安世模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：PHPT60406PYX 编号：C552654

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

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型号：PTVS10VS1UTR-QX 编号：C20235877

封装：SOD-123W

品牌：Nexperia(安世)

400W单向瞬态电压抑制器，采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件（SMD）塑料封装，专为高温应用中的瞬态过电压保护而设计。

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型号：74HCT540D,653 编号：C547776

封装：SO-20-300mil

品牌：Nexperia(安世)

是一个8位反相缓冲器/线路驱动器，具有三态输出。该设备具有两个输出使能（OE1和OE2）。OEn上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。

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型号：PMV250EPEA215 编号：C3275832

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：74HC595BQ,115 编号：C730243

封装：DHVQFN-16-EP(2.5x3.5)

品牌：Nexperia(安世)

是一个带有存储寄存器和三态输出的8位串行输入、串行或并行输出移位寄存器。移位寄存器和存储寄存器都有独立的时钟。该器件具有一个串行输入 (DS) 和一个串行输出 (Q7S) 以实现级联，并具有一个异步复位 MR 输入。MR 上的低电平将复位移位寄存器。数据在 SHCP 输入的低到高转换时移位。当输出使能输入 (OE) 为低电平时，存储寄存器中的数据会出现在输出端。OE 上的高电平使输出呈现高阻抗关断状态。OE 输入的操作不影响寄存器的状态。输入包括钳位二极管，这使得可以使用限流电阻将输入连接到超过 VCC 的电压。

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型号：74LVCH8T245BQ,118 编号：C458263

封装：DHVQFN-24-EP(3.5x5.5)

品牌：Nexperia(安世)

是8位双电源转换收发器，具有三态输出，可实现双向电平转换。具有两个数据输入输出端口（引脚An和Bn）、一个方向控制输入（DIR）、一个输出使能输入（OE）和双电源引脚（VCC(A)和VCC(B)）。VCC(A)和VCC(B)可在1.2V至5.5V之间的任何电压下供电，适用于任何低压节点（1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V）之间的转换。引脚An、OE和DIR参考VCC(A)，引脚Bn参考VCC(B)

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型号：NCA9555PWJ 编号：C6330665

封装：TSSOP-24

品牌：Nexperia(安世)

提供16位通用输入/输出扩展，支持I2C-bus/SMBus应用。工作电压范围为1.65V至5.5V，具有中断输出和默认上拉电阻。

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型号：PSMN011-60MSX 编号：C458201

封装：LFPAK33-8

品牌：Nexperia(安世)

采用LFPAK33封装的标准电平增强型N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，适用于广泛的工业、通信和家用设备。

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型号：PMPB95ENEAX 编号：C458195

封装：SOT1220

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：HEF4104BT,653 编号：C7531

封装：SOIC-16

品牌：Nexperia(安世)

HEF4104B是一款四路低至高压转换器，具有互补的三态输出（Bn和Bn）。输出使能输入(OE)为低电平时，输出将处于高阻抗关断状态。输入包括钳位二极管

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型号：PSMN1R0-30YLDX 编号：C478145

封装：LFPAK-56

品牌：Nexperia(安世)

采用LFPAK56封装的300A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET相关的高效率、低尖峰性能，同时不会出现高漏电流问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

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型号：PSMN2R2-25YLC,115 编号：C553252

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。

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型号：PMEG060T100CLPE-QZ 编号：C7508854

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

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型号：74LVT04PW,118 编号：C548954

封装：TSSOP-14

品牌：Nexperia(安世)

是一款六反相器。该器件针对使用 IoFF 的部分掉电应用进行了全面规格设计。IoFF 电路可禁用输出，防止器件掉电时产生可能损坏的回流电流。

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型号：BUK7Y41-80EX 编号：C549923

封装：SOT-669

品牌：Nexperia(安世)

标准电平 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchMOS 技术，封装为 LFPAK56（Power SO8）。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

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型号：BUK962R5-60E,118 编号：C549971

封装：D2PAK

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平 N 沟道 MOSFET，采用 SOT404 封装和 TrenchMOS 技术。该产品已按照 AEC G101 标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

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￥6.72
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￥5.8685 ￥6.05

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型号：PSMN1R0-30YLC,115 编号：C82742

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平增强型 N 沟道 MOSFET，采用 LFPAK 封装。该产品设计并适用于广泛的工业、通信和家用设备。

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型号：PMEG045T150EPDAZ 编号：C552775

封装：SOT1289

品牌：Nexperia(安世)

沟槽最大效率通用型（MEGA）肖特基势垒整流器，采用CFP15（SOT1289）功率扁平引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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型号：74LVCH8T245BQ-Q10J 编号：C548930

封装：DHVQFN-24-EP(3.5x5.5)

品牌：Nexperia(安世)

是8位双电源转换收发器，具有三态输出，可实现双向电平转换。它们具有两个数据输入输出端口（引脚An和Bn）、一个方向控制输入（DIR）、一个输出使能输入（OE）和双电源引脚VCC(A)和VCC(B)。VCC(A)和VCC(B)均可在1.2V至5.5V之间的任何电压下供电，这种灵活性使该器件适用于任何低压节点（1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V）之间的转换。引脚An、OE和DIR参考VCC(A)，引脚Bn参考VCC(B)

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