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首页 > 热门关键词 > 英飞凌功率开关芯片
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N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、接地参考 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
数据手册
  • 1+

    ¥13.14
  • 10+

    ¥11.16
  • 30+

    ¥9.91
  • 有货
  • BTN7030-1EPA 是一个带有集成驱动的保护型半桥,提供保护和诊断功能。该器件采用 SMART7 技术集成。
    • 1+

      ¥14.93
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥11.26
  • 有货
  • 是单通道低侧MOSFET功率开关,采用PG-TO252-3-11封装,具备嵌入式保护功能。与N沟道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成。通过了汽车认证,可用于12V和24V的汽车和工业应用。能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载,受限于EAS和最大电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥16.78
    • 10+

      ¥14.22
    • 30+

      ¥12.62
    • 100+

      ¥10.47
  • 有货
  • N 通道垂直功率 MOSFET 与电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.52
    • 10+

      ¥21.29
    • 30+

      ¥19.38
  • 有货
    • 1+

      ¥35.71
    • 10+

      ¥30.58
    • 30+

      ¥27.53
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.08
    • 10+

      ¥40.16
    • 30+

      ¥35.94
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考CMOS或V(bb)/2兼容输入以及通用诊断反馈功能,采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥68.98
    • 10+

      ¥58.87
    • 30+

      ¥52.72
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,带有电荷泵、接地参考的 CMOS 或 Vbb/2 兼容输入以及通用诊断反馈,采用 SmartSIPMoS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥76.12
    • 10+

      ¥64.72
    • 30+

      ¥57.76
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.89
    • 10+

      ¥5.76
    • 30+

      ¥5.67
  • 有货
  • BTS3080EJ是一款80 mΩ单通道智能低边功率开关,采用PG - TDSO8 - 31封装,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件为单片集成式
    • 1+

      ¥6.9
    • 10+

      ¥5.7
    • 30+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.29
  • 有货
  • 智能高侧 NMOS 电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥8.02
    • 10+

      ¥6.58
    • 30+

      ¥5.79
    • 100+

      ¥4.9
  • 有货
  • ITS4200S-ME-O是一款采用SOT-223-4封装的单通道受保护智能高端NMOS功率开关,具备电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥7.86
    • 30+

      ¥7.01
  • 有货
  • BTS5030 - 2EKA是一款导通电阻为30 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 40 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥10.75
    • 10+

      ¥9.13
    • 30+

      ¥8.11
  • 有货
  • 该器件可对灯具、LED 或感性负载进行连续功率控制。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.3378 ¥13.66
    • 10+

      ¥9.7455 ¥13.35
    • 30+

      ¥8.2845 ¥13.15
    • 100+

      ¥8.1585 ¥12.95
  • 有货
  • 是一款120mΩ双通道智能高端功率开关,采用PG-DSO-14-40 EP、外露焊盘封装,提供保护功能和诊断。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成,采用Smart6技术集成。专为在恶劣汽车环境中驱动高达1 * 10W的灯具以及LED而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.9504 ¥15.52
    • 10+

      ¥10.1706 ¥15.18
    • 30+

      ¥8.5215 ¥14.95
    • 100+

      ¥8.3904 ¥14.72
  • 有货
  • BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.98
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥9.03
  • 有货
  • 是一款受保护的单通道智能高端NMOS功率开关,采用PG-DSO-8封装,带有电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.43
    • 10+

      ¥10.58
    • 30+

      ¥9.42
  • 有货
  • 是一款智能高端开关,提供保护功能和增强的诊断能力。该器件提供可调电流限制,为保护系统提供更高的可靠性。在接地短路的情况下,可以保护PCB走线、连接器以及负载。此外,还实现了电容性负载开关模式来对电容器进行充电。
    • 1+

      ¥13.15
    • 10+

      ¥11.03
    • 30+

      ¥9.71
  • 有货
  • BTT3018EJ 是一款导通电阻为 16 mΩ 的单通道智能低边功率开关,采用 PG-TDSO-8 封装,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。BTT3018EJ 为单片集成器件
    • 1+

      ¥13.53
    • 10+

      ¥13.22
    • 30+

      ¥13.01
  • 有货
  • 该设备是一款智能功率高端开关,提供增强的保护和诊断功能。除了标准的设备保护功能外,它还通过IS引脚提供可选的I²t保护、可调过流保护、空闲模式以及顺序诊断模式。
    • 1+

      ¥14.83
    • 10+

      ¥12.62
    • 30+

      ¥11.23
  • 有货
  • BTS3011TE是一款导通电阻为11 mΩ的单通道智能低边功率开关,采用PG - TO252 - 5封装,具备内置保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成,该器件为单片集成。BTS3011TE符合汽车级标准,针对12 V汽车和工业应用进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥17.13
    • 10+

      ¥14.43
    • 30+

      ¥12.73
  • 有货
  • 该器件是一款智能功率高端开关,具备增强的保护和诊断功能。除标准的器件保护功能外,它还提供可选的I²t保护、可调过流保护、空闲模式,以及通过IS引脚实现的顺序诊断模式。
    • 1+

      ¥17.25
    • 10+

      ¥16.81
    • 30+

      ¥16.51
  • 有货
  • TLE75602 - ESH是一款采用PG - TSDSO - 24 - 21封装的八通道低边和高边功率开关,具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口(SPI)对负载以及器件本身进行控制和诊断
    数据手册
    • 1+

      ¥17.26
    • 10+

      ¥14.55
    • 30+

      ¥12.86
  • 有货
    • 1+

      ¥17.35
    • 10+

      ¥14.8
    • 30+

      ¥13.2
  • 有货
  • BTF6070 - 2ERV是一款60 mΩ双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥18.41
    • 10+

      ¥15.46
    • 30+

      ¥13.61
  • 有货
  • BTT6030 - 2ERB是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成制造
    数据手册
    • 1+

      ¥34.5
    • 10+

      ¥29.54
    • 30+

      ¥26.59
  • 有货
  • ISO1H812G 是一款采用 PG-DSO-36 封装的电气隔离 8 位数据接口,提供 8 个完全受保护的高端电源开关,可处理高达 625 mA 的电流。该 IC 配备一个兼容 μC 的串行接口,可直接连接到 μC 系统。输入接口采用 3.3/5V CMOS 兼容电平工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.53
    • 10+

      ¥31.41
    • 30+

      ¥28.3
  • 有货
    • 1+

      ¥40.17
    • 10+

      ¥39.27
    • 30+

      ¥38.68
  • 有货
    • 5+

      ¥74.390866
    • 10+

      ¥70.258039
    • 100+

      ¥60.61478
    • 1000+

      ¥55.793149
    是单通道低侧功率开关,采用PG-DSO-8-24封装,提供嵌入式保护功能。该器件为单片集成,由一个N沟道功率MOSFET晶体管和额外的保护电路组成。能够切换各种电阻性、感性和容性负载,受EAS和最大电流能力限制。提供IN引脚相对于源引脚的ESD保护。过温保护可防止设备因过载和/或散热条件不佳而过热。具有热自动重启功能,在测量温度下降到热滞后值后设备将再次开启。过压保护在负载突降或感性关断条件下启动,功率MOSFET将漏源电压限制在规定的钳位电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.75
    • 10+

      ¥7.26
    • 30+

      ¥6.44
  • 有货
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