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首页 > 热门关键词 > 英飞凌功率开关芯片
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BTS7040-1EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
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  • 1+

    ¥5.91
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    ¥4.75
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    ¥4.18
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    ¥3.6
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  • 智能高侧 NMOS 电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥8.11
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      ¥6.67
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      ¥5.88
    • 100+

      ¥4.98
  • 有货
  • BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.38
    • 10+

      ¥7.76
    • 30+

      ¥6.87
  • 有货
  • PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管,具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能,采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.28
    • 10+

      ¥8.5
    • 30+

      ¥7.52
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 与电荷泵,接地参考 CMOS 兼容输入,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.75
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    • 30+

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  • TLE92466ED是一款灵活的单片式电磁阀驱动IC,专为自动变速器、电子稳定控制和主动悬架应用中的线性电磁阀控制而设计。该器件集成了驱动晶体管和电流检测电阻,以减少外部元件数量。该器件控制负载电流的误差小于1%。可对0至1500 mA的目标电流进行编程,分辨率为15位。该器件支持高达1800 mA的抖动电流。抖动发生器可在编程的电流设定点上叠加一个具有可编程幅度、频率和形状的三角波或梯形波。使用32位SPI接口来控制6个通道并监控诊断功能的状态。SPI通信通过8位CRC和可编程超时看门狗进行保护。低电平有效复位输入(RESN)用于禁用所有通道,并将内部寄存器复位为默认值。高电平有效使能引脚(EN)可在不禁用SPI接口的情况下启用或禁用输出通道。每当检测到故障时,故障输出引脚(FAULTN)信号可作为外部中断发送给微控制器。
    • 1+

      ¥104.92
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      ¥99.86
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  • 是一款智能高端功率开关,提供保护功能和诊断。该设备集成了SMART7技术。
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      ¥4.133621
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      ¥4.062351
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      ¥9.24
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  • BTS3028SDL 是一款采用 PG-TO252-3-11 封装的单通道低侧 MOSFET 功率开关,具备嵌入式保护功能。该器件将 N 沟道垂直功率 FET 与嵌入式保护功能进行了单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.56
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      ¥14.81
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    • 100+

      ¥11.32
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  • BTF6070 - 2ERV是一款60 mΩ双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥18.5
    • 10+

      ¥15.55
    • 30+

      ¥13.71
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  • ITS4130Q - EP - D是一款130 mΩ四通道智能高端电源开关,具备集成保护功能和诊断反馈。它的四个通道每个都能承受超过500 mA的电流,在结温(Tj)为125°C时,典型导通电阻RDS(0N)低至205 mΩ,采用小型PG - TSDSO - 14外露焊盘封装,在实现高度灵活性的同时,对空间要求极低。热增强型PGTSDSO - 14封装的外露焊盘可通过导热过孔将器件产生的热量高效传导至印刷电路板(PCB)的内层
    数据手册
    • 1+

      ¥28.57
    • 10+

      ¥24.28
    • 30+

      ¥21.73
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  • BTS5045-1EJA 是一款45 mΩ单通道智能高边功率开关,采用PG-DSO-8-43 EP外露焊盘封装,提供保护功能和诊断。该功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成了Smart6技术,特别设计用于在恶劣的汽车环境中驱动高达1 * P27W/P21W的灯泡以及LED。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.31
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      ¥7.95
    • 30+

      ¥7.21
    • 100+

      ¥6.37
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 FET 带有电荷泵,接地参考 CMOS 兼容输入,与嵌入式保护功能单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.54
    • 10+

      ¥7.87
    • 30+

      ¥6.95
    • 100+

      ¥5.91
  • 有货
  • 带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,与嵌入式保护功能单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.02
    • 10+

      ¥8.44
    • 30+

      ¥7.45
    • 100+

      ¥6.44
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  • BTT6030-1ERA 是一款31毫欧单通道智能高端功率开关,采用PG-TDSO-14外露焊盘封装,提供保护功能和诊断。该功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成了Smart6技术。它特别设计用于在恶劣的汽车环境中驱动高达3 x P21 W 24 V或1 x 70 W 24 V的灯泡以及LED。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.47
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      ¥10.55
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      ¥9.35
  • 有货
  • BTS7012 - 2EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
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      ¥13.29
    • 10+

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    • 30+

      ¥9.86
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  • BTS4300SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成
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    • 1+

      ¥13.51
    • 10+

      ¥11.38
    • 30+

      ¥10.04
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  • BTT3018EJ 是一款导通电阻为 16 mΩ 的单通道智能低边功率开关,采用 PG-TDSO-8 封装,具备嵌入式保护功能。功率晶体管由 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。BTT3018EJ 为单片集成器件
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      ¥19.62
    • 10+

      ¥16.67
    • 30+

      ¥14.92
  • 有货
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      ¥25.9
    • 10+

      ¥22.02
    • 30+

      ¥19.71
  • 有货
  • 是一款75 mΩ四通道智能高端功率开关,提供集成保护功能和诊断反馈。四个通道每个通道的电流能力超过2 A,在Tj = 125℃时典型RDS(ON)值低至120 mΩ,采用小型PG-TSDSO-14外露焊盘封装,结合了高电流能力和最小的空间要求。热增强型PGTSDSO-14封装的外露焊盘可通过散热过孔将热量从器件高效传递到PCB内层。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET(DMOS)构成,专为在恶劣工业环境中切换电阻性、电感性或电容性负载而设计,具备基本保护功能,非常坚固
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    • 1+

      ¥37.16
    • 10+

      ¥31.63
    • 30+

      ¥28.26
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.38
    • 10+

      ¥40.46
    • 30+

      ¥36.24
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的N沟道垂直功率MOSFET,具备电荷泵和电流控制输入,提供嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥8.19
    • 10+

      ¥6.72
    • 30+

      ¥5.91
  • 有货
  • N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),带电荷泵,参考地CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
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    • 1+

      ¥10.35
    • 10+

      ¥10.11
    • 30+

      ¥9.94
  • 有货
  • N通道垂直功率MOSFET,带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈,采用Smart SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
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    • 1+

      ¥11.73
    • 10+

      ¥9.88
    • 30+

      ¥8.72
  • 有货
  • BTS3011TE是一款导通电阻为11 mΩ的单通道智能低边功率开关,采用PG - TO252 - 5封装,具备内置保护功能。功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成,该器件为单片集成。BTS3011TE符合汽车级标准,针对12 V汽车和工业应用进行了优化
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    • 1+

      ¥17.02
    • 10+

      ¥14.32
    • 30+

      ¥12.63
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  • BTT6100 - 2EKA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 40 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
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    • 1+

      ¥18.36
    • 10+

      ¥15.61
    • 30+

      ¥13.97
    • 100+

      ¥12.31
  • 有货
  • 采用电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,采用Smart SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥18.67
    • 10+

      ¥15.94
    • 30+

      ¥14.32
  • 有货
  • 是一款智能高端功率开关,提供保护功能和诊断。
    • 1+

      ¥20.13
    • 10+

      ¥17.22
    • 30+

      ¥15.49
  • 有货
  • BTS5020 - 2EKA是一款导通电阻为20 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 40 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥25.44
    • 10+

      ¥21.95
    • 30+

      ¥19.88
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 MOSFET,带电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
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    • 1+

      ¥29.64
    • 10+

      ¥25.22
    • 30+

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