74VHC芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：74VHCT125AFT(BE) 编号：C7421303

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：74VHC32FT(BJ) 编号：C7421286

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入或门 74VHC32FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入或门。

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型号：74VHCT126AFT(BE) 编号：C7421305

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥1.73
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型号：74VHCT00AFT(BE) 编号：C5331516

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

Quad 2- Input NAND Gate 是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：MC74VHC08DTR2G 编号：C233637

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC08 是一款先进的高速 CMOS 2 输入 AND 门极，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入耐压达 7V，支持 5V 系统到 3V 系统的接口。

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型号：74VHC126FT(BE) 编号：C7421274

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

高速CMOS四总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。74VHC125FT需要将三态控制输入G(overline)设置为高电平，以使输出进入高阻抗状态，而74VHC126FT需要将控制输入G设置为低电平，以使输出进入高阻抗状态。输入保护电路确保可以在不考虑电源电压的情况下向输入引脚施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

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型号：MC74VHC157D 编号：C3210530

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC157是一款采用硅栅CMOS工艺制造的先进高速CMOS四2通道多路复用器。它能实现与等效双极 - 肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该器件由四个2输入数字多路复用器组成，具有公共选择（S）和使能（E(overline)）输入

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型号：74VHC595FT(BJ) 编号：C7421299

封装：TSSOP16B

品牌：TOSHIBA(东芝)

8位移位寄存器/锁存器（三态）。采用硅栅CMOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器，在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作。包含一个8位静态移位寄存器，为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成，输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容

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型号：74VHC4020FT(BJ) 编号：C5331509

封装：TSSOP-16B

品牌：TOSHIBA(东芝)

14 级纹波进位二进制计数器。采用硅栅 C3MOS 技术制造的先进高速 CMOS 14 级二进制计数器/分频器。它实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。将 CLR 设置为高电平可将计数器复位为低电平。CK 输入的负跳变会使计数器加一。该计数器提供所有分频输出级，在 Q12 处将输出 1/4096 的分频频率。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可以施加 0 至 5.5V 的电压。该器件可用于连接 5V 至 3V 系统和双电源系统，如电池备份。该电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

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型号：MC74VHC4051DR2G 编号：C904185

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

高性能硅门极 MC74VHC4051、MC74VHC4052 和 MC74VHC4053 使用硅门极 CMOS 技术，可实现快速传播延迟、低导通电阻和低关断漏电流。这些模拟多路复用器/信号分离器控制在完整电源范围（从 VCC 到 VEE）内变化的模拟电压。VHC4051、VHC4052 和 VHC4053 与高速 HC4051A、HC4052A 和 HC4053A，以及金属门极 MC14051B、MC14052B 和 MC14053B 的引脚输出完全相同。沟道选择输入通过模拟开关决定将哪个模拟输入/输出联接公共输出/输入。启用引脚为高电平时，所有模拟开关关闭。沟道选择和启用输入与标准 CMOS 输出兼容；带上拉电阻，可兼容 LSTTL 输出。这些器件设计比金属门极 CMOS 模拟开关的导通电阻 (RON) 基于输入电压的线性也更强。

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型号：MC74VHC157DTR2G 编号：C904174

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

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型号：74VHCT240AFT(BE) 编号：C7421306

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：TC74VHC00FK(EL,K) 编号：C5381652

封装：VSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC00是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS二输入与非门。它能实现与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

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型号：TC74VHC138F(EL,K,F) 编号：C5381653

封装：SOIC-16-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC138是一款采用硅栅C²MOS技术制造的先进高速CMOS 3线 - 8线解码器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持CMOS的低功耗特性。当器件使能时，3个二进制选择输入（A、B和C）决定哪个输出（Y(overline)0至Y(overline)7）将变为低电平

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型号：74VHC08MTCX 编号：C903413

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC08 是一款先进的高速 CMOS 2 输入 AND 门极，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。该内部电路由 4 级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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￥2.97
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￥2.09

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型号：74VHC240FT(BE) 编号：C7421282

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHC240FT：反相三态输出 74VHC244FT：同相三态输出 74VHC240FT 和 74VHC244FT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。

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￥3.34
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型号：74VHCT244AMTCX 编号：C6154

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHCT244A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。VHCT244A是一款同相三态缓冲器，具备两个低电平有效的输出使能端

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型号：M74VHC1G126DTT1G 编号：C891377

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

是单门非反相三态缓冲器，采用小尺寸封装。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V电压时提供保护，允许该器件用于5V电路与3V电路的接口。输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护，有助于防止因电源电压与输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因造成的器件损坏。

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￥3.77
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￥3
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型号：74VHC14YTTR 编号：C5269236

封装：TSSOP-14-175mil

品牌：ST(意法半导体)

六角施密特反相器

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￥4.06
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￥3.99

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型号：MC74VHC245DWR2G 编号：C899723

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC245是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL相当的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

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￥4.44
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￥4.25

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型号：74VHC112MTCX 编号：C903414

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

VHC112是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS器件。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。VHC112包含两个独立的高速JK触发器，具有直接置位和清零输入。同步状态变化由时钟的下降沿触发

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￥5.02
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￥4.08
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型号：74VHC541MTCX 编号：C232797

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHC541 是一种先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHC541 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 VHC244 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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￥7.57
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￥6.35
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￥5.68

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型号：TC74VHC32F(EL,K,F) 编号：C5351366

封装：SOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHC32 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的先进高速 CMOS 二输入或门。它能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性

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￥7.64
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￥6.38
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￥5.69

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型号：74VHC574FT(BE) 编号：C7421298

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型触发器，带三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 电压施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏

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￥1.2427
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￥1.2168
150+
￥1.1995

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型号：74VHCT125AFT(BJ) 编号：C7421304

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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￥1.31
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￥1.28
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￥1.26

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型号：74VHC20FT(BJ) 编号：C7421280

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC20FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时，能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。

5+
￥1.39
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￥1.36
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￥1.34

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型号：74VHC9152FT(BJ) 编号：C5331515

封装：TSSOP-20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC9151FT/74VHC9152FT是采用硅栅CMOS技术制造的超高速9位施密特缓冲器/反相器。74VHC9151FT/74VHC9152FT结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度

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￥1.73
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￥1.68
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￥1.65

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型号：74VHC540FT(BJ) 编号：C7421296

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器，反相、三态输出。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线缓冲器，能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。当G1(overline)或G2(overline)为高电平时，终端输出处于高阻态。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压，该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如电池备用）的接口，此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

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￥1.73
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￥1.68
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￥1.65

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型号：74VHCT573AFT(BJ) 编号：C5331520

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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￥1.68
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￥1.65

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型号：74VHCT573AFT(BE) 编号：C5331519

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制锁存器，具有三态输出。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。该8位D型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当OE输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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