74VHC芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MC74VHC1G03DFT1G 编号：C327491

封装：SC-70

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1G03是一款采用硅栅CMOS工艺制造的先进高速CMOS 2输入或非门，具有漏极开路输出。其内部电路由多级组成，包括一个漏极开路输出，可设置输出开关电平

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1+
￥0.4417
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￥0.3506
30+
￥0.305

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型号：MC74VHC1G125DFT2G 编号：C25717080

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

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￥0.46
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型号：MC74VHC1G135DFT2G 编号：C34409102

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

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￥0.4872
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￥0.4768
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型号：MC74VHC1GT125DFT1G 编号：C35902495

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

5+
￥0.4872
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￥0.4768
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￥0.4699

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型号：MC74VHC1GT32DFT1G 编号：C23586150

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

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￥0.4872
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￥0.4768
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型号：MC74VHC1G132DBVT1G 编号：C891472

封装：SC-74A-5

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1G132 是一款单门极 CMOS 施密特 NAND 触发器，使用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。MC74VHC1G132 输入结构在应用高达 5.5V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。这使得 MC74VHC1G132 能够用于 5V 和 3V 电路之间的接口。MC74VHC1G132 可用于增强抗扰性或对慢慢变化的波形进行方形整形。

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5+
￥0.4996
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￥0.4883
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型号：MC74VHC1G08DBVT1G-Q 编号：C37572396

封装：SC-74A

品牌：onsemi(安森美)

5+
￥0.5413
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￥0.5298
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￥0.5221

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型号：MC74VHC1G00DBVT1G 编号：C891446

封装：SC-74A-5

品牌：onsemi(安森美)

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￥0.8312
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￥0.8125
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￥0.8

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型号：MC74VHC1GT126DFT1G 编号：C36428208

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值，另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

5+
￥0.9239
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￥0.7383
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型号：MC74VHC1GT50DFT1G-Q 编号：C32543517

封装：SOT-553

品牌：onsemi(安森美)

是先进的高速CMOS缓冲器，采用小尺寸封装。有CMOS电平输入阈值和TTL电平输入阈值两种类型。输入结构在施加高达5.5V电压时提供保护，无论电源电压如何，可用于5V电路与3V电路的接口。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护，有助于防止因电源电压与输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等导致的器件损坏。

5+
￥1.0212
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￥0.9993
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￥0.9847

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型号：74VHCT14AMTCX 编号：C8148

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHCT14A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS六施密特反相器。VHCT14A包含六个独立的反相器，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰、无抖动的输出信号。保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0V至7V的电压；当VCC = 0V时，输出引脚也可承受该电压范围

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1+
￥1.36
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￥1.33
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￥1.29

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型号：MC74VHC126DR2G 编号：C904170

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

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￥1.44
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￥1.41
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型号：M74VHC1GT04DTT1G 编号：C93165

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1GT04 是一款单逆向缓冲器，使用硅门极 CMOS 工艺制造。它实现了高速运行，同时可保持 CMOS 低功耗。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。该器件输入具有较低的输入阈值，输出则具有全 5V CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路可耐受过电压，因此使得该器件可用作逻辑电平转换器。MC74VHC1GT04 输入结构可在应用最高 5.5V 电压时提供保护，而无论电源电压如何，因此使得该零部件能够用于接口 1.8/3.3V 3/5V 电路。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。

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￥1.551
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￥1.2326
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型号：74VHCT541AFT(BJ) 编号：C6423716

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

先进高速CMOS八进制总线缓冲器，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。当G1或G2为高电平时，终端输出处于高阻抗状态。输入电压与TTL输出电压兼容。这些器件可用作3.3V至5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将0至5.5V电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

5+
￥1.7466
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￥1.3938
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型号：74VHC132MTCX 编号：C903415

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

VHC132 是一款先进的高速 CMOS 2 输入 NAND 施密特触发器门极，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。引脚配置和功能与 VHC00 相同，只是输入在正向和负向输入阈值之间存在迟滞，能够将缓慢变化的输入信号转换为清晰定义的无抖动输出信号。因此可提供比传统逆变器更佳的干扰裕度。输入保护电路可确保对输入引脚应用 0V 到 7V 电压而无需考虑电源电压。此器件可用于将 5V 系统与 3V 系统以及两种电源系统的接口，如备用电池。此电路可防止器件由于不匹配的供电和输入电压而损坏。

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1+
￥2.19
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￥2.15
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￥2.11

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型号：74VHC08FT(BE) 编号：C4153813

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

四输入与门。采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 2输入与门。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗。内部电路由包括缓冲输出的4级组成，提供高抗噪性和稳定输出。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可施加0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统和双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏

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1+
￥2.3
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￥2.24
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￥2.2

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型号：74VHC125FT(BE) 编号：C5331505

封装：TSSOP-14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

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5+
￥2.3228
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￥1.844
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￥1.6388

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型号：MC74VHC125DR2G 编号：C904169

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC125 是一宽高速 CMOS 四路总线缓冲器，采用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。MC74VHC125 需要 3 态控制输入 (OEbar) 设置为高电平才能将输出置于高阻抗状态。该内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲输出。输入耐压达 7V，支持 5V 系统到 3V 系统的接口。

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1+
￥3.17
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￥3.1
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￥3.06

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型号：74VHCT573AFT 编号：C2675272

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制 D 型锁存器，具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制锁存器。实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，可将 0 至 5.5V 电压施加到输入和输出引脚。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致器件损坏

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1+
￥3.3376 ￥5.96
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￥2.6818 ￥5.83
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￥2.07 ￥5.75
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￥2.0376 ￥5.66

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型号：74VHCT244AMTCX 编号：C6154

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

VHCT244A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。VHCT244A是一款同相三态缓冲器，具备两个低电平有效的输出使能端

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1+
￥3.48
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￥3.4
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￥3.35

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型号：MC74VHCT245ADTG 编号：C897461

封装：TSSOP-20

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHCT245A是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS八进制总线收发器。它能实现与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性

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1+
￥3.49
10+
￥2.84
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￥2.52
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￥2.19

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型号：MC74VHC50DTR2G 编号：C603276

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC50是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS缓冲器。内部电路由三级组成，包括一个缓冲输出，可提供高抗噪性和稳定输出

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￥3.5
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￥2.79
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￥2.48

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型号：M74VHC1G126DTT1G 编号：C891377

封装：SC-59

品牌：onsemi(安森美)

是单门非反相三态缓冲器，采用小尺寸封装。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V电压时提供保护，允许该器件用于5V电路与3V电路的接口。输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护，有助于防止因电源电压与输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因造成的器件损坏。

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1+
￥3.77
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￥3
30+
￥2.62

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型号：74VHCT240AFT 编号：C2676086

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHCT240AFT 和 74VHCT244AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗。 74VHCT240AFT 是一个反相三态缓冲器，有两个低电平有效输出使能端。

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1+
￥3.86
10+
￥3.17
30+
￥2.82

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型号：MC74VHC595DR2G 编号：C463315

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC595是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进高速8位移位寄存器，带有一个输出存储寄存器。它能实现与等效双极型肖特基TTL类似的高速运行，同时保持CMOS的低功耗特性。MC74VHC595包含一个8位静态移位寄存器，该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据

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1+
￥4.4
10+
￥4.29
30+
￥4.22

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型号：74VHC112MTCX 编号：C903414

封装：TSSOP-16

品牌：onsemi(安森美)

VHC112是采用硅栅CMOS技术制造的先进高速CMOS器件。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速操作，同时保持了CMOS的低功耗特性。VHC112包含两个独立的高速JK触发器，具有直接置位和清零输入。同步状态变化由时钟的下降沿触发

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1+
￥5.02
10+
￥4.08
30+
￥3.62

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型号：74VHC123AMX 编号：C6636

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

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1+
￥6.01
10+
￥5.87
30+
￥5.77

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型号：M74VHC1GT32DTT1G 编号：C891387

封装：TSOP-5-1.5mm

品牌：onsemi(安森美)

MC74VHC1G32 / MC74VHC1GT32 是采用超小封装的单路 2 输入或门。MC74VHC1G32 具有 CMOS 电平输入阈值，而 MC74VHC1GT32 具有 TTL 电平阈值。无论电源电压如何，当施加高达 5.5 V 的电压时，输入结构可提供保护

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5+
￥0.4828
50+
￥0.4724
150+
￥0.4655

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型号：MC74VHC1G126DFT1G 编号：C27409466

封装：SC-88A

品牌：onsemi(安森美)

单门非反相三态缓冲器采用小尺寸封装。一款具有CMOS电平输入阈值，另一款具有TTL电平输入阈值。内部电路由三级组成，包括一个缓冲三态输出，提供高抗噪性和稳定输出。输入结构在施加高达5.5V的电压时提供保护，无论电源电压如何。这允许该器件用于将5V电路与3V电路连接。一些输出结构在VCC = 0V和输出电压超过VCC时也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止因电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏。

5+
￥0.5819
50+
￥0.5696
150+
￥0.5613

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型号：MC74VHC1GT32DBVT1G-Q 编号：C33879149

封装：SC-74A

品牌：onsemi(安森美)

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￥0.609
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￥0.596
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