微芯模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：PIC18F1220-I/SO 编号：C220790

封装：SOIC-18-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：PIC18F25K83-I/SS 编号：C155483

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC18(L)FXXK83 是一个全功能的CAN产品系列，可用于汽车和工业应用。该系列产品拥有多种通信外设，如CAN、SPI、两个I2C、两个UART、LIN、DMX和DALI，能够处理智能应用中的各种有线和无线（使用外部模块）通信协议。该系列包括一个带有计算扩展功能的12位ADC（ADC2），用于自动信号分析，以降低应用的复杂性。结合核心独立外设的集成能力，可实现电机控制、电源、传感器、信号以及用户界面应用的功能。

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型号：PIC24FJ64GA002-I/SS 编号：C641961

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能CPU：改进的哈佛架构。最高32 MHz时可达16 MIPS运算。8 MHz内部振荡器，有4倍PLL选项和多种分频选项。17位×17位单周期硬件乘法器。32位×16位硬件除法器。16位×16位工作寄存器阵列。C编译器优化指令集架构：76条基本指令，灵活的寻址模式，两个用于数据存储器独立读写寻址的地址生成单元 (AGU)。特殊微控制器特性：工作电压范围2.0V至3.6V

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型号：PIC18F26K80-I/MM 编号：C431488

封装：QFN-28-EP(6x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行模式：CPU 开启，外设开启。空闲模式：CPU 关闭，外设开启。睡眠模式：CPU 关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器 (FSCM)。节能外设模块禁用 (PMD)。超低功耗唤醒。快速唤醒，典型值 1 μs

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型号：PIC18F65J94-I/PT 编号：C634565

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：多种电源管理选项可实现极低功耗: -VBAT 允许备用电池实现最低功耗（带或不带 RTCC）。深度睡眠模式可实现近乎完全掉电，并能通过外部触发唤醒。睡眠和空闲模式可选择性关闭外设和/或内核，以大幅降低功耗并实现快速唤醒。备用时钟模式允许动态切换到较低时钟速度以选择性降低功耗。深度睡眠模式下极低的功耗电流: -WDT：2V 时典型值为 650 nA。RTCC：32 kHz、2V 时典型值为 650 nA。深度睡眠电流典型值为 80 nA。符合 USB V2.0 标准

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型号：AT91SAM9X35-CU 编号：C1522314

封装：BGA-217

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SAM9X35 是 Atmel | SMART 系列 400 MHz ARM926EJ-S 嵌入式微处理器单元的一员。该微处理器具有丰富的外设集和高带宽架构，适用于需要精细用户界面和高速通信的工业应用。SAM9X35 配备了带有 4 层叠加和 2D 加速（画中画、alpha 混合、缩放、旋转、颜色转换）的图形 LCD 控制器，以及支持 4 线或 5 线电阻式触摸屏面板的 10 位 ADC。网络/连接外设包括两个 2.0A/B 兼容的控制器局域网 (CAN) 接口和符合 IEEE 标准 802.3 的 10/100 Mbps 以太网 MAC。多种通信接口包括仅支持 Conexant SmartDAA 线路驱动器的软调制解调器、高速 USB 设备和主机、全速 USB 主机、两个高速 SD 卡/SDIO/MMC 接口、USARTs、SPIs、I2S、TWIs 和 10 位 ADC。与 2x8 中央 DMA 通道相关的 10 层总线矩阵以及专用 DMA 用于支持高速连接外设，确保数据传输不间断且处理器开销最小。外部总线接口集成了 4 银行和 8 银行 DDR2/LPDDR、SDRAM/LPSDRAM、静态存储器的控制器，以及支持集成高达 24 位 ECC 的 MLC/SLC NAND Flash 的特定电路。SAM9X35 采用 0.8 mm 焊球间距的 217 球 BGA 封装。

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型号：ATSAMD21J18A-MU 编号：C614641

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：处理器：Arm Cortex-M0+ CPU，最高运行频率48 MHz，具备单周期硬件乘法器和微跟踪缓冲区（MTB）。存储器：4/2/1/0.5 KB 读写同步（RWWEE）闪存区（256 KB 设备上不可用）；256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存；32/16/8/4 KB SRAM 存储器。系统：具备上电复位（POR）和欠压检测（BOD）；提供内部和外部时钟选项，配备48 MHz 数字锁相环（DFLL48M）和48 MHz 至96 MHz 分数数字锁相环（FDPLL96M）；有外部中断控制器（EIC），支持16 个外部中断、1 个不可屏蔽中断（NMI）；采用两线串行调试（SWD）编程、测试和调试接口。低功耗：支持空闲和待机睡眠模式，具备睡眠行走外设。外设：12 通道直接内存访问控制器（DMAC）；12 通道事件系统；最多五个16 位定时器/计数器（TC），可配置为不同模式；可在端口引脚上生成同步脉冲宽度调制（PWM）模式，具备确定性故障保护、快速衰减和互补输出之间的可配置死区时间；抖动功能可将分辨率提高多达5 位并减少量化误差；每个24 位TCC 最多八个PWM 通道，每个16 位TCC 最多两个PWM 通道，每个16 位TC 最多两个PWM 通道；32 位实时计数器（RTC），具备时钟/日历功能；看门狗定时器（WDT）；CRC-32 生成器；一个全速（12 Mbps）通用串行总线（USB）2.0 接口，具备嵌入式主机和设备功能，八个端点；最多六个串行通信接口（SERCOM），可配置为多种模式；一个两通道片上音频（I²S）接口；一个12 位、350 ksps 模数转换器（ADC），最多20 个通道，支持差分和单端输入，具备1/2x 至16x 可编程增益级、自动偏移和增益误差补偿、硬件过采样和抽取以支持13-16 位分辨率；10 位、350 ksps 数模转换器（DAC）；最多四个模拟比较器（AC），具备窗口比较功能；外设触摸控制器（PTC），最多256 通道电容式触摸和接近感应。 I/O：最多52 个可编程I/O 引脚。认证：SAM D21 符合AEC-Q100 1 级（-40℃ 至125℃），SAM DA1 符合AEC-Q100 2 级（-40℃ 至105℃）。兼容性：与SAM D20 直接兼容

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型号：PIC18F1220-I/SS 编号：C219131

封装：SSOP-20-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：ATSAM3U2CA-AU 编号：C81839

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SMART SAM3U 系列是基于高性能 32 位 ARM Cortex-M3 RISC 处理器的 Flash 微控制器家族中的一员。它以最高 96 MHz 的速度运行，具有高达 256 KB 的 Flash 和高达 52 KB 的 SRAM。外设集包括带有嵌入式收发器的高速 USB 设备端口、用于 SDIO/SD/MMC 的高速 MCI、带有 NAND Flash 控制器的外部总线接口、最多 4 个 USART、最多 2 个 TWI、最多 5 个 SPI，以及 4 个 PWM 定时器、一个 3 通道 16 位通用定时器、低功耗 RTC、12 位 ADC 和 10 位 ADC。SAM3U 设备具有三种软件可选的低功耗模式：睡眠模式、等待模式和备份模式。在睡眠模式下，处理器停止运行，而其他功能可以继续运行。在等待模式下，所有时钟和功能都停止，但某些外设可以根据预定义条件配置为唤醒系统。在备份模式下，只有 RTC、RTT 和唤醒逻辑在运行。实时事件管理允许外设在活动模式和睡眠模式下接收、响应并发送事件，而无需处理器干预。SAM3U 架构特别设计用于支持高速数据传输。它包括多层总线矩阵以及多个 SRAM 银行、PDC 和 DMA 通道，使其能够并行运行任务并最大化数据吞吐量。它可以工作在 1.62V 到 3.6V 的电压范围内，并提供 100 引脚和 144 引脚 LQFP 和 BGA 封装。SAM3U 设备特别适用于 USB 应用：数据记录器、PC 外设以及任何高速桥接（USB 到 SDIO、USB 到 SPI、USB 到外部总线接口）。

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型号：HV816K6-G 编号：C622896

封装：WQFN-16-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：PIC32MX170F256B-I/SP 编号：C643661

封装：SPDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：MIPS16e® 模式，代码大小最多可缩小 40%。代码高效（C 和汇编）架构。单周期（MAC）32×16 和双周期 32×32 乘法。 0.9% 内部振荡器。可编程 PLL 和振荡器时钟源。故障安全时钟监视器（FSCM）

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型号：PIC18F27J53-I/ML 编号：C640018

封装：QFN-28-EP(6x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：USB V2.0兼容。低速（1.5 Mbps）和全速（12 Mbps）。支持控制、中断、同步和批量传输。支持多达32个端点（16个双向）。 USB模块可使用设备上的任何RAM位置作为USB端点缓冲区。无晶振片上USB收发器。深度睡眠模式：CPU关闭，外设关闭，电流低至13 nA，带RTCC时为850 nA，能够通过外部触发、可编程WDT或RTCC警报唤醒，超低功耗唤醒（ULPWU）。睡眠模式：CPU关闭，外设关闭，SRAM开启，快速唤醒，典型电流低至105 nA

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型号：SST39VF1601-70-4I-EKE-T 编号：C21923

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥25.2069 ￥34.53

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型号：ATXMEGA64D4-MHR 编号：C2052805

封装：VQFN-44-EP(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能、低功耗。非易失性程序和数据存储器。 16K-128KB 系统内自编程闪存。 4K-8KB 引导区。应用：工业控制。气候控制

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型号：PIC24FJ1024GA606-I/PT 编号：C634719

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能CPU，采用改进的哈佛架构。最大程序内存为1024 Kbytes，适用于最复杂的应用。所有部件变体均有32 Kbytes SRAM。最高16 MIPS运行速度，工作频率为32 MHz。 8 MHz快速RC内部振荡器，具备96 MHz PLL选项、多个时钟分频选项、运行时自校准功能以保持优于±0.20%的精度、快速启动。 17位x 17位单周期硬件分数/整数乘法器。 32位除以16位硬件除法器。 16位x 16位工作寄存器阵列

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￥25.4 ￥50.8
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￥23.115 ￥46.23

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型号：DSPIC33FJ128GP306AT-I/PT 编号：C84511

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：工作条件：3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +150°C，直流至 20 MIPS；3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +125°C，直流至 40 MIPS。核心：代码高效（C 和汇编）架构；两个 40 位宽累加器；单周期（MAC/MPY）双数据提取；单周期混合信号乘法器加硬件除法。时钟管理：±2% 内部振荡器；可编程锁相环和振荡器时钟源；故障安全时钟监视器（FSCM）；独立看门狗定时器（WDT）；快速唤醒和启动。电源管理：低功耗管理模式（睡眠、空闲、打盹）；集成上电复位和欠压复位；2.1 mA/MHz 动态电流（典型值）；50 μA IPD 电流（典型值）。应用：16 位 MCU 嵌入式应用。语音和音频处理应用

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型号：PIC16F88-I/SS 编号：C639276

封装：SSOP-20-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式: -主运行模式：RC振荡器，76 μA，1 MHz，2V。 -RC_RUN模式：7 μA，31.25 kHz，2V。 -SEC_RUN模式：9 μA，32 kHz，2V。 -睡眠模式：0.1 μA，2V。定时器1振荡器：1.8 μA，32 kHz，2V。看门狗定时器：2.2 μA，2V

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￥46.854 ￥52.06
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￥33.054 ￥47.22

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型号：SY58021UMG-TR 编号：C632377

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2.5V/3.3V精密、高速、全差分1:4 LVPECL扇出缓冲器。优化为提供四个相同的输出副本，输出偏斜小于15ps，相位抖动仅为70fsRMS，可处理高达4GHz的时钟信号。差分输入包括独特的3引脚输入终端架构，可连接低至100mV的差分LVPECL、CML和LVDS信号（交流或直流耦合），信号路径中无需任何电平转换或终端电阻网络。对于交流耦合输入接口应用，提供板载输出参考电压(VREFAC)来偏置VT引脚

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￥40.84
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型号：ATM90E36A-AU-R 编号：C481363

封装：TQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

增强型多相高性能宽量程电能计量芯片，符合 IEC62052-11, IEC62053-22 和 IEC62053-23, ANSI C12.1 和 ANSI C12.20 标准。

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型号：PIC18F46J11-I/PT 编号：C1338152

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：深度睡眠模式：CPU 关闭，外设关闭，电流低至 13 nA，带 RTCC 时为 850 nA，能够通过外部触发、可编程 WDT 或 RTCC 警报唤醒，具备超低功耗唤醒（ULPWU）功能。睡眠模式：CPU 关闭，外设关闭，SRAM 开启，快速唤醒，典型电流低至 105 nA。空闲模式：CPU 关闭，外设开启，典型电流低至 2.3 μA。运行模式：CPU 开启，外设开启，典型电流低至 6.2 μA。定时器 1 振荡器/带 RTCC：1 μA，32 kHz 典型值。看门狗定时器：813 nA，2V 典型值

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￥49.5586 ￥54.46
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￥38.0619 ￥46.99
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￥30.1324 ￥42.44
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￥27.4273 ￥38.63

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型号：ATMEGA32U4-AUR 编号：C2052746

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，该器件实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。

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型号：USB2517-JZX-TR 编号：C626668

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SMSC USB 2.0 Hi-Speed 7-Port Hub Controller，支持低速、全速和高速设备，具有灵活的端口映射和禁用顺序。完全符合USB 2.0规范，支持多种OEM配置选项。

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￥43.45
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型号：PIC24FJ128GU410-I/PT 编号：C1015891

封装：TQFP-100(12x12)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：改进的哈佛架构。 512 Kbytes闪存，32 Kbytes RAM，最高16 MIPS操作频率，主频32 MHz。 17位x 17位单周期硬件分数/整数乘法器。 32位除以16位硬件除法器。 16位x 16位工作寄存器阵列，C编译器优化指令集架构，两个地址生成单元用于数据存储器的独立读写寻址。支持64段和8个公共端，最多480像素的LCD显示控制器。 LCD电荷泵，低功耗5 μA。睡眠模式下核心独立的LCD动画操作

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￥52.76
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￥45.26
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￥40.69
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型号：PIC32MX330F064H-I/PT 编号：C220165

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：工作条件：2.3V至3.6V。 -40°C至+105°C（直流至80 MHz）。 -40°C至+85°C（直流至100 MHz）。 0°C至+70°C（直流至120 MHz）。内核：120 MHz/150 DMIPS MIPS32 M4K。 MIPS16e模式，代码大小最多可缩小40%。代码高效（C和汇编）架构。单周期（MAC）32×16和双周期32×32乘法

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￥47.33
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型号：ATSAMC21N18A-AN 编号：C1340765

封装：TQFP-100(14x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：工作条件：2.7V – 5.5V，-40°C 至 +125°C，直流至 48 MHz；-40°C 至 +85°C，直流至 64 MHz。内核：Arm Cortex-M0+ CPU 最高运行频率 48 MHz 或 64 MHz，单周期硬件乘法器，微跟踪缓冲区，内存保护单元 (MPU)。存储器：32/64/128/256 KB 系统内可自编程闪存，1/2/4/8 KB 独立可自编程闪存用于 EEPROM 仿真，4/8/16/32 KB SRAM 主存储器。

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￥49.22
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型号：ATSAMG55J19B-AU 编号：C1340051

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SMART SAM G55 是一系列基于高性能32位ARM Cortex -M4 RISC处理器（带浮点运算单元FPU）的Flash微控制器。它最高运行速度为120 MHz，具有512 K字节的Flash和最多176 K字节的SRAM。外设集包括八个灵活的通信单元，包括USART、SPI和I²C总线接口（TWI），两个三通道通用16位定时器，两个I²S控制器，一个脉冲密度调制通道，一个8通道12位ADC，一个实时时钟计时器（RTT）和一个实时时钟（RTC），两者都位于超低功耗备份区域。SAM G55设备有三种软件可选的低功耗模式：睡眠模式、等待模式和备份模式。在睡眠模式下，处理器停止工作，而其他功能可以继续运行。在等待模式下，所有时钟和功能都停止，但可以配置某些外设基于事件唤醒系统，包括部分异步唤醒（SleepWalking™）。在备份模式下，RTT、RTC和唤醒逻辑保持运行。为了优化功耗，灵活的时钟系统提供了为某些外设设置不同时钟频率的能力。此外，处理器和总线时钟频率可以在不影响外设处理的情况下进行修改。实时事件管理允许外设在活动模式和睡眠模式下接收、响应和发送事件，无需处理器干预。SAM G55设备是通用低功耗微控制器，提供高性能、处理能力和小封装选项，并结合了丰富且灵活的外设集。凭借这一独特的特性组合，SAM G55系列适用于广泛的应用，包括消费电子、工业控制和PC外设。该设备的工作电压范围为1.62V至3.6V，并提供三种封装形式：49引脚WLCSP、64引脚QFN和64引脚LQFP。

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