微芯模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

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型号：MCP4651T-503E/ST 编号：C627328

封装：TSSOP-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供多种配置选项的单/双电阻网络，支持7位和8位电阻网络，具有易失性内存配置，支持电位计和变阻器引脚配置。

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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型号：ATTINY1616-SFR 编号：C145558

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是tinyAVR 1-系列微控制器的成员，采用带硬件乘法器的8位AVR处理器，最高运行频率20MHz，14、20和24引脚封装中分别有16KB Flash、2KB SRAM和256B EEPROM。tinyAVR 1-系列采用最新技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和SleepWalking，具备精确的模拟特性和先进的外设。集成QTouch外设触摸控制器，支持带接近感应和驱动屏蔽的电容式触摸接口。

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型号：MCP1406-E/SN 编号：C145607

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1406/07 器件是一系列缓冲器/MOSFET 驱动器，具有单输出，峰值驱动电流能力达 6A，直通电流低，上升/下降时间和传播延迟时间匹配等特点。这些器件引脚兼容，是 TC4420/TC4429 MOSFET 驱动器的改进版本。MCP1406/07 MOSFET 驱动器可在 20 ns 内轻松对 2500 pF 的栅极电容进行充放电，在导通和关断状态下均提供足够低的阻抗，以确保即使存在大的瞬态信号，MOSFET 的预期状态也不会受到影响

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型号：PIC16F883-I/SS 编号：C8765

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC-20 MHz振荡器/时钟输入，DC-200 ns指令周期。中断能力。 8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选8 MHz至31 kHz频率范围，软件可调双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间可进行时钟模式切换以节省功耗。节能睡眠模式。宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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型号：PIC16F628A-I/P 编号：C81526

封装：PDIP-18

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：MD0100N8-G 编号：C629131

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MD0100是一款高电压、双向、限流保护设备。它设计用于在超声应用中保护低噪声接收器免受高压传输脉冲的影响。

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型号：MIC29300-3.3WU-TR 编号：C481370

封装：TO-263-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高电流、高精度、低压差电压调节器。采用带有PNP传输元件的专有超级β PNP工艺，这些调节器具有350mV至425mV（满载）的典型压差电压和非常低的接地电流。专为高电流负载设计，这些器件也适用于低电流、极低压差关键系统，其微小的压差电压和接地电流值是重要特性。完全受保护，可防止过流故障、输入极性反转、引脚插入反转、过热操作以及正负瞬态电压尖峰

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型号：PIC18F45K22-I/PT 编号：C68350

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：C编译器优化架构：可选扩展指令集，用于优化可重入代码。高达1024字节数据EEPROM。高达64 KB线性程序内存寻址。高达3896字节线性数据内存寻址。高达16 MIPS操作。 16位宽指令，8位宽数据路径。中断优先级。 31级软件可访问硬件堆栈

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型号：ATMEGA32-16AU 编号：C8724

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能、低功耗8位微控制器高级RISC架构 – 131条强大指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 X 8通用工作寄存器 – 完全静态操作 – 在16 MHz下最高可达16 MIPS吞吐量 – 片上2周期乘法器非易失性程序和数据存储器 – 32K字节的系统内自编程闪存耐久性：10,000次写/擦除循环 – 可选引导代码区，具有独立的锁定位 – 通过片上引导程序进行系统内编程 – 真正的读-写同时操作 – 1024字节EEPROM耐久性：100,000次写/擦除循环 – 2K字节内部SRAM – 用于软件安全的编程锁JTAG（符合IEEE std. 1149.1标准）接口 – 根据JTAG标准的边界扫描功能 – 广泛的片上调试支持 – 通过JTAG接口对闪存、EEPROM、熔丝位和锁定位进行编程外设特性 – 带有独立预分频器和比较模式的两个8位定时器/计数器 – 带有独立预分频器、比较模式和捕获模式的一个16位定时器/计数器 – 带有独立振荡器的实时时钟 – 四个PWM通道 – 8通道、10位ADC 8单端通道 TQFP封装中仅7差分通道 2个带有可编程增益（1X、10X或200X）的差分通道 – 字节导向的两线串行接口 – 可编程串行USART – 主/从SPI串行接口 – 带有独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片上模拟比较器特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程掉电检测 – 内部校准RC振荡器 – 外部和内部中断源 – 六种睡眠模式：空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机I/O和封装 – 32个可编程I/O线 – 40引脚PDIP、44引脚TQFP和44焊盘QFN/MLF工作电压 ATmega32L为2.7-5.5V ATmega32为4.5-5.5V速度等级 – ATmega32L为0 - 8 MHz – ATmega32为0 - 16 MHz功耗在1 MHz、3V、25℃下对于ATmega32L – 活动模式：1.1 mA – 空闲模式：0.35 mA – 掉电模式：< 1 µA

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型号：PIC18F65K40-I/PT 编号：C634568

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些微控制器具有模拟、独立内核外设和通信外设，并结合了极低功耗（XLP）技术，适用于广泛的通用和低功耗应用。这些64引脚器件配备了带计算功能的10位ADC（ADCC），可自动执行电容分压器（CVD）技术，用于高级触摸感应、平均、滤波、过采样和自动阈值比较。它们还提供了一组独立内核外设，如互补波形发生器（CWG）、窗口看门狗定时器（WWDT）、循环冗余校验（CRC）/内存扫描、过零检测（ZCD）和外设引脚选择（PPS），可提高设计灵活性并降低系统成本。

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型号：23LCV1024-I/SN 编号：C615097

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit SPI串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20 MHz。支持字节、页和顺序模式读写操作。

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型号：ATMEGA169PA-AU 编号：C9434

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega169A/169PA/329A/329PA/3290A/3290PA/649A/649P/6490A/6490P是基于 AVR 增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega169A/169PA/329A/329PA/3290A/3290PA/649A/649P/6490A/6490P实现接近1 MIPs/MHz的吞吐量，允许系统设计者优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单个指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构更高效，并且吞吐量比传统的CISC微控制器快高达十倍。 ATmega169A/169PA/329A/329PA/3290A/3290PA/649A/649P/6490A/6490P提供以下功能：16K/32K/64K字节的具有读写功能的系统内可编程闪存，512/1K/2K字节EEPROM，1K/2K/4K字节SRAM，54/69条通用I/O线路，32个通用工作寄存器，用于边界扫描的JTAG接口，片上调试支持和编程，具有内部对比度控制的完整片上LCD控制器，具有比较模式的三个灵活的定时/计数器，内部和外部中断，串行可编程USART，具有启动条件检测器的通用串行接口，8通道10位ADC，具有内部振荡器的可编程看门狗定时器，SPI串行端口以及五个软件选择的省电模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时/计数器、SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下，异步定时器和LCD控制器继续运行，允许用户维护定时器基准并操作LCD显示器，而设备的其余部分处于睡眠状态。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了异步定时器、LCD控制器和ADC，以最小化ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，xTAL/谐振器振荡器正在运行，而设备的其余部分处于睡眠状态。这允许非常快的启动，并结合低功耗。

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：MCP3424-E/SL 编号：C640884

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP3422、MCP3423和MCP3424器件（MCP3422/3/4）是低噪声、高精度的18位Δ-Σ模数（△≥ A/D）转换器。这些器件可将模拟输入转换为分辨率高达18位的数字代码。板载2.048V参考电压使差分输入范围达到±2.048V（满量程范围 = 4.096V/PGA）。这些器件可通过两线I²C串行接口，根据用户可控的配置位设置，以每秒3.75、15、60或240个样本的速率输出模数转换结果。在每次转换期间，器件会自动校准失调和增益误差。这确保了在温度变化和电源波动的情况下，每次转换都能得到准确的转换结果。用户可在模数转换前选择x1、x2、x4或x8的PGA增益。这使得MCP3422/3/4器件能够以高分辨率转换非常微弱的输入信号。 MCP3422/3/4器件有两种转换模式：(a) 单次转换模式和 (b) 连续转换模式。在单次转换模式下，器件完成一次转换后会自动进入低电流待机模式，直到收到另一个转换命令。这大大降低了空闲期间的电流消耗。在连续转换模式下，转换会以设定的转换速度持续进行。器件会用最新的转换数据更新其输出缓冲区。这些器件采用2.7V至5.5V单电源供电，并具有两线I²C兼容串行接口，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）或高速（3.4 MHz）模式。 MCP3423和MCP3424的I²C地址位可通过两个外部I²C地址选择引脚（Adro和Adr1）进行选择。用户可通过将这两个地址选择引脚连接到VDD、VSS或浮空，将器件配置为八个可用地址之一。MCP3422的I²C地址位在生产时由工厂编程。 MCP3422和MCP3423器件有两个差分输入通道，而MCP3424有四个差分输入通道。除了输入通道数量和I²C地址位选择选项不同外，这三款器件的所有电气特性均相同。 MCP3422提供8引脚SOIC、DFN和MSOP封装。MCP3423提供10引脚DFN和MSOP封装。MCP3424提供14引脚SOIC和TSSOP封装。

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型号：PIC18F87K22-I/PT 编号：C36293

封装：TQFP-80(12x12)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行：CPU开启，外设开启。空闲：CPU关闭，外设开启。睡眠：CPU关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器。节能外设模块禁用（PMD）

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￥40.94
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型号：PIC18F4580-I/PT 编号：C431244

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC微控制器8位 40MHz 32KB（16Kx16）闪存

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￥42.96
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型号：dsPIC33EV256GM106-I/PT 编号：C634125

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：代码高效（C和汇编）架构。 16位宽数据路径。两个40位宽累加器。单周期（MAC/MPY）双数据提取。单周期混合符号乘法和硬件除法。 32位乘法支持。应用：汽车应用

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￥50.83
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￥41.38
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￥35.63
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￥30.8

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型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

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￥82.22
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￥64.38
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型号：HV507PG-G 编号：C639448

封装：PQFP-80(14x20)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款低压到高压的串行转并行转换器，具有64个推挽输出。该设备设计用作静电应用的打印机驱动器，也可用于任何需要多输出高压低电流源和吸收能力的应用。该设备由一个64位移位寄存器、64个锁存器和控制逻辑组成，用于执行输出的极性选择和消隐。DIR引脚控制数据通过设备的移位方向

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1+
￥146.79
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￥139.2

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型号：MIC5504-1.2YM5-TR 编号：C626115

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款先进的通用低压差线性稳压器（LDO），非常适合为通用便携式设备供电。提供了高性能的300mA LDO，采用超小的1mm×1mm封装。MIC5502和MIC5504 LDO在输出端具有自动放电功能，当使能引脚为低电平时激活。MIC5503和MIC5504的使能引脚上有一个内部下拉电阻，当使能引脚悬空时禁用输出，这非常适合在处理器启动期间控制信号悬空的应用。适用于电池供电的应用，初始精度为2%，在300mA时的低压差电压为160mV，低接地电流（典型值为38μA）。也可以进入零关断模式电流状态，禁用时几乎不消耗电流。工作结温范围为 -40°C至 +125°C。

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￥1.166
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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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1+
￥2.45
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￥2.02
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型号：93LC56B-I/SN 编号：C183620

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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￥3.13
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￥2.54
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￥2.25
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￥1.96
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型号：24LC04BT-E/OT 编号：C2061304

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥3.99
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￥3.17
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￥2.77
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￥2

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型号：MCP1700T-3302E/MB 编号：C632000

封装：SOT-89-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这是一系列CMOS低压差（LDO）电压调节器，能够提供高达250 mA的电流，而静态电流仅为1.6 μA（典型值）。输入工作范围规定为2.3 V至6.0 V，使其成为两节和三节原电池供电应用以及单节锂离子电池供电应用的理想选择。在输入输出电压差仅为178 mV（V(OUT)=2.8V）的情况下，能够提供250 mA的电流

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￥3.82
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￥3.36
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型号：MCP1799T-3302H/TT 编号：C5127748

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1799是一款高压、低压差（LDO）稳压器，能够提供80 mA的输出电流。其4.5V至45V的输入电压范围，使其非常适合用于12V至36V的电源轨以及高压电池组。MCP1799有两种标准固定输出电压版本：3.3V和5.0V

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￥5.14
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￥4.16
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￥3.67
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￥3.19
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型号：MCP607T-I/SN 编号：C411629

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP606/7/8/9 系列运算放大器（运放）为单位增益稳定型，失调电压低（最大 250 μV）。其性能特点包括轨到轨输出摆幅能力和低输入偏置电流（+85°C 时最大 80 pA）。这些特性使该系列运放非常适合单电源、高精度、高阻抗、电池供电的应用

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￥5.78
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￥4.69
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￥4.14
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型号：TC4427ACOA713 编号：C144234

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426A/TC4427A/TC4428A 是早期 TC4426/TC4427/TC4428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。除了具有匹配的上升和下降时间外，TC4426A/TC4427A/TC4428A 器件还具有匹配的前沿和后沿传播延迟时间。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很高的抗闩锁能力

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￥3.98
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型号：TC4427VOA 编号：C636893

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4426/TC4427/TC4428 是早期 TC426/TC427/TC428 系列 MOSFET 驱动器的改进版本。在对 MOSFET 的栅极进行充电和放电时，TC4426/TC4427/TC4428 器件的上升时间和下降时间相匹配。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，这些器件都具有很强的抗闩锁能力

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