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封装：TSSOP-20

八进制 D 型触发器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 的电压施加到输入和输出引脚上。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致器件损坏

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型号：74VHCT244AFT 编号：C5188726

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进的高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。是一款反相三态缓冲器，具有两个低电平有效输出使能端。是非反相三态缓冲器，也有两个低电平有效输出使能端。这些器件设计用于三态存储器地址驱动器等。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可以用作3.3V到5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可以在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备用、热板插入等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT04AFT 编号：C5381636

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

六反相器74VHCT04AFT 是一种采用硅栅 C2MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速操作。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3 V 到 5 V 系统之间的电平转换器。输入保护和输出电路确保可以在输入和输出（注释）引脚上施加 0 至 5.5 V 的电压，而不考虑电源电压。这种结构可以防止由于电源和输入/输出电压不匹配（例如电池备份、热插拔等）导致的器件损坏。注：VCC=0 V

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型号：74VHCT126AFT 编号：C8158

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC74VHCT125A/126A是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极性肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。TC74VHCT125A需要将三态控制输入$\overline{{\mathbf{G}}}$置为高电平，以使输出进入高阻态；而TC74VHCT126A则需要将控制输入G置为低电平，以使输出进入高阻态

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型号：74VHCT08AFT 编号：C20247071

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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￥1.4241
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型号：74VHCT125AFT 编号：C146429

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT125AFT和74VHCT126AFT是采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它们能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。

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型号：74VHCT240AFT 编号：C2676086

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT240AFT 和 74VHCT244AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。 74VHCT240AFT 是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效输出使能端。

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型号：74VHCT00AFT 编号：C5352778

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

四2输入与非门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与非门。实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏

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型号：74VHCT245AFT 编号：C2675689

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线收发器。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。用于数据总线之间的双向异步通信。数据传输方向由DIR输入的电平决定。使能输入 (G(overline)) 可用于禁用该器件，以使总线有效隔离。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可向输入和输出引脚施加0V至5.5V的电压。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如备用电池等）而导致的器件损坏。

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型号：74VHCT14AFT 编号：C5381637

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。输入电压与TTL输出电压兼容。该器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可在输入和输出引脚施加0至5.5V的电压。这种结构可防止因电源与输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

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￥18.93
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型号：74VHCT573AFT 编号：C2675272

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型锁存器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制锁存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致器件损坏

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￥3.3376 ￥5.96
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型号：74VHCT14AMTC 编号：C903287

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHCT14A 是一款先进的高速 CMOS 六路施密特逆变器，采用硅门极 CMOS 技术制造。VHCT14A 包含六个独立的逆变器，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 VCC = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。

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型号：74VHCT574AM 编号：C906660

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHCT574A是一款采用硅栅极CMOS技术制造的先进的高速CMOS八路触发器，带3态输出。它实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS低功耗。该8位D型触发器由一个时钟输入(CP)和一个输出使能输入(OE#)控制。当OE#输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保0到7V可施加到输入和输出（注1）引脚，而不管电源电压如何。此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。

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￥1.828
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型号：74VHCT374AMX 编号：C899047

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHC374A是一款采用硅栅极CMOS技术制造的先进的高速CMOS八路触发器，带3态输出。它实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS低功耗。该8位D型触发器由一个时钟输入(CP)和一个输出使能输入(OE#)控制。当OE#输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保0到7V可施加到输入和输出（注1）引脚，而不管电源电压如何。此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。

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￥2.46
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型号：74VHCT245AMX 编号：C899046

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHCT245A 是一种先进的高速 CMOS 八路总线收发器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它实现了与同等双极肖特基 TTL 相似的高运行速度，同时保持了 CMOS 低功耗。VHCT245A 适用于数据总线间的双向异步通信。数据传输方向由 T/R 输入电平确定。启用输入可用于禁用器件，从而有效绝缘总线。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。

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￥2.56
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￥2.02
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￥1.79
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型号：74VHCT574AMX 编号：C899050

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHCT574A是一款采用硅栅极CMOS技术制造的先进的高速CMOS八路触发器，带3态输出。它实现了与等效双极型肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS低功耗。该8位D型触发器由一个时钟输入(CP)和一个输出使能输入(OE#)控制。当OE#输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。输入保护电路确保0到7V可施加到输入和输出（注1）引脚，而不管电源电压如何。此器件可用于连接5V至3V系统和两个电源系统（例如备用电池）。此电路可防止器件因电源和输入电压不匹配而受损。

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1+
￥2.65
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￥2.09
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￥1.85
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￥1.56
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型号：74VHCT00AMX 编号：C903426

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

VHCT00A 是一款先进的高速 CMOS 2 输入 NAND 门极，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还保持 CMOS 低功耗。该内部电路由三级组成，包括提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 VCC = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。

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1+
￥3.49
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￥2.75
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￥2.44
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￥2.05
500+
￥1.87
1000+
￥1.77

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型号：74VHCT14AMX 编号：C903429

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

VHCT14A 是一款先进的高速 CMOS 六路施密特逆变器，采用硅门极 CMOS 技术制造。VHCT14A 包含六个独立的逆变器，它们能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压和 VCC = 0V 时的输出引脚。这些电路可防止器件由于不匹配的电源和输入/输出电压而损坏。此器件可用作 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。

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1+
￥3.49
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￥2.44
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￥1.87
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型号：74VHCT541AM 编号：C906687

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHCT541A 是一种先进的高速 CMOS 器件，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHCT541A 是一种八路缓冲器/线路驱动器，可用作内存和地址驱动器、时钟驱动器和总线导向型发射器/接收器。此器件与 VHCT244A 的功能相似，同时还能提供通流体系结构（输入位于输出的对侧）。此引脚输出布置使得此器件尤其适合用作微处理器的输出端口，从而简化布局，实现更佳 PC 主板密度。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 3V 系统与 5V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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￥3.89
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型号：74VHCT244AM 编号：C238490

封装：SOIC-20-300mil

品牌：onsemi(安森美)

VHCT244A 是一种先进的高速 CMOS 八路总线收发器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。VHCT244A 是一款非反向 3 态缓冲器，具有两个有效低电平输出启用。该器件可用作 3 态内存地址驱动器、时钟驱动器和总线导向的发射器/接收器。保护电路可确保对输入和输出（注释 1）引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。这些电路可防止器件由于不匹配的供电和输入/输出电压而损坏。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。

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￥2.84
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