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描述

价格(含税)

库存

操作

精密可调限流电源开关

型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

数据手册

5+
￥1.6116
50+
￥1.2556
150+
￥1.103
500+
￥0.9127
3000+
￥0.8279

有货

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NPN 电流:3A 电压:100V

型号：MJD31C-13 编号：C435909

封装：DPAK-3

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。Ic = 3A 高连续集电极电流。Icm = 5A 峰值脉冲电流。适用于功率开关或放大应用。互补 PNP 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合 AEC Q101 高可靠性标准

数据手册

5+
￥1.6238
50+
￥1.3035
150+
￥1.1663
500+
￥0.995
2500+
￥0.9188

有货

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P沟道增强型MOSFET

型号：DMP2021UFDF-7 编号：C151459

封装：UDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.6845
50+
￥1.3456
150+
￥1.2003
500+
￥1.0191
3000+
￥0.9384

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:26A

型号：DMP1005UFDF-7 编号：C461046

封装：UDFN2020-6-EP

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.7746
50+
￥1.4022
150+
￥1.2426
500+
￥1.0434

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：DZT5551Q-13 编号：C674404

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

这款双极结型晶体管（BJT）旨在满足汽车应用的严格要求。

数据手册

5+
￥1.8491
50+
￥1.4963
150+
￥1.3451
500+
￥1.1565

有货

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高侧电流监测器

型号：ZXCT1009FTA 编号：C83670

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXCT1009是一款高端电流检测监控器。使用该器件可避免在检测负载电流时破坏接地层。它获取电流分流电阻两端产生的高端电压，并将其转换为成比例的输出电流。用户可通过定义输出电阻，将输出电流转换为以地为参考的电压。 20V至低至2.5V的宽输入电压范围使其适用于多种应用。仅4μA的最小工作电流，再加上SOT23封装，使其成为便携式电池设备的独特解决方案。SM8器件提供了另一种封装选择。

数据手册

5+
￥1.8741
50+
￥1.4706
150+
￥1.2977
500+
￥1.0104

有货

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4.75V~5.25V 15mA 60V

型号：ZXTR2105FQ-7 编号：C211385

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZXTR2105FQ 单片集成了一个晶体管、一个齐纳二极管和一个电阻，可作为线性稳压器使用。该器件在 15mA 电流下可提供 5V 的标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计

数据手册

5+
￥1.9266
50+
￥1.4948
150+
￥1.3097
500+
￥1.0788
3000+
￥0.976
6000+
￥0.9143

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:36A

型号：DMP3010LPS-13 编号：C3018933

封装：TDFN-8(5.2x5.9)

品牌：DIODES(美台)

低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用

数据手册

1+
￥2.06
10+
￥1.75
30+
￥1.584 ￥1.6
100+
￥1.4256 ￥1.44
500+
￥1.3365 ￥1.35
1000+
￥1.287 ￥1.3

有货

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1个N沟道耐压:240V 电流:0.48A

型号：DMN24H3D5L-7 编号：C460052

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 MOSFET 旨在将导通电阻（RDS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1365
50+
￥1.7258
150+
￥1.5498
500+
￥1.3301
3000+
￥1.2323
6000+
￥1.1736

有货

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2个P沟道耐压:60V 电流:3.3A

型号：DMP6110SSD-13 编号：C461097

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持出色的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥2.1918
50+
￥1.7684
150+
￥1.587
500+
￥1.3606
2500+
￥1.2598

有货

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电压:100V 电流:5A

型号：SDT5A100SB-13 编号：C478329

封装：SMB

品牌：DIODES(美台)

SDT5A100SB具有极低的正向压降（VF），且在高温下具备极其出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作直流 - 直流转换器和交流 - 直流适配器中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管。

数据手册

5+
￥2.3716
50+
￥1.9158
150+
￥1.7204
500+
￥1.4766
3000+
￥1.3681

有货

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耐压:30V 电流:150A

型号：DMT32M5LPS-13 编号：C268031

封装：PowerDI5060-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。

数据手册

1+
￥2.48
10+
￥1.93
30+
￥1.69
100+
￥1.39
500+
￥1.26
1000+
￥1.18

有货

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1.2kV 8A

型号：S8NC-13 编号：C435922

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：DIODES(美台)

表面贴装玻璃钝化整流器，采用SMC封装，具有高电流能力和低正向压降，设计有保护环，用于瞬态保护和高浪涌能力。适用于电源。

数据手册

5+
￥2.4935
50+
￥1.9643
150+
￥1.7375
500+
￥1.3339
3000+
￥1.2079

有货

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AL5809 恒流线性LED驱动器

型号：AL5809-150P1-7 编号：C156311

封装：PowerDI-123

品牌：DIODES(美台)

AL5809 是一款恒流线性LED驱动器，它提供了一种具有成本效益的两引脚解决方案。它具有20 ppm/°C的优异温度稳定性和在宽电压和温度范围内的±5%电流精度。AL5809 提供多种固定输出电流版本，无需外部电流设定电阻，为LED的线性驱动提供了一个简单的解决方案。它支持高边和低边驱动LED链。当IN和OUT之间的电压从2.5V上升到60V时，AL5809会开启，从而能够驱动长LED链。浮动地设计和输入与输出引脚之间60V的耐压等级可以承受离线应用中产生的高尖峰电压。AL5809 可以选择热性能优良的PowerDI123封装或SOD-123封装。

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.1
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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PNP 电流:0.5A 电压:400V

型号：FZT758TA 编号：C99123

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -400V。 IC = -500mA 高连续电流。 ICM = -1A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < -250mV @ -50mA。 hFE > 40 指定至 -200mA 以实现高电流增益保持。互补 NPN 类型。无铅涂层；符合 RoHS 标准。无卤素和锑，“绿色”器件

数据手册

1+
￥2.77
10+
￥2.2
30+
￥1.95
100+
￥1.64
500+
￥1.5
1000+
￥1.42

有货

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3.3V 5A 12V

型号：AZ1084CD-3.3TRG1 编号：C151391

封装：TO-252-3

品牌：DIODES(美台)

AZ1084C 是一系列低压差正电压稳压器，在 5A 负载电流下，最大压差为 1.5V。该系列具备片上热限制功能，可防止因过载和环境温度共同作用导致结温过高。它还集成了经过微调的带隙基准和限流电路

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.21
30+
￥1.97
100+
￥1.66
500+
￥1.53
1000+
￥1.27

有货

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1个P沟道耐压:100V 电流:0.7A

型号：ZXMP10A13FQTA 编号：C513080

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理功能、断开开关和电机控制。

数据手册

1+
￥2.95
10+
￥2.37
30+
￥2.13
100+
￥1.82
500+
￥1.68
1000+
￥1.6

有货

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高性能晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V

型号：FZT753TA 编号：C85794

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。互补NPN类型：FZT653。无铅涂层，符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。具备PPAP能力

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.43
30+
￥2.19
100+
￥1.9
500+
￥1.71
1000+
￥1.63

有货

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NPN 电流:6A 电压:60V

型号：FZT851TA 编号：C87950

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。集电极连续电流高，Ic = 6A。脉冲峰值电流，ICM = 20A。低饱和电压，VCE(sat) < 100mV @ 1A。低等效导通电阻，RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定，高增益保持。互补PNP类型：FZT951。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，在通过IATF16949认证的工厂生产

数据手册

1+
￥3.21
10+
￥2.49
30+
￥2.18
100+
￥1.79
500+
￥1.62
1000+
￥1.52

有货

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PNP 电流:5A 电压:100V

型号：FZT953TA 编号：C110507

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：5A 连续电流，高达 15A 峰值电流。极低的饱和电压。高达 10A 时具有出色的增益特性。Ptot = 3W。FZT951 具有极低的等效导通电阻；在 4A 时 Rceestat 为 55mΩ

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.61
30+
￥2.25
100+
￥1.8
500+
￥1.6
1000+
￥1.48

有货

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PNP 电流:2A 电压:100V

型号：ZXTP25100BFHTA 编号：C460152

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO >-100V。 BVECO >-7V。连续集电极电流 IC =-2A。在-1A 时，VCE(SAT) <-130mV。典型 RCE(SAT) = 108mΩ。 PD = 1.25W。应用：MOSFET 和 IGBT 栅极驱动。 DC-DC 转换器

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.76
30+
￥2.44
100+
￥2.05
500+
￥1.87
1000+
￥1.76

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:6.4A

型号：ZXMP4A16GTA 编号：C141324

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥3.59
10+
￥3.03
30+
￥2.79
100+
￥2.49
500+
￥2.35
1000+
￥2.27

有货

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NPN 电流:6A 电压:100V

型号：FZT853TA 编号：C435890

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。互补PNP类型：FZT953。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件。符合AEC-Q101标准，高可靠性

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.92
30+
￥2.58
100+
￥2.24
500+
￥2.04
1000+
￥1.94

有货

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1个P沟道耐压:450V 电流:4.7A

型号：DMP45H4D9HK3-13 编号：C3281371

封装：TO-252

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥4.04
30+
￥3.61
100+
￥3.18
500+
￥2.92
1000+
￥2.79

有货

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2个P沟道耐压:60V 电流:5.2A

型号：DMPH6050SSDQ-13 编号：C5273044

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，支持生产件批准程序（PPAP），适用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥4.16
30+
￥3.76
100+
￥3.36
500+
￥3.13
1000+
￥3

有货

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汽车级微功耗电流监测器

型号：ZXCT1107QSA-7 编号：C460631

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

ZxCT1107Q/09Q/10Q产品是高侧单极电流检测监视器。这些设备无需破坏接地平面即可检测负载电流。宽共模输入电压范围和低静态电流，加上SOT23和SOT25封装，使其适用于各种汽车应用。该设备由线路供电，因此不需要单独的电源轨。静态电流仅为3μA，从而最大限度地减少电流检测误差。一个外部增益设置电阻通过允许宽增益范围来提高多功能性。ZxCT1107Q/09Q/10Q设备已通过AEC-Q100 Grade 1认证，并符合汽车标准，支持PPAP。

数据手册

1+
￥5.73
10+
￥4.58
30+
￥4
100+
￥3.43
500+
￥2.99
1000+
￥2.81

有货

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降压型 3.5A 3.8V~32V

型号：AP63357QZV-7 编号：C3194572

封装：VDFN-13(2x3)

品牌：DIODES(美台)

AP63356Q/AP63357Q是一款符合汽车应用标准的3.5A同步降压转换器，输入电压范围宽，为3.8V至32V。该器件完全集成了一个74mΩ的高端功率MOSFET和一个40mΩ的低端功率MOSFET，可实现高效的降压式DC-DC转换。由于采用了峰值电流模式控制以及集成的环路补偿网络，AP63356Q/AP63357Q器件减少了外部元件数量，使用方便

1+
￥6.1
10+
￥4.89
30+
￥4.28
100+
￥3.52
500+
￥3.16
1000+
￥2.97

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:47A

型号：DMT10H009LCG-7 编号：C461105

封装：VDFN3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款新一代 N 沟道增强型 MOSFET 的设计旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关、背光电源管理功能以及 DC-DC 转换器。

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.15
30+
￥4.54
100+
￥3.94
500+
￥3.39
1000+
￥3.2

有货

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耐压:60V 电流:80A

型号：DMT6007LFG-7 编号：C2802568

封装：PowerDI3333-8

品牌：DIODES(美台)

这款MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

1+
￥6.57
10+
￥5.36
30+
￥4.76
100+
￥4.16
500+
￥3.8
1000+
￥3.61

有货

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降压型 3.5A 3.8V~40V

型号：AP64350QSP-13 编号：C5248545

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP64350Q是一款汽车级3.5A同步降压转换器,具有宽输入电压范围（3.8V至40V）,内置高侧和低侧功率MOSFET,支持高峰值电流模式控制,具备EMI减少功能和多种保护机制。

1+
￥6.89
10+
￥5.68
30+
￥5.01
100+
￥4.26
500+
￥3.93
1000+
￥3.78

有货

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