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六路反相器

型号：MC74VHC04DR2G 编号：C904168

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

数据手册

1+
￥2.33
10+
￥2.28
30+
￥2.25

有货

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8位串行输入、并行输出移位寄存器

型号：74VHC164MTCX 编号：C124500

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC164 是一种先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHC164 是一款高速 8 位串行输入并行输出移位寄存器。串行数据通过一个与时钟低电平-高电平转换同步的 2 输入 AND 门极输入。该器件具有异步主节点重置，可清除寄存器，将所有输出设置为低电平，而不依赖于时钟。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

数据手册

1+
￥2.53
10+
￥2.48
30+
￥2.44

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高性能硅栅CMOS模拟多路复用器/解复用器

型号：MC74VHC4051DR2G 编号：C904185

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 MC74VHC4051、MC74VHC4052 和 MC74VHC4053 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。VHC4051、VHC4052 和 VHC4053 与高速 HC4051A、HC4052A 和 HC4053A，以及金属门极 MC14051B、MC14052B 和 MC14053B 的引脚输出完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出联接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入与标准 CMOS 输出兼容；带上拉电阻，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。

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1+
￥2.69
10+
￥2.64
30+
￥2.6

有货

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MC74VHC157DTR2G

型号：MC74VHC157DTR2G 编号：C904174

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥2.82
10+
￥2.75
30+
￥2.71
100+
￥2.67

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CMOS 八进制总线缓冲器

型号：74VHCT240AFT(BE) 编号：C7421306

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥2.87
10+
￥2.8
30+
￥2.75

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四路二输入与非门

型号：TC74VHC00FK(EL,K) 编号：C5381652

封装：VSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC00是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.8
30+
￥2.75

有货

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带三态控制输入的四路总线缓冲器

型号：MC74VHCT125ADR2G 编号：C904199

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT125A是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四路总线缓冲器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

数据手册

1+
￥2.94
10+
￥2.88
30+
￥2.84

有货

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三态输出，八路双向收发器

型号：74VHC245MTCX 编号：C903421

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHC245是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。VHC245用于数据总线之间的双向异步通信

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1+
￥2.97
10+
￥2.9
30+
￥2.86

有货

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC240FT(BE) 编号：C7421282

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC240FT：反相三态输出 74VHC244FT：同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

1+
￥3.34
10+
￥2.61
30+
￥2.29

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8位移位寄存器（并行输入，串行输出）

型号：TC74VHC165FK(EL,K) 编号：C6551984

封装：VSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS 8位并行/串行输入、串行输出移位寄存器，采用硅栅C²MOS技术制造。它能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。它由一个带门控时钟输入的并行输入或串行输入、串行输出8位移位寄存器组成。当SHIFT/LOAD输入为高电平时，串行数据输入被启用，8个触发器在每个时钟脉冲下进行串行移位

1+
￥3.45
10+
￥3.36
30+
￥3.3

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八进制缓冲器/线路驱动器，带三态输出

型号：74VHC541MTC 编号：C900657

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHC541 是一种先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHC541 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 VHC244 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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1+
￥3.51
10+
￥3.43
30+
￥3.38

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高速四通道D型触发器

型号：74VHC175MTCX 编号：C903418

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

VHC175 是一款先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。VHC175 是一款高速四路 D 型触发器。该器件适用于时钟和清除输入为公用的一般触发器要求。D 输入中的信息在低电平至高电平时钟转换期间存储。提供每个触发器的真正和互补输出。当处于低电平时，主重置输入会重置所有触发器，而不受时钟或 D 输入影响。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

数据手册

1+
￥3.6
10+
￥3.52
30+
￥3.47

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六施密特反相器，高速，低功耗，对称输出阻抗，平衡传播延迟

型号：74VHC14YTTR 编号：C5269236

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：ST(意法半导体)

六角施密特反相器

1+
￥4.16
10+
￥4.06
30+
￥3.99

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八路总线缓冲器/线路驱动器

型号：MC74VHC245DWR2G 编号：C899723

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC245是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相当的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

数据手册

1+
￥4.44
10+
￥4.32
30+
￥4.25

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三态输出，八路缓冲器/线路驱动器

型号：74VHC541MTCX 编号：C232797

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHC541 是一种先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHC541 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 VHC244 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

数据手册

1+
￥7.57
10+
￥6.35
30+
￥5.68

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八路总线缓冲器

型号：TC74VHC541F(EL,K,F 编号：C6880157

封装：SOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC540/TC74VHC541是采用硅栅极I²MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74VHC540为反相类型，而TC74VHC541为同相类型

1+
￥9.44
10+
￥7.94
30+
￥7

有货

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MC74VHC244DTG

型号：MC74VHC244DTG 编号：C897456

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC244 是一种先进的高速 CMOS 八路总线缓冲器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。MC74VHC244 是一款非逆向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。此器件设计用于 3 态存储器地址驱动器等。内部电路由三级组成，包括一个缓冲输出提供高抗扰度和稳定输出。输入耐压达 7 V，支持 5 V 系统到 3 V 系统的接口。

数据手册

1+
￥12.17
10+
￥11.89
30+
￥11.7

有货

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CMOS数字集成电路，四路总线缓冲器

型号：74VHCT125AFT(BJ) 编号：C7421304

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

1+
￥1.31
10+
￥1.28
30+
￥1.26

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双4输入与非门

型号：74VHC20FT(BJ) 编号：C7421280

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC20FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。

5+
￥1.39
50+
￥1.36
150+
￥1.34

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Monostable Multivibrator Dual-Element -40to85°C Automotive16-Pin

型号：74VHC123AFT(BE) 编号：C2975840

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

双单稳态多谐振荡器 74VHC123AFT：可重触发；74VHC221AFT：不可重触发。74VHC123A/221AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 单稳态多谐振荡器。

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5+
￥1.4
50+
￥1.37
150+
￥1.35

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9位施密特缓冲器/反相器

型号：74VHC9152FT(BJ) 编号：C5331515

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC9151FT/74VHC9152FT是采用硅栅CMOS技术制造的超高速9位施密特缓冲器/反相器。74VHC9151FT/74VHC9152FT结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度

数据手册

1+
￥1.73
10+
￥1.68
30+
￥1.65

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CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHC540FT(BJ) 编号：C7421296

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

1+
￥1.73
10+
￥1.68
30+
￥1.65

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带三态控制输入的四路总线缓冲器

型号：NLV74VHC125DTR2G 编号：C904929

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC125是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

数据手册

1+
￥1.75
10+
￥1.72
30+
￥1.69

有货

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八进制D型锁存器与3状态输出

型号：74VHCT573AFT(BE) 编号：C5331519

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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1+
￥2
10+
￥1.96
30+
￥1.93

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四路双通道多路复用器

型号：74VHC157FT(BJ) 编号：C4153816

封装：TSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款先进的高速CMOS四路2通道多路复用器，采用硅栅CMOS技术制造。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。它由四个带有公共选择和选通输入的2输入数字多路复用器组成。当ST输入保持“F”电平时，禁止数据选择，所有输出变为“L”电平。SELECT解码确定A或B输入是否路由到其相应的Y输出。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统的接口以及两个电源系统，如备用电池。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

1+
￥2.09
10+
￥2.04
30+
￥2.01

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四路异或门

型号：74VHC86FT(BE) 编号：C7421301

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四异或门 74VHC86FT 是采用硅栅 CMOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。

1+
￥2.09
10+
￥2.04
30+
￥2.01

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14级纹波进位二进制计数器

型号：74VHC4020FT(BJ) 编号：C5331509

封装：TSSOP-16B

品牌：TOSHIBA(东芝)

14 级纹波进位二进制计数器。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 14 级二进制计数器/分频器。它实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。将 CLR 设置为高电平可将计数器复位为低电平。CK 输入的负跳变会使计数器加一。该计数器提供所有分频输出级，在 Q12 处将输出 1/4096 的分频频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可以施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于连接 5V 至 3V 系统和双电源系统，如电池备份。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

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1+
￥2.3
10+
￥2.24
30+
￥2.2

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八进制通用施密特缓冲器，带三态输出

型号：74VHCT9541AFT 编号：C5346744

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制通用施密特缓冲器，具有三态输出。采用硅栅CMOS技术制造，结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输入电压与TTL输出电压兼容，可作为3.3V至5V系统的电平转换器。输出可通过在使能（G(overline)）输入上施加逻辑高电平置于高阻抗状态。CONT输入决定数据的逻辑反转，逻辑低电平使器件配置为反相器，逻辑高电平使其配置为缓冲器。所有输入在正向和负向阈值之间具有滞后，能够对缓慢变化的输入信号进行整形，并提供改进的抗噪能力。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，0至5.5V可施加到输入和输出引脚，防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份等）导致的器件损坏。

数据手册

1+
￥2.34
10+
￥2.28
30+
￥2.24

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3线-8线译码器

型号：TC74VHC138F(EL,K,F) 编号：C5381653

封装：SOIC-16-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC138是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS 3线 - 8线解码器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。当器件使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定哪个输出（Y(overline)0至Y(overline)7）将变为低电平

数据手册

1+
￥2.87
10+
￥2.8
30+
￥2.75

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3至8线解码器

型号：TC74VHC138FK(EL,K) 编号：C5331554

封装：VSSOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC138 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进的高速CMOS 3至8线译码器。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。当器件被使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定哪个输出（Y0到Y7）会变低。当使能输入G1保持低电平或G2A或G2B保持高电平时，译码功能被禁止，所有输出变为高电平。G1、G2A和G2B输入端提供了便于级联连接的功能，并可用于作为存储系统的地址译码器。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下将0到5.5 V的电压施加到输入引脚上。该器件可用于5 V到3 V系统之间的接口以及电池备份等双电源系统。此电路可以防止由于电源和输入电压不匹配导致的器件损坏。

数据手册

1+
￥3.04
10+
￥2.96
30+
￥2.91

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