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采用反向电流阻挡的1 A逻辑控制型高端负载开关

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型号：BTS7200-4EPA 编号：C5359853

封装：PG-TSDSO-14

BTS7200-4EPA 是一款智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用了SMART7技术，适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适合1A负载（包括继电器）以及高浪涌电流负载，如R5W灯泡或等效电子负载（例如LED模块）。该设备属于PROFET™ +2 12V系列，具有在反向电流条件下开启的能力（InverseON）、带控制重启的绝对和动态温度限制、带智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护等功能。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下开路检测以及对地短路和电池短路检测。BTS7200-4EPA 符合汽车应用要求，并满足AEC-Q100 Grade 1标准。

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型号：BTS3035EJ 编号：C534752

封装：TDSO-8

BTS3035EJ是一款导通电阻为35 mΩ的单通道智能低边功率开关，采用PG - TDSO8 - 31封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成，该器件为单片集成式。BTS3035EJ符合汽车级标准，针对12 V汽车应用进行了优化

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型号：SIP32429DN-T1-GE4 编号：C141605

封装：TDFN-10-EP(3x3)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32419和SiP32429是负载开关，集成了多种控制功能，可简化设计并提高与该开关相连电路的可靠性。这两款器件均为56 mΩ开关，设计工作范围为6V至28V。内部产生的栅极驱动电压可确保在输入电压工作范围内实现良好的导通电阻（RON）线性度

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型号：BTS7004-1EPP 编号：C534825

封装：TSDSO-14

该产品是智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。

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型号：BTS5210G 编号：C2150070

封装：SOIC-14

采用电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET，通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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型号：BTS452R 编号：C126924

封装：TO-252-4

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：LM74502HDDFR 编号：C5219202

封装：SOT-23-8-THIN

品牌：TI(德州仪器)

LM74502H 具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 65V 工业 RPP 控制器

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型号：VNF1048FTR 编号：C5269599

封装：QFN-32L

高侧开关控制器（带智能熔断保护），适用于12 V、 24 V、以及48 V汽车应用

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型号：BTS500101TADATMA2 编号：C2150443

封装：TO-263-7

BTS50010-1TAD是一款导通电阻为1.0 mΩ的单通道智能高边功率开关，采用PG-TO-263-7-10封装，具备保护功能和诊断功能。它还具备ReverSave功能。

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型号：TPU6013DK 编号：C42407116

封装：DFN-14(2x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这是一款小型、超低导通电阻（RON）的双通道负载开关，具备受控导通功能。该器件包含两个 N 沟道 MOSFET，可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内工作，每通道可支持最大 6A 的连续电流

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型号：VNN1NV04PTR-E 编号：C22444

封装：SOT-223

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：TPS27S100BRRKR 编号：C1849486

封装：WQFN-16-EP(3.5x4)

品牌：TI(德州仪器)

TPS27S100 具有可调节电流限制的 40V、80mΩ、4A、单通道工业高侧开关

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型号：BTS4142N 编号：C112634

封装：SOT-223

N 通道垂直功率 FET，带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：LTC4359CMS8#TRPBF 编号：C688235

封装：MSOP-8

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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型号：ETA7014S2G 编号：C7465500

封装：SOT23-6

品牌：ETA(钰泰)

ETA7014是一款36V高压过压保护器（OVP），其导通电阻极低，仅为35mΩ。只需改变外部连接，它即可用作过压保护器件或高压开关。ETA7014由电荷泵、可配置功率MOSFET、电压基准、栅极驱动器以及一些逻辑和保护模块组成

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型号：TPSI1869DH-T1-E3 编号：C5246384

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：TPS2065DR 编号：C544468

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2065 高电平有效的 1A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关

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型号：BTS70802EPAXUMA1 编号：C3232436

封装：TSSOP-14-EP-150mil

BTS7080 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：VND5E160AJTR-E 编号：C2150171

封装：PowerSSO-12

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：VNL5050S5TR-E 编号：C2149847

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：NCP45524IMNTWG-H 编号：C603740

封装：WFDFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关提供了一种组件和面积减少的解决方案，通过软启动实现带涌流限制的高效电源域切换。这些设备设计为在一个封装中集成控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的电源MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：BTS452RATMA1 编号：C7466796

封装：TO-252-5

N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：TPD2015FN,L1F(S 编号：C5353808

封装：SSOP-30-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TPD2015FN是一款带有MOSFET输出的高端开关阵列（8通道）。这是一款单片功率IC，可直接由CMOS、TTL逻辑电路（如MCU等）驱动，具备过流和过温保护功能。

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型号：VN750PTTR-E 编号：C2149771

封装：TO-252-5

VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：BTS716G 编号：C85135

封装：DSO-20

N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：LTC4359HDCB#TRPBF 编号：C688238

封装：DFN-6-EP(2x3)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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型号：LTC4417IUF#TRPBF 编号：C688510

封装：QFN-24-EP(4x4)