列 5.0 瓦齐纳二极管，其严格限值和更佳的运行特性体现了硅氧化物钝化结的卓越性能。该系列全部采用轴心线转印成型塑料封装，可在所有常见环境条件下提供保护。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.09
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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