DIODES模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DF04S-T 编号：C155531

封装：DF-S

品牌：DIODES(美台)

特性：玻璃钝化芯片结构。低正向压降，高电流能力。浪涌过载额定值达50A峰值。专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下，文件编号E525394。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件

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￥1.5479
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￥1.2755
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￥1.1587
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￥1.0131
3000+
￥0.9482

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型号：SBR1U150SA-13 编号：C151618

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

特性：超低正向压降。出色的高温性能。专利超势垒整流器技术（SBR）。软快速开关能力。工作结温可达 +150°C。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。应用：极性保护二极管。续流二极管

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￥1.5486
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￥1.2403
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￥1.1082
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￥0.9433
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￥0.8699

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型号：S8KC-13 编号：C460741

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

8.0A 表面贴装玻璃钝化整流器，采用 SMC 封装，具有高电流能力和低正向压降，设计有保护环，用于瞬态保护，浪涌能力高。

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￥1.5496
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￥1.2623
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￥1.1392
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￥0.9857
3000+
￥0.9173

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型号：AP22652W6-7 编号：C2158038

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻设置 125mA 至 2665mA（典型值）的可编程限流阈值。在高限流设置下，限流精度可达 ±10%

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￥1.5654
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￥1.215
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￥1.0648
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3000+
￥0.794
6000+
￥0.744

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型号：BS170FTA 编号：C151050

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：60V VDS。 RDS(ON) = 5Ω

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￥1.5704
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￥1.2783
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￥1.1531
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￥0.9273

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型号：US3M-13 编号：C156305

封装：SMC

品牌：DIODES(美台)

表面贴装玻璃钝化整流器采用SMC封装，具有高电流能力和超快恢复时间，可实现高效率。该器件采用玻璃钝化芯片结构设计，具有高可靠性，适用于电源、照明镇流器等应用。

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￥1.575
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￥1.2744
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￥1.1456
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型号：ZXGD3009E6TA 编号：C156293

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

ZXGD3009E6是一款用于开关MOSFET的高速同相单栅极驱动器。它能够向栅极传输高达2A的峰值源极/灌电流，以对容性负载进行有效充放电。这款栅极驱动器可确保MOSFET快速开关，从而在大电流开关应用中最大限度地降低功率损耗和失真

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￥1.631
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￥1.2837
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￥1.1349
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￥0.8666
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型号：AP7361C-33Y5-13 编号：C460397

封装：SOT-89-5

品牌：DIODES(美台)

是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器，带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时，器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用，例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。

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5+
￥1.7505
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￥1.3921
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￥1.2385
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￥1.0468
2500+
￥0.9615

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型号：B360AE-13 编号：C412514

封装：SMA

品牌：DIODES(美台)

肖特基整流器在高温下提供低VF和出色的反向泄漏稳定性，该器件非常适合用于一般整流应用。

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￥1.7735
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￥1.3747
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￥1.2038
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型号：PDS360-13 编号：C397957

封装：Power-DI-5

品牌：DIODES(美台)

特性：保护环芯片结构，用于瞬态保护。低功耗，高效率。低反向漏电流。适用于高频逆变器、续流和极性保护应用。高正向浪涌电流能力。无铅涂层；符合 RoHS 标准。应用：高频逆变器。续流

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￥1.8633
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￥1.4886
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￥1.3281
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￥1.0385

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型号：FMMT625TA 编号：C212600

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 150V。最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件。应用：DC-DC 模块。电源管理功能

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￥1.8879
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￥1.5181
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￥1.1619

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型号：MBRD10100CT-13 编号：C460889

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。它非常适合用作极性保护二极管、续流二极管和开关二极管。

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5+
￥1.9165
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￥1.4856
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￥1.3009
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型号：AP7362-33SP-13 编号：C780775

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款1.5A可调输出电压的超低压差线性稳压器。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙、电流限制和热关断电路。集成的使能模块允许通过逻辑信号开启和关闭该器件。EN 上的逻辑高电平开启器件，逻辑低电平关闭器件。低压差特性和对负载阶跃变化的快速瞬态响应使其适用于低压微处理器应用。典型静态电流约为0.5mA，随负载电流变化很小。内置的电流限制和热关断功能可防止在故障条件下损坏 IC。该器件提供 U-DFN2030-8 和 SO-8EP 封装。

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5+
￥1.9279
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￥1.4949
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￥1.3093
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￥1.0777
2500+
￥0.9746
5000+
￥0.9128

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型号：DMP6180SK3-13 编号：C93034

封装：TO-252(DPAK)

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET设计用于最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。

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5+
￥1.9505
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￥1.5408
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￥1.3652
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￥1.1461
2500+
￥1.0486

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型号：AP62150WU-7 编号：C3194237

封装：TSOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

AP62150是一款1.5A同步降压转换器，输入电压范围宽，为4.2V至18V。该器件完全集成了一个90mΩ的高端功率MOSFET和一个65mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC - DC转换。AP62150采用恒定导通时间（COT）控制，能够实现快速瞬态响应、轻松稳定环路并降低输出电压纹波，同时将外部元件数量减至最少，因而易于使用

5+
￥1.9795
50+
￥1.5915
150+
￥1.4252
500+
￥1.2178
3000+
￥1.1254
6000+
￥1.07

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型号：ZXTN25100DFHTA 编号：C461151

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。集电极电流 IC = 2.5A。低饱和电压 VCE(sat) < 95mV @ 1A。互补PNP快速ZXTP25100DFH。外延平面管芯结构。高增益。应用：DC-DC转换器。 DC风扇

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5+
￥2.0219
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￥1.5673
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￥1.3725
500+
￥1.1294
3000+
￥1.0211
6000+
￥0.9562

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型号：PI5C3251QEX 编号：C918252

封装：SSOP-16-150mil

品牌：DIODES(美台)

输入可以通过低导通电阻（5Ω）连接到输出，不会产生额外的接地反弹噪声或传播延迟。

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5+
￥2.3064
50+
￥1.9087
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￥1.7383
500+
￥1.5257

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型号：MBRD20100CT-13 编号：C460890

封装：TO-252-2

品牌：DIODES(美台)

这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。

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5+
￥2.4231
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￥2.017
150+
￥1.843
500+
￥1.6258
2500+
￥1.452

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型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

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5+
￥2.4535
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￥1.9996
150+
￥1.8051
1000+
￥1.5183
2000+
￥1.4103

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型号：DMG4822SSD-13 编号：C212299

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

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1+
￥2.49
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￥1.94
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￥1.7
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￥1.4
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￥1.27
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￥1.19

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型号：FMMT634TA 编号：C460213

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

NPN,Vceo=100V,Ic=900mA

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5+
￥2.503
50+
￥1.9402
150+
￥1.699
500+
￥1.3981

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型号：PT7M3808G01TAEX 编号：C780887

封装：SOT-23-6

品牌：DIODES(美台)

DIODES PT7M3808G系列微处理器监控电路可监控0.4V至5.0V的系统电压。当检测电压降至预设阈值以下，或手动复位（MR）引脚变为逻辑低电平时，该电路会输出漏极开路的复位（RESET）信号。在检测电压和手动复位（MR）信号分别回升至各自的阈值以上后，复位输出信号会在用户可调节的延迟时间内保持低电平

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1+
￥2.652 ￥3.4
10+
￥2.312 ￥3.4
30+
￥1.972 ￥3.4

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型号：AP2111H-3.3TRG1 编号：C155300

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

AP2111 是采用 CMOS 工艺、具备使能功能的低压差线性稳压器，该稳压器可保证提供 600mA（最小值）的连续负载电流。AP2111 提供 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、4.8V 的固定输出电压，以及 0.8V 至 5V 的可调输出电压，输出精度高达 1.5%。由于环路响应速度极快，它还具备出色的负载调整率、线性调整率和负载瞬态响应性能

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1+
￥2.84
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.57
1000+
￥1.49

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型号：AL8860QMP-13 编号：C2678649

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

是一款迟滞模式DC-DC降压LED驱动器，用于从高于LED电压的电压源高效驱动单个或多个串联连接的LED。该器件可在4.5V至40V的输入电源电压下工作，并为MSOP8EP封装提供高达1.5A的外部可调输出电流。根据电源电压和外部组件，该转换器可提供高达40W的输出功率。集成了功率开关和高端输出电流感测电路，使用外部电阻设置标称平均输出电流

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1+
￥2.85
10+
￥2.28
30+
￥2.04
100+
￥1.74
500+
￥1.61
1000+
￥1.52

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型号：ZXTD4591E6TA 编号：C155320

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

特性：NPN晶体管:BVCEO > 60V，IC = 1A连续集电极电流。低饱和电压（最大500mV @ 1A）。hFE特性可达2A。RSAT = 210mΩ @ 1A，低等效导通电阻。PNP晶体管:BVCEO > -60V，IC = -1A连续集电极电流。低饱和电压（最大-600mV @ -1A）。应用：MOSFET栅极驱动器。低功率电机驱动器

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1+
￥3.06
10+
￥2.42
30+
￥2.15
100+
￥1.81
500+
￥1.66
1000+
￥1.57

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型号：LM4040B30FTA 编号：C460604

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

LM4040是一系列带隙电路，旨在实现2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5.0V的精密微功耗电压基准。这些器件有初始容差为0.2%的B级、0.5%的C级和1%的D级可供选择。它们采用小外形SOT23表面贴装封装，非常适合对空间要求苛刻的应用。在60μA至15mA的工作电流范围内，器件性能出色，典型温度系数仅为20ppm/°C。该器件设计为对容性负载具有高耐受性，可保持出色的稳定性。此器件是LM4040电压基准的引脚兼容替代方案。

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