美台功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BL2556ACB5TR 编号：C2909512

封装：SOT-23-5

品牌：BL(上海贝岭)

BL2556是一款适用于5V应用的可调限流门限的USB接口输出保护芯片。芯片内部集成了过流保护、短路保护、过温保护、欠压保护等功能，在输出发生过流、短路或带大电容负载启动等情况时可以限制电流输出，从而保护前级电源。

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5+
￥0.8223
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￥0.6635
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￥0.5841
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￥0.5246
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￥0.4539

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型号：ASK831BSA 编号：C48886551

封装：SOT-23-3L

品牌：无锡众享

ASK831BSA是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。芯片内部最小Toff时间固定为32us且带有抖频功能，在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。集成有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、过热保护、过载保护和短路保护等。采用高压集成工艺，内部集成有500V高压MOSFET，适用于小家电和辅助电源应用场合所需的离线式降压电路和升降压电路，也可用于线性电源的替代型电源。芯片采用开关式峰值电流模式控制，默认5V高精度输出时最大程度降低了系统成本。此外，芯片经过内部优化，可兼容超低压输入(15Vdc以上)应用。

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￥0.6134
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￥0.4886
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￥0.4262
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￥0.3794
2500+
￥0.3419
5000+
￥0.3232

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型号：TBD62003APG(Z,HZ) 编号：C146373

封装：DIP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

新产品，ULN2003APG升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。

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￥2.59
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￥2.01
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￥1.76
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￥1.45
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￥1.31
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￥1.23

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型号：AP8022HNE-A1 编号：C2994667

封装：DIP-8

品牌：chipown(芯朋微电子)

AP8022H芯片内部集成了脉宽调制控制器和800V高雪崩能力智能功率MOSFET，适用于小功率离线式开关电源。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护和软启动功能。间歇工作模式能够降低系统处于待机模式时的功耗；抖频技术有助于改善功率离线式开关电源。

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5+
￥2.05
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￥1.53
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￥1.31
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￥1.03

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型号：BTS141TC 编号：C534743

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用Smart SIPMOS芯片堆叠技术的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具备嵌入式保护功能。

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￥31.77
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￥27.23
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￥24.53

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型号：KP3116SGA 编号：C554033

封装：SOIC-8

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

一款高性能低成本 PWM 控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压 MOSFET 可提高系统浪涌耐受能力。与传统的 PWM 控制器不同，内部无固定时钟驱动 MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时采用了多模式 PWM 控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD 欠压保护、逐周期电流限制、异常过流保护、输出过压保护、过热保护、过载保护和 VDD 过压保护等。

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5+
￥1.5869
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￥1.229
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￥1.0757
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￥0.914

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型号：PL5802B 编号：C5150984

封装：TSOT-23-6L

品牌：POWLICON(宝砾微)

PL5802B 是一款高性能的单通道电源开关,集成了USB专用充电端口控制器。它具有强大的内部电源开关,能够承受高达18V的电压瞬变和大电流冲击,适用于各种输出短路事故。该芯片支持自动检测Apple和Samsung设备的快速充电模式,并符合BC1.2和YD/T 1591-2009充电规范。PL5802B还具有低静态电流、过温关断和自动重启功能,确保在多种应用中的可靠性能。

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5+
￥1.6124
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￥1.2747
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￥1.13
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￥0.9494

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型号：MS31860T 编号：C5371397

封装：ETSSOP-16

品牌：杭州瑞盟

MS31860T是一款8通道低边驱动器，包含SPI串口通信、PWM斩波器配置、过流保护、短路保护、欠压锁定和过热关断功能，芯片可以读取每个通道的状态。MS31860T可以诊断开路的负载情况，并可以读取故障信息。外部故障引脚指示芯片的故障状态。

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￥5.75
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￥4.63
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￥4.07
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￥3.51

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型号：VN9016AJTR 编号：C19191773

封装：PowerSSO-16

品牌：ST(意法半导体)

单通道高端驱动器，采用专有VIPower M0-9技术制造，封装在PowerSSO-16中。该器件旨在通过3V和5V CMOS兼容接口驱动12V汽车接地负载，提供保护和诊断功能。该器件集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行过载主动管理以及带有可配置锁存关闭功能的过温关断。FaultRST引脚可在发生故障时解锁输出或禁用锁存关闭功能。专用多功能复用模拟输出引脚提供复杂的诊断功能，包括高精度比例负载电流检测、电源电压反馈和芯片温度检测，还能检测过载、接地短路、VCC短路和关断状态下的开路负载。

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￥14.29
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￥11.99
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￥10.55
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￥9.07

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型号：BTS6133D 编号：C152388

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

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￥16
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￥13.59
30+
￥12.09
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￥9.72

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型号：BTS117TC 编号：C2150103

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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1+
￥18.19
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￥16.03
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￥14.68

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型号：MP9989GV-Z 编号：C3233157

封装：QFN-8(4x5)

品牌：MPS(芯源)

MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器，集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器，以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV，并在漏源电压反转之前关断

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￥25.3968
100+
￥18.0235
500+
￥14.8284

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型号：P14C13 编号：C5274035

封装：SOT-23

品牌：Prisemi(芯导)

P14C13是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。过温保护（OTP）功能可监测芯片温度，保护器件

10+
￥0.2434
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￥0.192
300+
￥0.1664

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型号：RT9742CGJ5(Z30) 编号：C424402

封装：SOT-23-5

品牌：RICHTEK(立锜)

是一款具有成本效益的低压单N-MOSFET高端功率开关IC，适用于USB应用。该IC实现了低导通电阻和低电源电流。集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路，以提供全面保护。此外，还有一个标志输出，用于向本地USB控制器指示故障情况。芯片还集成了嵌入式延迟功能，以防止因浪涌电流而发生误操作。有TSOT-23-5、TSOT-23-5 (FC) 和SOT-23-3封装，是USB电源的理想解决方案，可支持灵活应用。

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5+
￥0.593
50+
￥0.5813
150+
￥0.5735
500+
￥0.5657

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型号：DIO7553ST6 编号：C2920631

封装：SOT-23-6

品牌：DIOO(帝奥微)

DIO7552/7553 是电源分配开关，适用于需要精确限流、遇到重容性负载和短路的应用场景，可提供高达 2.31A 的连续负载电流。当电压高于最大电压 5% 时，芯片可至少维持 10ms 而不损坏。通过外部电阻可在 400mA 至 2.57A（典型值）之间设置可编程的限流阈值

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5+
￥1.1248
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￥0.9131
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￥0.8224
500+
￥0.7092

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型号：BTS3160DAUMA1 编号：C2680314

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3160D是一款采用PG - TO - 252 - 5 - 13封装的单通道锁存型低端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件由采用智能功率技术的控制芯片控制

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1+
￥20.77
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￥17.59
30+
￥15.71

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型号：KP12354SPA 编号：C2692399

封装：SOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1235X是高度集成的升压型LED恒流功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1235X内部集成消磁信号检测技术，同时集成有高压启动和供电电路，无需辅助绕组检测消磁和供电，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度电感电流采样技术和高精度输出电流基准电压，同时集成有线电压补偿技术，具有良好的恒流输出特性。

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1+
￥1.89
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￥1.66
30+
￥1.56
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￥1.44
500+
￥1.26
1000+
￥1.22

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型号：WSTD5020AN-L 编号：C52091975

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，双通道；18mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥33.99
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￥29.37
30+
￥26.56

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型号：WST5035AN-L 编号：C52091978

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥33.99
10+
￥29.37
30+
￥26.56

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型号：ME1501CM5G 编号：C2835831

封装：SOT-23-5

品牌：MICRONE(南京微盟)

ME1501是一款适用于5V 2.1A应用的USB接口输出保护芯片。芯片内部集成了过流保护、短路保护、过温保护、欠压保护等功能，在输出发生过流、短路或带大电容负载启动等情况时可以限制电流输出从而保护前级电源。

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5+
￥0.8264
50+
￥0.657
150+
￥0.5723
500+
￥0.5087

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型号：KP1063DP 编号：C2692505

封装：DIP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP106X系列是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。KP106X内部集成有高压650V功率MOSFET和高压启动以及供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片通过对全周期电感电流进行采样，可以获得超高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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1+
￥3.45
10+
￥2.71
50+
￥2.38
100+
￥1.99
500+
￥1.81

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型号：FPF3380UCX 编号：C894838

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3380UCX是一款集成超低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在2.8 V至23 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持5 A。当输入电压超过过压阈值时，内部FET会立即关断，以防止受保护的下游组件损坏。该器件集成了基于IEC61000 - 4 - 5标准的±110 V浪涌保护瞬态电压抑制器（TVS）。FPF3380采用小型12凸点晶圆级芯片规模封装（WLCSP），工作环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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1+
￥4.66
10+
￥4.1496 ￥4.56
30+
￥3.6369 ￥4.49
100+
￥3.5802 ￥4.42

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型号：FPF2595UCX 编号：C891251

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF2595先进负载管理开关适用于需要高度集成解决方案的应用。它可断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，满足严格的关态电流目标和高负载电容（<100μF）要求。FPF2595由一个压摆率可控的低阻抗MOSFET开关（典型值35mΩ）和集成模拟功能组成。压摆率可控的导通特性可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压降。FPF2595具备过压保护和过温保护功能。FPF2595具有真正的反向电流阻断（TRCB）功能，可在导通和关断状态下阻止从Vout到VIN的不必要反向电流。极低的关态电流消耗（最大<2μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为2.5V至5.5VDC，可支持消费、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理等广泛应用。开关控制由一个逻辑输入（高电平有效）管理，该逻辑输入能够直接与低压控制信号/通用输入/输出（GPIO）接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的、完全符合“绿色”标准的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。

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1+
￥7.38
10+
￥6.11
30+
￥5.41
100+
￥4.62
500+
￥4.05
1000+
￥3.9

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型号：WSTQ6160AN-L 编号：C52091974

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，四通道；170mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥19.28
10+
￥16.42
30+
￥14.63

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型号：WST6050AN-L 编号：C52091970

封装：DFN-14L(6x9)

品牌：Winsemi(稳先微)

高边开关，单通道；38mΩ，DFN9×6-14L封装，AEC-100认证，单芯片设计

1+
￥19.28
10+
￥16.42
30+
￥14.63

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型号：MP9989GS-Z 编号：C5776411

封装：SOIC-8

品牌：MPS(芯源)

MP9989 是一款用于反激式转换器的快速关断智能整流器，集成了一个 100V 的 MOSFET。它可以替代二极管整流器，以提高效率和功率密度。该芯片将内部功率开关的正向压降调节至 40mV，并在漏源电压反转之前关断

1+
￥24.8233
100+
￥17.532
500+
￥14.5007
1000+
￥13.5176
3000+
￥13.3538

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型号：P14C3ND 编号：C7465129

封装：DFN-8L-EP(2x2)

品牌：Prisemi(芯导)

是一种过压保护（OVP）负载开关，具有可调的过压锁定（OVLO）阈值电压。当任何输入电压超过阈值时，设备将关闭内部MOSFET，以断开输入与输出的连接，从而保护负载。当OVLO输入设置低于外部OVLO选择电压时，自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调节，OVLO阈值电压范围为4.0V-9V。具有过温保护（OTP）功能，可监控芯片温度以保护设备。有DFN2x2-8L和SOT23-6L两种封装形式。

5+
￥0.7313
50+
￥0.5825
150+
￥0.5081
500+
￥0.4523

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型号：SY6288C3AAC 编号：C207612

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款具有限流功能的超低导通电阻（RDS(ON)）开关，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加高于VN的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端

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5+
￥1.2539
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￥0.9707
150+
￥0.8493
500+
￥0.6979
3000+
￥0.6305
6000+
￥0.59

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型号：BTS5016SDAAUMA1 编号：C3232339

封装：TO-252-5

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5016SDA是一款采用PG - TO252 - 5 - 11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

1+
￥13.63
10+
￥12.05
30+
￥11.07

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型号：BTS6142D 编号：C534820

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关（12 mΩ），采用PG-TO252-5-11功率封装，提供包括ReverSave™在内的嵌入式保护功能。ReverSave™是一种保护功能，可在反极性情况下使功率晶体管导通，从而降低功耗。具有电流控制输入，并通过负载电流检测提供诊断反馈。设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术。

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1+
￥17.17 ￥25.25
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￥14.645 ￥25.25
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