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封装：WLCSP-6(1x1.7)

FPF1048 高级负载管理开关针对需要高度集成解决方案的应用。它能够断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，具有严格的关断状态电流目标和高负载电容（高达100 μF）。FPF1048 由 slew rate controlled 低阻抗 MOSFET 开关（典型值23 mΩ）和集成模拟特性组成。slew rate controlled 的开启特性可以防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压下降。FPF1048 具有真反向电流阻断 (TRCB) 功能，在 ON 和 OFF 状态下阻止从 Vout 到 VIN 的不需要的反向电流。极低的关断状态电流消耗（最大<1 μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为1.5 V至5.5 VDC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（主动高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/通用输入/输出 (GPIO) 接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的全“绿色”合规的1.0 mm x 1.5 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，背面覆膜。

6000+
￥1.5318
12000+
￥1.518
18000+
￥1.4904

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型号：VND1NV04TR-E 编号：C2680458

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

VND1NV04、VNN1NV04、VNS1NV04 是采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，旨在用于从直流到 50 KHz 应用中替代标准功率 MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈

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1+
￥24.71
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￥24.14
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￥23.37

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型号：BTF50060-1TEA 编号：C534727

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTF50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片上的智能功率芯片技术，集成P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在恶劣的汽车环境中驱动负载而设计

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单价：
￥12.15 / 个

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型号：BTS6133DAUMA1 编号：C2680389

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

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￥22.6
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￥19.36
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￥17.43
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￥15.49
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￥14.59
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￥14.18

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型号：BTS724G 编号：C82656

封装：DSO-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌智能高边开关 5.5~40V 90毫欧 4通道可并联

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￥15.42
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￥11.86
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￥10.6
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￥9.99
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￥9.74

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型号：SY6280AAC 编号：C55136

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6280开发了具有可编程限流功能的超低导通电阻（Rds(on)）开关，以保护电源免受过流和短路情况的影响。它集成了过温保护功能，并在关断期间对输出电容进行放电。若在关断状态下输出电压被拉高至高于输入电压，SY6280可阻止电流从输出端流向输入端

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￥0.5501
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￥0.4356
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￥0.3767
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3000+
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6000+
￥0.2999

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型号：MT9700-N 编号：C42441843

封装：SOT-23-5

品牌：西安航天民芯

MT9700是一款经济高效、低电压的单P沟道MOSFET负载开关，专为自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用而优化。该开关的输入电压范围为2.4V至5V。

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￥0.219
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￥0.1431
6000+
￥0.1368
9000+
￥0.1325

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型号：BTS4140N 编号：C59442

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。

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￥4.98
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￥3.99
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￥3.49
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￥2.94 ￥3
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￥2.646 ￥2.7
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￥2.499 ￥2.55

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型号：TPS2116DRLR 编号：C3235557

封装：SOT-583

品牌：TI(德州仪器)

TPS2116 1.6V 至 5.5V、40mΩ、2.5A、低 IQ、优先级电源多路复用器

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￥2.46
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￥1.9
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￥1.63
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￥1.39
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￥1.27
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￥1.23

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型号：LPW5209AB5F 编号：C387727

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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￥0.4689
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￥0.3302
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￥0.2914
3000+
￥0.2779
6000+
￥0.2687

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型号：NCV8402ADDR2G 编号：C109030

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402D/AD是一款双路受保护的低边智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电（ESD）保护，以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件具备保护功能，适用于严苛的汽车环境

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￥5.19
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￥4.21
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￥3.72
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￥3.23
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￥3.05
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￥2.9

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型号：NCV8402ASTT1G 编号：C77755

封装：SOT-223-3

品牌：onsemi(安森美)

NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护，适用于严苛的汽车环境。

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￥3.09
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￥2.43
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￥2.15
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￥1.8
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￥1.48
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￥1.39

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型号：BSP75N 编号：C114056

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用智能功率技术，通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关，具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能，专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载（继电器、螺线管）而设计。

数据手册

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￥5.99
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￥4.31
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￥3.76
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￥3.03
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￥2.85

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型号：TPS22810DBVR 编号：C205990

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22810 具备可调节上升和可调节输出放电的 18V、3A、79mΩ 负载开关

数据手册

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￥1.0131
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￥0.7893
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￥0.6934
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￥0.5738
3000+
￥0.5205
6000+
￥0.4885

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型号：AOZ1360AIL 编号：C146821

封装：SOIC-8

品牌：AOS

28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch

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1+
￥6.07
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￥4.91
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￥4.32
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￥3.74
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￥3.07
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￥2.89

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型号：TPS2553DBVR 编号：C55266

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS2553 高电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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￥1.2953
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￥0.8901
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￥0.7384
3000+
￥0.6709
6000+
￥0.6304

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型号：MIC2026-1YM-TR 编号：C144190

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC2026和MIC2076是高端MOSFET开关，针对需要电路保护的通用配电应用进行了优化。MIC2026/76内置限流功能，并具备热关断功能，可保护器件和负载。

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￥6.36
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￥5.21
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￥4.64
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￥4.07
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￥3.22
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￥3.05

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型号：BTT6050-2ERA 编号：C3232306

封装：SOIC-14-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

1+
￥17.07
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￥14.4
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￥12.73
100+
￥11.01
500+
￥10.24
1000+
￥9.9

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型号：BTS723GW 编号：C67625

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌智能高边开关

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1+
￥17.75
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￥15.12
30+
￥13.48
100+
￥10.59
500+
￥9.83
1000+
￥9.5

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型号：TPS22919DCKR 编号：C2149796

封装：SC-70-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22919 具有可调节输出放电功能的 5.5V、1.5A、90mΩ 负载开关

数据手册

5+
￥0.603
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￥0.4878
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￥0.4301
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￥0.3759
3000+
￥0.3413
6000+
￥0.3241

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型号：TPS22917DBVR 编号：C2681320

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22917 具备可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、80mΩ、10nA 泄露负载开关

数据手册

5+
￥1.3094
50+
￥1.0246
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￥0.9026
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￥0.7503
3000+
￥0.6825
6000+
￥0.6418

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型号：VND14NV04TR-E 编号：C2649436

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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1+
￥11.1
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￥9.41
30+
￥8.47
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￥7.42
500+
￥6.95
1000+
￥6.74

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型号：BTS5215L 编号：C386329

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET，通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥14.64
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￥12.24
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￥10.73
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￥8.97
500+
￥8.28
1000+
￥7.98

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型号：BTN8982TA 编号：C74175

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

高电流 PN 半桥驱动IC

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1+
￥29.43
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￥25.73
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￥20.78
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￥18.56
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￥17.53
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￥17.07

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型号：TPNTJD1155LT1G 编号：C5246385

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET，采用低外形、小尺寸封装，输入电压范围为 1.8 至 8.0 V，开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V，电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。

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5+
￥1.1442
50+
￥0.8948
150+
￥0.7878
500+
￥0.6544
3000+
￥0.5653
6000+
￥0.5297

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型号：FDC6331L-TP 编号：C5371027

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：2.8A。 RDS(ON)=45mΩ @ VGS=4.5V(典型值)。 RDS(ON)=50mΩ @ VGS=2.5V(典型值)。 RDS(ON)=80mΩ @ VGS=1.8V(典型值)。与FDC6331L引脚完全兼容。应用：电池组。电池供电的便携式设备

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5+
￥1.6027
50+
￥1.2424
150+
￥1.0879
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￥0.8952
3000+
￥0.8094
6000+
￥0.7579

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型号：TPS27081ADDCR 编号：C128404

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS27081A 具有可调节上升时间的 8V、3A、44mΩ 负载开关

数据手册

5+
￥1.7829
50+
￥1.3821
150+
￥1.2103
500+
￥0.9959
3000+
￥0.9005
6000+
￥0.8432

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型号：TPS22950CDDCR 编号：C7587833

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22950 具有可调节电流限制的 5.5V、2A、40mΩ 负载开关

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￥3.92
10+
￥3.14
30+
￥2.76
100+
￥2.37
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

有货

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型号：SY6280AAAC 编号：C207620

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6280/ SY6280A是超低RDS(ON)开关，具有可编程电流限制功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。它们集成了过温保护和反向阻断功能。SY6280在关机时会自动对输出电容进行放电。

数据手册

5+
￥0.6005
50+
￥0.4707
150+
￥0.4057
500+
￥0.3571
3000+
￥0.3181
6000+
￥0.2986

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型号：TPS2051BDBVR 编号：C24593

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2051B 高电平有效的 0.5A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关

数据手册

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￥1.1256
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￥0.8866
150+
￥0.7842
500+
￥0.6565
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