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首页 > 热门关键词 > 安世模拟芯片
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是一款具有三态输出的 8 位缓冲器/线路驱动器。该器件具有两个输出使能端(OE1 和 OE2)。OE1 为高电平时,相关输出将呈现高阻抗关断状态。输入具有过压耐受性,此特性允许这些器件在混合电压环境中用作转换器。
数据手册
  • 5+

    ¥1.6511
  • 50+

    ¥1.3224
  • 150+

    ¥1.1815
  • 500+

    ¥0.95551 ¥1.0058
  • 2500+

    ¥0.881125 ¥0.9275
  • 5000+

    ¥0.836475 ¥0.8805
  • 有货
  • 74LVC00A 是一款四 2 输入与非门。其输入可由 3.3 V 或 5 V 器件驱动
    数据手册
    • 5+

      ¥1.697
    • 50+

      ¥1.347
    • 150+

      ¥1.1969
    • 500+

      ¥1.0098
    • 2500+

      ¥0.8288
    • 5000+

      ¥0.7788
  • 有货
  • 低功率电压调节器二极管,采用小型SOD323 (SC-76) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。二极管提供归一化E24 ±1%、±2% 和大约 ±5% 的公差范围。该系列包括37种击穿电压,标称工作电压从2.4 V到75 V。
    • 5+

      ¥1.821
    • 50+

      ¥1.4356
    • 150+

      ¥1.2704
    • 500+

      ¥1.032468 ¥1.0644
    • 2500+

      ¥0.943422 ¥0.9726
    • 5000+

      ¥0.890072 ¥0.9176
  • 有货
  • 74HC241、74HCT241 是一款具有三态输出的 8 位缓冲器/线路驱动器。该器件可用作两个 4 位缓冲器或一个 8 位缓冲器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.8395 ¥2.83
    • 10+

      ¥1.3805 ¥2.51
    • 30+

      ¥1.0575 ¥2.35
    • 100+

      ¥0.9855 ¥2.19
    • 500+

      ¥0.945 ¥2.1
    • 1000+

      ¥0.9225 ¥2.05
  • 有货
  • 采用SOD128小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的600 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为高温应用中的瞬态过电压保护而设计。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8541
    • 50+

      ¥1.4617
    • 150+

      ¥1.2935
    • 500+

      ¥1.040352 ¥1.0837
    • 3000+

      ¥0.950688 ¥0.9903
    • 6000+

      ¥0.896832 ¥0.9342
  • 有货
  • 平面低正向电压(V_F)肖特基势垒整流器,采用CFP15B(SOT1289B)功率扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    • 5+

      ¥2.071
    • 50+

      ¥1.6327
    • 150+

      ¥1.4449
    • 500+

      ¥1.174185 ¥1.2105
    • 2500+

      ¥1.073014 ¥1.1062
    • 5000+

      ¥1.012292 ¥1.0436
  • 有货
  • 双高压开关二极管,封装在小型表面贴装器件 (SIMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2847
    • 50+

      ¥1.8021
    • 150+

      ¥1.5953
    • 500+

      ¥1.270435 ¥1.3373
    • 3000+

      ¥1.16128 ¥1.2224
    • 6000+

      ¥1.09573 ¥1.1534
  • 有货
  • N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
    数据手册
    • 5+

      ¥2.37
    • 50+

      ¥1.86
    • 150+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.3662 ¥1.38
    • 3000+

      ¥1.2177 ¥1.23
    • 6000+

      ¥1.1385 ¥1.15
  • 有货
  • 是一款具有三态输出的8位D型透明锁存器。该器件具有锁存使能 (LE) 和输出使能 (OE) 输入。当LE为高电平时,输入的数据进入锁存器。在这种情况下,锁存器是透明的;每次其对应的D输入发生变化时,锁存器输出都会改变。当LE为低电平时,锁存器存储在LE从高到低转换之前一个建立时间的输入信息。OE为高电平会使输出呈现高阻抗关断状态。OE输入的操作不影响锁存器的状态。输入包括钳位二极管,这使得能够使用限流电阻将输入连接到超过VCC的电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.96
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.4065 ¥1.45
    • 500+

      ¥1.2901 ¥1.33
    • 1000+

      ¥1.2125 ¥1.25
  • 有货
  • 是一款用于开漏和推挽应用的单通道双向多电压电平转换器。它支持在电容负载 ≤30pF 时高达 100MHz 的向上转换和 ≥100MHz 的向下转换。无需方向引脚,可最大限度减少系统工作量。支持 5V 容限 I/O 引脚,以兼容各种应用中的 TTL 电平。能够在每个通道上设置不同的电压转换电平,使该器件非常灵活,适用于许多不同的应用。
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.82
    • 100+

      ¥1.5092 ¥1.54
    • 500+

      ¥1.3916 ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.3132 ¥1.34
  • 有货
  • 74AHC2G00、74AHCT2G00 是高速硅栅 CMOS 器件,它们提供两个 2 输入与非门。AHC 器件具有 CMOS 输入开关电平,电源电压范围为 2 V 至 5 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.61
    • 10+

      ¥2.08
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.5386 ¥1.57
    • 500+

      ¥1.421 ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.3426 ¥1.37
  • 有货
  • 这是一款带有三态输出的八进制 D 型透明锁存器。该器件具有锁存使能 (LE) 和输出使能 (OE) 输入。当 LE 为高电平时,输入的数据进入锁存器,此时锁存器是透明的,其输出会随对应 D 输入的变化而变化。当 LE 为低电平时,锁存器存储在 LE 从高到低转换前建立时间内输入的信息
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.17
    • 100+

      ¥1.8032 ¥1.84
    • 500+

      ¥1.6562 ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.568 ¥1.6
  • 有货
  • 采用功率DPAK、TO - 252(SOT428C)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN型高功率双极晶体管。PNP互补型号:MJD45H11A
    • 1+

      ¥3.12
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.805 ¥1.9
    • 500+

      ¥1.672 ¥1.76
    • 1000+

      ¥1.5865 ¥1.67
  • 有货
  • N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.42
    • 100+

      ¥2.037 ¥2.1
    • 500+

      ¥1.843 ¥1.9
    • 1000+

      ¥1.7557 ¥1.81
  • 有货
  • 74LVC4245A是一款八进制双电源转换收发器,在发送和接收方向均具备三态总线兼容输出。它专为在3V和5V混合电源环境下实现3V总线与5V总线之间的接口连接而设计。该器件设有输出使能输入(OE)和发送/接收输入(DIR),用于方向控制
    数据手册
    • 1+

      ¥3.74
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.7
    • 100+

      ¥2.2892 ¥2.36
    • 500+

      ¥1.9691 ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.8624 ¥1.92
  • 有货
  • 74LVT245是一款具有三态输出的8位收发器。该器件具备输出使能(OE)和发送/接收(DIR)功能,用于方向控制
    数据手册
    • 1+

      ¥4.46
    • 10+

      ¥3.7
    • 30+

      ¥3.32
    • 100+

      ¥2.8812 ¥2.94
    • 500+

      ¥2.3716 ¥2.42
    • 1000+

      ¥2.254 ¥2.3
  • 有货
  • N-沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.55
    • 30+

      ¥4.05
    • 100+

      ¥3.382 ¥3.56
    • 500+

      ¥3.097 ¥3.26
    • 1000+

      ¥2.9545 ¥3.11
  • 有货
  • 是双2输入或门。输入包括钳位二极管,这使得使用限流电阻将输入连接到超过电源电压(VCC)的电压成为可能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.62
    • 10+

      ¥4.59
    • 30+

      ¥4.08
    • 100+

      ¥3.4986 ¥3.57
    • 500+

      ¥3.1948 ¥3.26
    • 1000+

      ¥3.038 ¥3.1
  • 有货
  • 4-to-16线解码器/分离器
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
    • 10+

      ¥4.96
    • 30+

      ¥4.43
    • 100+

      ¥3.7927 ¥3.91
    • 500+

      ¥3.3756 ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.2107 ¥3.31
  • 有货
  • 中功率电压调节二极管,采用SOT89塑料贴片封装。二极管在归一化E24近似±5%公差范围内提供。该系列由37种类型组成,标称工作电压为2.4至75 V。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
    • 10+

      ¥5.36
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥3.977 ¥4.1
    • 500+

      ¥3.6084 ¥3.72
    • 1000+

      ¥3.4241 ¥3.53
  • 有货
  • 双标准电平 N 沟道 MOSFET,采用 TrenchMOS 技术,封装为 LFPAK56D(双 Power-SO8)。该产品已按照 AEC Q101 标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
    • 10+

      ¥6.05
    • 30+

      ¥5.74
    • 100+

      ¥5.111 ¥5.38
    • 500+

      ¥4.9685 ¥5.23
    • 1500+

      ¥4.8925 ¥5.15
  • 有货
  • 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET,封装在坚固的LFPAK56封装中。该产品经过全面设计和认证,符合AEC-Q101要求,具有高性能和耐用性。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.2
    • 10+

      ¥9.52
    • 30+

      ¥8.47
    • 100+

      ¥7.1683 ¥7.39
    • 500+

      ¥6.7027 ¥6.91
    • 1500+

      ¥6.499 ¥6.7
  • 有货
  • NPN高功率双极晶体管,采用SOT669 (LFPAK56)表面贴装器件(SMD)功率塑料封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.77
    • 10+

      ¥9.93
    • 30+

      ¥8.78
    • 100+

      ¥7.372 ¥7.6
    • 500+

      ¥6.8579 ¥7.07
    • 1500+

      ¥6.6348 ¥6.84
  • 有货
  • SuperSOA N 沟道增强型 MOSFET,采用 D2PAK 封装,可在 175℃ 下工作。具备低 RDSon 和很强的线性模式(SOA)性能,可与最新的“热插拔”控制器配合使用,能够承受开启时的大量浪涌电流,低 RDSon 可将 I²R 损耗降至最低,并在完全导通时提供最佳效率。
    • 1+

      ¥13.75
    • 10+

      ¥13.08
    • 30+

      ¥12.68
    • 100+

      ¥11.9019 ¥12.27
    • 500+

      ¥11.7273 ¥12.09
    • 800+

      ¥11.64 ¥12
  • 有货
    • 1+

      ¥18.97
    • 10+

      ¥16.29
    • 30+

      ¥14.69
    • 100+

      ¥12.6876 ¥13.08
    • 500+

      ¥11.9698 ¥12.34
    • 800+

      ¥11.64 ¥12
  • 有货
  • 逻辑电平N沟道MOSFET,采用TrenchMOS技术,采用LFPAK56(Power SO8)封装。该产品已根据AEC G101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥40.09
    • 10+

      ¥34.79
    • 30+

      ¥31.55
    • 100+

      ¥28.2632 ¥28.84
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用SOD523 (SC-79)超小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.244145 ¥0.4439
    • 50+

      ¥0.179415 ¥0.3987
    • 150+

      ¥0.13167 ¥0.3762
    • 500+

      ¥0.12572 ¥0.3592
    • 2500+

      ¥0.120995 ¥0.3457
    • 5000+

      ¥0.118615 ¥0.3389
  • 有货
  • 通用齐纳二极管,采用 SOT323 (SC-70) 无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2633
    • 100+

      ¥0.2141
    • 300+

      ¥0.1895
    • 3000+

      ¥0.16416 ¥0.171
    • 6000+

      ¥0.149952 ¥0.1562
    • 9000+

      ¥0.142848 ¥0.1488
  • 有货
  • PNP电阻式晶体管(RET),采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号:PDTD123YT
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2637
    • 100+

      ¥0.2149
    • 300+

      ¥0.1905
    • 3000+

      ¥0.165385 ¥0.1705
    • 6000+

      ¥0.151223 ¥0.1559
    • 9000+

      ¥0.144142 ¥0.1486
  • 有货
  • NPN/NPN双电阻晶体管(RET),采用表面贴装器件(SIMD)塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2772
    • 100+

      ¥0.2233
    • 300+

      ¥0.1963
    • 1000+

      ¥0.170817 ¥0.1761
    • 5000+

      ¥0.155103 ¥0.1599
    • 10000+

      ¥0.147246 ¥0.1518
  • 有货
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