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首页 > 热门关键词 > 英飞凌功率开关芯片
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N通道垂直功率FET,带有电荷泵,地参考型CMOS兼容输入。采用Smart SIPMOS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
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    ¥8.63
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  • 有货
  • N 沟道垂直功率 FET 带有电荷泵,接地参考 CMOS 兼容输入,与嵌入式保护功能单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.89
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      ¥8.22
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      ¥7.3
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,采用 Smart SIPMOS 技术。通过嵌入式保护功能实现全面保护。
    • 1+

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      ¥8.61
    • 30+

      ¥7.61
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      ¥6.59
  • 有货
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      ¥14.44
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      ¥10.89
    • 100+

      ¥9.49
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥14.67
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      ¥12.42
    • 30+

      ¥11.01
  • 有货
  • N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),带电荷泵,参考地CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
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      ¥16.65
    • 10+

      ¥14.09
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      ¥12.48
    • 100+

      ¥10.33
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵,具有接地参考的 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.93
    • 10+

      ¥14.45
    • 30+

      ¥12.89
  • 有货
  • BTS3028SDL 是一款采用 PG-TO252-3-11 封装的单通道低侧 MOSFET 功率开关,具备嵌入式保护功能。该器件将 N 沟道垂直功率 FET 与嵌入式保护功能进行了单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.88
    • 10+

      ¥15.12
    • 30+

      ¥13.4
  • 有货
  • TLE8108EM是一款采用PG-SSOP-24封装的8通道低端开关,具备嵌入式保护功能。它专门设计用作动力总成汽车应用的继电器驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.06
    • 10+

      ¥19.03
    • 30+

      ¥17.23
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 MOSFET,带电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥28.48
    • 10+

      ¥24.23
    • 30+

      ¥21.7
  • 有货
  • ITS4130Q - EP - D是一款130 mΩ四通道智能高端电源开关,具备集成保护功能和诊断反馈。它的四个通道每个都能承受超过500 mA的电流,在结温(Tj)为125°C时,典型导通电阻RDS(0N)低至205 mΩ,采用小型PG - TSDSO - 14外露焊盘封装,在实现高度灵活性的同时,对空间要求极低。热增强型PGTSDSO - 14封装的外露焊盘可通过导热过孔将器件产生的热量高效传导至印刷电路板(PCB)的内层
    数据手册
    • 1+

      ¥28.74
    • 10+

      ¥24.46
    • 30+

      ¥21.91
  • 有货
  • 该器件是一款 1 mΩ 单通道智能高端功率开关,采用 PG-HSOF-8 封装,具备保护功能和诊断功能。它具备反向导通功能,特别设计用于驱动大电流负载,适用于加热器、电热塞、风扇和泵等应用。
    • 1+

      ¥32.34
    • 10+

      ¥27.51
    • 30+

      ¥24.64
  • 有货
  • TLE92466ED是一款灵活的单片式电磁阀驱动IC,专为自动变速器、电子稳定控制和主动悬架应用中的线性电磁阀控制而设计。该器件集成了驱动晶体管和电流检测电阻,以减少外部元件数量。该器件控制负载电流的误差小于1%。可对0至1500 mA的目标电流进行编程,分辨率为15位。该器件支持高达1800 mA的抖动电流。抖动发生器可在编程的电流设定点上叠加一个具有可编程幅度、频率和形状的三角波或梯形波。使用32位SPI接口来控制6个通道并监控诊断功能的状态。SPI通信通过8位CRC和可编程超时看门狗进行保护。低电平有效复位输入(RESN)用于禁用所有通道,并将内部寄存器复位为默认值。高电平有效使能引脚(EN)可在不禁用SPI接口的情况下启用或禁用输出通道。每当检测到故障时,故障输出引脚(FAULTN)信号可作为外部中断发送给微控制器。
    • 1+

      ¥102.17
    • 10+

      ¥97.11
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      ¥88.34
  • 有货
  • TLE75008-ESD是一款采用PG-TSDSO-24-21封装的八通道低侧功率开关,具备嵌入式保护功能。它专为控制汽车和工业应用中的继电器和LED而设计。该器件利用串行外设接口(SPI)对负载以及器件本身进行控制和诊断
    数据手册
    • 1+

      ¥9.53
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      ¥7.99
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      ¥7.03
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      ¥6.05
  • 有货
  • 带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,与嵌入式保护功能单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.87
    • 10+

      ¥8.29
    • 30+

      ¥7.3
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      ¥6.28
  • 有货
  • ITS4100S-SJ-N是一款采用PG-DSO-8封装的单通道受保护智能高端NMOS功率开关,具备电荷泵和CMOS兼容输入。该器件采用智能技术进行单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.09
    • 10+

      ¥9.43
    • 30+

      ¥8.39
    • 100+

      ¥7.33
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET,具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈,基于智能SIPMOs技术进行单片集成。 ·具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.25
    • 10+

      ¥9.55
    • 30+

      ¥8.49
  • 有货
    • 1+

      ¥14.36
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      ¥12.1
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      ¥10.69
    • 100+

      ¥9.24
  • 有货
  • BTT6100 - 2EKA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 40 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥12.4
    • 30+

      ¥10.77
    • 100+

      ¥9.11
  • 有货
  • 全新集成式 SPIDER+ 系列包含 9 款可进行价值扩展的产品。简化后的产品组合包括 2 款低侧(8 + 4 通道)、2 款高侧(8 通道)和 5 款灵活器件(8 通道),最多具备 6 个可配置通道
    数据手册
    • 1+

      ¥18.54
    • 10+

      ¥15.77
    • 30+

      ¥14.04
  • 有货
    • 1+

      ¥26.87
    • 10+

      ¥22.98
    • 30+

      ¥20.67
  • 有货
  • BTS3205N是一款采用PG - SOT - 223 - 4封装的单通道低端功率开关,具备内置保护功能。该器件为单片集成器件,由一个N沟道功率MOSFET晶体管和额外的保护电路组成。该器件能够切换各种阻性、感性和容性负载,不过会受到单脉冲雪崩能量(EAS)和最大电流能力的限制
    数据手册
    • 1+

      ¥3.55
    • 10+

      ¥3.47
    • 30+

      ¥3.42
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的N沟道垂直功率MOSFET,具备电荷泵和电流控制输入,提供嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥5.31
    • 30+

      ¥5.23
  • 有货
  • BTS7010-1EPA是一款智能高端功率开关,具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.51
    • 10+

      ¥6.22
    • 30+

      ¥5.51
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,采用智能功率技术,通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关,具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能,专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载(继电器、螺线管)而设计。
    数据手册
    • 50+

      ¥11.119969
    • 200+

      ¥9.33089
    • 500+

      ¥7.749382
    • 1000+

      ¥6.523715
    N沟道垂直功率FET,带电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈,采用智能SIPMOS技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.09
    • 10+

      ¥8.31
    • 30+

      ¥7.33
    • 100+

      ¥6.22
  • 有货
  • BTS3125TF是一款导通电阻为125 mΩ的单通道智能低侧功率开关,采用PG - TO252 - 3封装,具备内置保护功能。该功率晶体管由N沟道垂直功率MOSFET构成,为单片集成器件。BTS3125TF符合汽车级标准,针对12 V汽车应用进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥10.829 ¥16.66
    • 10+

      ¥7.8155 ¥14.21
    • 30+

      ¥5.7015 ¥12.67
    • 100+

      ¥4.995 ¥11.1
    • 500+

      ¥4.6755 ¥10.39
    • 1000+

      ¥4.5405 ¥10.09
  • 有货
  • 是单通道低侧MOSFET功率开关,采用PG-TO252-3-11封装,提供嵌入式保护功能。该器件与N沟道垂直功率FET和嵌入式保护功能进行了单片集成。可用于12V和24V汽车和工业应用。能够切换各种电阻性、电感性和电容性负载,受EAS和最大电流能力限制
    • 1+

      ¥12.54
    • 10+

      ¥10.58
    • 30+

      ¥9.35
  • 有货
  • BTS3104SDL是一款采用PG-TO252-3-11封装的单通道低侧MOSFET功率开关,具备内置保护功能。该器件将一个N沟道垂直功率场效应晶体管与内置保护功能进行了单片集成。
    数据手册
    • 1+

      ¥12.72
    • 10+

      ¥10.7
    • 30+

      ¥9.44
    • 100+

      ¥8.14
  • 有货
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