微芯模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MCP9808T-E/MC 编号：C194710

封装：DFN-8-EP(2x3)

将 -20℃ 至 +100℃ 之间的温度转换为数字字，精度为 ±0.25℃/±0.5℃（典型值/最大值）。带有用户可编程寄存器，为温度传感应用提供灵活性。寄存器允许用户选择设置，如关机或低功耗模式，以及指定温度警报窗口限制和临界输出限制。当温度变化超出指定边界限制时，输出警报信号

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型号：ATMEGA644PA-AU 编号：C38349

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能、低功耗的8位Atmel AVR微控制器高级RISC架构131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行32X8通用工作寄存器全静态操作在20MHz下最高可达20MIPS吞吐量片上2周期乘法器高耐久性非易失性存储段16/32/64/128K字节的系统内自编程Flash程序存储器512/1K/2K/4K字节EEPROM1/2/4/16K字节内部SRAM写/擦除次数：Flash 10,000次/ EEPROM 100,000次数据保持：85℃下20年/ 25℃下100年可选独立锁位的启动代码段通过片上启动程序进行系统内编程真正的读写同时操作用于软件安全的编程锁Atmel QTouch库支持电容触摸按钮、滑块和滚轮QTouch和QMatriX采集最多64个感应通道JTAG（符合IEEE std. 1149.1标准）接口根据JTAG标准的边界扫描功能广泛的片上调试支持通过JTAG接口对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位进行编程外设特性两个带独立预分频器和比较模式的8位定时器/计数器一个或两个带独立预分频器、比较模式和捕获模式的16位定时器/计数器带有独立振荡器的实时时钟六个PWM通道8通道、10位ADC差分模式，增益可选1X、10X或200X面向字节的两线串行接口两个可编程串行USART主/从SPI串行接口带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器片上模拟比较器引脚变化中断和唤醒特殊微控制器特性上电复位和可编程掉电检测内部校准RC振荡器外部和内部中断源六种睡眠模式：空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机I/O和封装32个可编程I/O线路40引脚PDIP，44引脚TQFP，44焊盘VQFN/QFN/MLF 44焊盘DRQFN– 49球VFBGA工作电压1.8 - 5.5V速度等级0 - 4MHz @ 1.8 - 5.5V0 - 10MHz @ 2.7 - 5.5V0 - 20MHz @ 4.5 - 5.5V功耗在1MHz，1.8V，25℃时活动模式：0.4mA掉电模式：0.1µA节能模式：0.6µA（包括32kHz RTC）

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型号：PIC18F26K83-I/SS 编号：C155482

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

PIC18(L)FXXK83 是一个全功能的CAN产品系列，可用于汽车和工业应用。该系列产品拥有多种通信外设，如CAN、SPI、两个I2C、两个UART、LIN、DMX和DALI，能够处理智能应用中的各种有线和无线（使用外部模块）通信协议。该系列包括一个带有计算扩展功能的12位ADC（ADC2），用于自动信号分析，以降低应用的复杂性。结合核心独立外设的集成能力，可实现电机控制、电源、传感器、信号以及用户界面应用的功能。

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型号：PIC16F887-I/PT 编号：C31511

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU: -仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。 -工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入，DC – 200 ns指令周期。 -中断能力。 -8级深度硬件堆栈。 -直接、间接和相对寻址模式。特殊微控制器特性: -精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选频率范围8 MHz至31 kHz，软件可调，双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间时钟模式切换以节省功耗。 -省电睡眠模式。 -宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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型号：ATMEGA16U2-MUR 编号：C507117

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能、低功耗8位微控制器，高级RISC架构 – 125条强大指令 – 大多数单时钟周期执行 – 32 X 8通用工作寄存器 – 全静态操作 – 在16 MHz时高达16 MIPS的吞吐量非易失性程序和数据存储器 – 8K/16K/32K字节的系统内自编程闪存 – 512/512/1024 EEPROM – 512/512/1024内部SRAM – 写/擦除周期：闪存10,000次/EEPROM 100,000次 – 数据保持：在85℃下20年/在25℃下100年 – 带有独立锁定位的可选引导代码段通过片上引导程序硬件激活复位后进行系统内编程真正的读写同时操作符合USB 2.0全速设备模块，在传输完成时中断 – 完全符合通用串行总线规范REV 2.0 – 用于全速总线操作的48 MHz PLL：数据传输速率12 Mbit/s – 完全独立的176字节USB DPRAM用于端点内存分配 – 端点0用于控制传输：从8到64字节 – 4个可编程端点：IN或OUT方向批量、中断和同步传输可编程最大包大小从8到64字节可编程单缓冲区或双缓冲区 – 暂停/恢复中断 – USB总线复位时微控制器复位而不断开 – 微控制器请求时USB总线断开外设特性 – 一个带有独立预分频器和比较模式的8位定时器/计数器（两个8位PWM通道） – 一个带有独立预分频器、比较和捕获模式的16位定时器/计数器（三个8位PWM通道） – USART支持仅SPI主模式和硬件流控制（RTS/CTS） – 主/从SPI串行接口 – 带有独立片上振荡器的可编程看门狗定时器 – 片上模拟比较器 – 引脚变化中断和唤醒片上调试接口（debugWIRE）特殊微控制器特性 – 上电复位和可编程掉电检测 – 内部校准振荡器 – 外部和内部中断源 – 五种睡眠模式：空闲、节能、掉电、待机和扩展待机I/O和封装 – 22个可编程I/O引脚 – QFN32 (5X5mm) / TQFP32封装 - 最大频率 – 在2.7V时8 MHz - 工业范围 – 在4.5V时16 MHz - 工业范围

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型号：ENC28J60-I/SO 编号：C47351

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ENC28J60 是一个独立的以太网控制器，带有行业标准的串行外设接口（SPI）。它被设计为任何配备有 SPI 的控制器的以太网网络接口。ENC28J60 满足所有 IEEE 802.3 规范。它集成了多种数据包过滤方案，以限制传入的数据包。它还提供了一个内部 DMA 模块，用于快速数据吞吐量和硬件辅助的校验和计算，这在网络协议中被广泛应用。与主机控制器的通信是通过中断引脚和 SPI 实现的，时钟速率可达 20 MHz。两个专用引脚用于 LED 链接和网络活动指示。图 1-1 显示了 ENC28J60 的简单框图。图 1-2 显示了使用该设备的典型应用电路。借助 ENC28J60，仅需两个脉冲变压器和一些无源组件即可将微控制器连接到以太网网络。ENC28J60 包含七个主要功能模块：1. 作为主机控制器和 ENC28J60 之间的通信通道的 SPI 接口。2. 用于控制和监控 ENC28J60 的控制寄存器。3. 用于接收和发送数据包的双端口 RAM 缓冲区。4. 当 DMA、发送和接收模块请求访问 RAM 缓冲区时，用于控制访问的仲裁器。5. 解释通过 SPI 接口接收的数据和命令的总线接口。6. 实现符合 IEEE 802.3 标准的 MAC 逻辑的 MAC（介质访问控制）模块。7. 对双绞线接口上存在的模拟数据进行编码和解码的 PHY（物理层）模块。该设备还包含其他支持模块，如振荡器、片上电压调节器、电平转换器以提供 5V 耐压 I/O 和系统控制逻辑。

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型号：MIC5891YN 编号：C646769

封装：PDIP-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款高压、大电流集成电路，由八个CMOS数据锁存器、用于公共选通和输出使能的CMOS控制电路以及每个锁存器的双极达林顿晶体管驱动器组成。双极/MOS结构提供了极低功耗的锁存器，并具有最大的接口灵活性。通常在5V逻辑电源下以5MHz的频率工作。CMOS输入与标准CMOS、PMOS和NMOS逻辑电平兼容

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型号：AT91SAM7S64C-AU 编号：C14595

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一系列基于32位ARM RISC处理器的低引脚数闪存微控制器。具有高速闪存和SRAM，大量外设，包括USB 2.0设备（SAM7S32和SAM7S16除外），以及一套完整的系统功能，可最大限度减少外部组件数量。是寻求更高性能和更大内存的8位微控制器用户的理想升级选择。嵌入式闪存可通过JTAG-ICE接口在系统内编程，或在安装前通过生产编程器上的并行接口编程。内置锁定位和安全位可防止固件意外覆盖并保护其机密性。系统控制器包括一个复位控制器，能够管理微控制器和整个系统的上电顺序。内置欠压检测器和看门狗可监控设备的正确运行。

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型号：PIC16F876A-I/SO 编号：C112177

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条单字指令。除程序分支为双周期指令外，其余均为单周期指令。工作速度：直流-20MHz时钟输入，直流-200ns指令周期。高达8K×14字的闪存程序存储器，高达368×8字节的数据存储器（RAM），高达256×8字节的EEPROM数据存储器。引脚与其他28引脚或40/44引脚的PIC16CXXX和PIC16FXXX微控制器兼容。 Timer0：带8位预分频器的8位定时器/计数器

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型号：MCP3424-E/SL 编号：C640884

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP3422、MCP3423和MCP3424器件（MCP3422/3/4）是低噪声、高精度的18位Δ-Σ模数（△≥ A/D）转换器。这些器件可将模拟输入转换为分辨率高达18位的数字代码。板载2.048V参考电压使差分输入范围达到±2.048V（满量程范围 = 4.096V/PGA）。这些器件可通过两线I²C串行接口，根据用户可控的配置位设置，以每秒3.75、15、60或240个样本的速率输出模数转换结果。在每次转换期间，器件会自动校准失调和增益误差。这确保了在温度变化和电源波动的情况下，每次转换都能得到准确的转换结果。用户可在模数转换前选择x1、x2、x4或x8的PGA增益。这使得MCP3422/3/4器件能够以高分辨率转换非常微弱的输入信号。 MCP3422/3/4器件有两种转换模式：(a) 单次转换模式和 (b) 连续转换模式。在单次转换模式下，器件完成一次转换后会自动进入低电流待机模式，直到收到另一个转换命令。这大大降低了空闲期间的电流消耗。在连续转换模式下，转换会以设定的转换速度持续进行。器件会用最新的转换数据更新其输出缓冲区。这些器件采用2.7V至5.5V单电源供电，并具有两线I²C兼容串行接口，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）或高速（3.4 MHz）模式。 MCP3423和MCP3424的I²C地址位可通过两个外部I²C地址选择引脚（Adro和Adr1）进行选择。用户可通过将这两个地址选择引脚连接到VDD、VSS或浮空，将器件配置为八个可用地址之一。MCP3422的I²C地址位在生产时由工厂编程。 MCP3422和MCP3423器件有两个差分输入通道，而MCP3424有四个差分输入通道。除了输入通道数量和I²C地址位选择选项不同外，这三款器件的所有电气特性均相同。 MCP3422提供8引脚SOIC、DFN和MSOP封装。MCP3423提供10引脚DFN和MSOP封装。MCP3424提供14引脚SOIC和TSSOP封装。

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￥38.1
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型号：ATSAMD21E18A-MUT 编号：C2052801

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：处理器：Arm Cortex-M0+ CPU，最高运行频率48 MHz，单周期硬件乘法器，微跟踪缓冲区 (MTB)。存储器：4/2/1/0.5 KB 读写同步 (RWW) 闪存部分（256KB 设备不可用）。256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存。32/16/8/4 KB SRAM 存储器。系统：上电复位 (POR) 和欠压检测 (BOD)。内部和外部时钟选项，具备 48 MHz 数字锁频环 (DFLL48M) 和 48 MHz 至 96 MHz 分数数字锁相环 (FDPLL96M)。外部中断控制器 (EIC)。16 个外部中断

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￥44.84
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型号：DSPIC33FJ64GP706-I/PT 编号：C511282

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高达40 MIPS操作（在3.0-3.6V），工业温度范围（-40℃至+85℃）。改进的哈佛架构。 C编译器优化的指令集。 16位宽数据路径。 24位宽指令。线性程序内存寻址高达4M指令字

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￥62.48
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型号：PIC18F6722-I/PT 编号：C1337388

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：运行模式：CPU开启，外设开启。空闲模式：CPU关闭，外设开启。睡眠模式：CPU关闭，外设关闭。超低50 nA输入泄漏。运行模式电流低至典型值25 μA。空闲模式电流低至典型值6.8 μA

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型号：24LC08BT-I/SN 编号：C5455

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xxx08）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，并具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至 1 V 的电压下工作

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型号：AT24C04D-SSHM-T 编号：C116667

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥1.724
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型号：MCP6L04T-E/SL 编号：C626833

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP6L01/1R/1U/2/4 系列运算放大器适用于通用应用。轨到轨输入输出、低静态电流和带宽的特性使其适用于多种应用场景。该系列的增益带宽积（GBWP）为 1 MHz，每个放大器的静态电流低至 85 µA

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￥3.05
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￥2.7
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￥2.52
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￥2.34
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1000+
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型号：25LC640AT-I/SN 编号：C615820

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA640A/25LC640A (25XX640A) 是 64 kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问内存。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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￥4.19
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￥3.34
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￥2.92
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￥2.25
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型号：MCP1703T-5002E/CB 编号：C50754

封装：SOT-23A-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1703 是一系列 CMOS 低压差（LDO）稳压器，能够提供高达 250 mA 的电流，而静态电流仅为 2.0 μA（典型值）。其输入工作范围为 2.7V 至 16.0V，非常适合由两节至六节原电池供电的应用、9V 碱性电池供电的应用以及由一节或两节锂离子电池供电的应用。MCP1703 仅需 625 mV（典型值）的输入输出电压差（V(OUT)=2.8V）即可提供 250 mA 的电流

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￥4.42
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￥3.56
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￥3.12
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￥2.44
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型号：MCP6541RT-E/OT 编号：C124649

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP6541/1R/1U/2/3/4系列比较器提供单通道（MCP6541、MCP6541R、MCP6541U）、带片选（CS）单通道（MCP6543）、双通道（MCP6542）和四通道（MCP6544）配置。输出为推挽式（与CMOS/TTL兼容），能够驱动重直流或容性负载。这些比较器针对低功耗、单电源工作进行了优化，具有超过轨到轨的输入操作能力。MCP6541/1R/1U/2/3/4系列的推挽输出支持轨到轨输出摆幅，并可与TTL/CMOS逻辑接口。内部输入迟滞消除了由内部输入噪声电压引起的输出切换，降低了电流消耗。输出在切换时限制了电源电流浪涌和动态功耗。该产品系列可在低至1.6V的单电源电压下工作，每个比较器的静态电流小于1μA。相关的MCP6546/7/8/9系列比较器具有漏极开路输出。通过上拉电阻，这些器件可用作高达10V的任意所需电压的电平转换器，并可用于线或逻辑。

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￥4.48
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￥2.58

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型号：MIC5219-5.0YM5-TR 编号：C144182

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高效线性稳压器，具有高峰值输出电流能力、极低的压降和优于1%的输出电压精度。轻载时压降通常为10mV，满载时小于500mV。设计用于在启动条件下提供峰值输出电流，此时需要更高的浪涌电流，其峰值输出额定值为500mA，连续输出电流仅受封装和布局限制。可通过CMOS或TTL兼容信号启用或关闭，禁用时功耗几乎降至零，压降接地电流最小化，有助于延长电池寿命。其他关键特性包括反接保护、限流、过温关断和超低噪声选项的低噪声性能。有可调或固定输出电压版本，采用节省空间的6引脚(2mm×2mm)MLF、6引脚(2mm×2mm)薄型MLF、SOT-23-5和8引脚功率MSOP封装。

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￥4.73
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￥3.28
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型号：11AA02E48T-I/TT 编号：C616174

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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￥4.78
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￥3.93
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￥3.51
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￥3.09
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￥2.73
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型号：KSZ8081MNXIA-TR 编号：C145690

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

单芯片10Base-T/100Base-TX IEEE 802.3兼容以太网收发器，支持MII和RMII接口。

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￥5.34
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￥3.82
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型号：TC4420EOA713 编号：C231865

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4420/TC4429 是 6A（峰值）单输出 MOSFET 驱动器。TC4429 是反相驱动器（引脚与 TC429 兼容），而 TC4420 是非反相驱动器。与双极型驱动器相比，这些驱动器采用 CMOS 工艺制造，功耗更低，运行效率更高

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￥5.6
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￥4.46
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￥3.89
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￥2.98
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型号：KSZ8081RNACA-TR 编号：C100017

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

单电源10BASE-T/100BASE-TX以太网物理层收发器，支持RMII接口。

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￥5.72
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￥3.37
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￥3.05
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￥2.88

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型号：MCP1320T-29LE/OT 编号：C145593

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

电压监控器设备旨在使微控制器保持复位状态，直到系统电压达到并稳定在可靠系统运行的适当水平。

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￥5.85
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￥4.15
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￥3.25
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￥3.08

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型号：ATTINY414-SSNR 编号：C189365

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATtiny214/414/814 微控制器采用了高性能低功耗的AVR RISC架构，能够以最高20MHz的速度运行。它们在14引脚封装中提供了高达2/4/8KB的闪存、128/256/512字节的SRAM以及64/128字节的EEPROM。该系列集成了最新的技术，具有灵活且低功耗的架构，包括事件系统和SleepWalking、精确的模拟功能以及高级外设。通过集成的QTouch外设触摸控制器支持带有驱动屏蔽的电容式触摸接口。

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型号：ATTINY402-SSFR 编号：C2053235

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATtiny202/402 是 tinyAVR 0 系列微控制器的成员，使用带有硬件乘法器的 AVR 处理器，最高运行频率为 20 MHz，具有 2/4 KB 闪存、128/256 字节 SRAM 和 64/128 字节 EEPROM，采用 8 引脚封装。tinyAVR 0 系列采用了最新的技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和 SleepWalking、精确的模拟功能以及核心独立外设。CPU:- AVR CPU – 最高运行频率为 20 MHz- 单周期 I/O 访问- 两级中断控制器- 两周期硬件乘法器存储器:- 2/4 KB 在系统自编程闪存- 64/128B EEPROM- 128/256B SRAM- 写/擦除耐久性: - 闪存: 10,000 次 - EEPROM: 100,000 次- 数据保持时间: 55°C 下 40 年系统:- 上电复位 (POR)- 棕色检测 (BOD)- 时钟选项: - 16/20 MHz 低功耗内部 RC 振荡器 - 32.768 kHz 超低功耗 (ULP) 内部 RC 振荡器 - 外部时钟输入- 单引脚统一编程和调试接口 (UPDI)三种睡眠模式:- 空闲模式，所有外设运行以实现即时唤醒- 待机模式 – 可配置选定外设的操作 – SleepWalking 外设- 断电模式，完全数据保持一个低传播延迟的模拟比较器 (AC)一个 10 位 115 ksps 模数转换器 (ADC)多个电压参考 (VREF):- 0.55V- 1.1V- 1.5V- 2.5V- 4.3V- 事件系统 (EVSYS)，用于 CPU 独立且可预测的外设间信号传递- 可配置的自定义逻辑 (CCL)，带有两个可编程查找表- 自动 CRC 存储器扫描 (CRCSCAN)- 所有通用引脚上的外部中断I/O 和封装:- 六个可编程 I/O 线- 8 引脚 SOIC150温度范围:- -40°C 至 105°C- -40°C 至 125°C速度等级:- 0-5 MHz @ 1.8V – 5.5V- 0.10 MHz @ 2.7V-5.5V- 0-20 MHz @ 4.5V – 5.5V

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型号：TC2117-3.3VDBTR 编号：C98655

封装：SOT-223

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC2117 是一款固定输出、高精度（典型值为±0.5%）的 CMOS 低压差稳压器。该器件专为电池供电系统设计，其 CMOS 架构消除了无用的接地电流，显著延长了电池使用寿命。满载时的总电源电流典型值为 80 μA（比双极型稳压器低 20 至 60 倍）

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型号：MCP1501T-25E/CHY 编号：C625319

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP1501是一款缓冲型电压基准源，能够吸入和输出20 mA的电流。该电压基准源是基于低漂移带隙的基准源。带隙采用基于斩波的放大器，可有效将漂移降至零

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型号：MIC29302AWD-TR 编号：C627907

封装：TO-252-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款高电流、低压差电压调节器，采用了带有PNP传输元件的专有Super Beta PNP工艺。该3A LDO稳压器的压差电压为560mV（满载），接地电流非常低。专为高电流负载设计，也适用于低电流、低压差的关键系统，其压差电压和接地电流值是重要特性。该稳压器总精度为±2%（在温度、线路和负载调节范围内），能够快速从输入电压浪涌和输出负载电流变化中恢复瞬态

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