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首页 > 热门关键词 > 威世功率开关芯片
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是一款用于USB应用的经济高效、低电压、单N-MOSFET高端电源开关IC。该IC实现了低导通电阻和低电源电流。集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路,以提供全面保护。此外,还有一个标志输出,用于向本地USB控制器指示故障情况。此外,芯片还集成了嵌入式延迟功能,以防止因浪涌电流而发生误操作。采用TSOT-23-5、TSOT-23-5 (FC)和SOT-23-3封装,可支持灵活应用。
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  • 1+

    ¥6.43
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    ¥3.65
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  • 采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),集成于智能SIPMOS芯片芯片技术中,具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥20.165 / 个
    采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),集成于Smart SIPMOS芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.048598 / 个
    英飞凌智能高边开关 5.5~40V 90毫欧 4通道 可并联
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      ¥15.65
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      ¥10
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  • SY6280开发了具有可编程限流功能的超低导通电阻(Rds(on))开关,以保护电源免受过流和短路情况的影响。它集成了过温保护功能,并在关断期间对输出电容进行放电。若在关断状态下输出电压被拉高至高于输入电压,SY6280可阻止电流从输出端流向输入端
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      ¥0.5797
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      ¥0.3281
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  • TPS2051B 高电平有效的 0.5A 负载、2.7-5.5V、70mΩ USB 电源开关
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    • 3000+

      ¥0.6058
    • 6000+

      ¥0.59
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
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      ¥4.65
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    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • MT9700是一款经济高效、低电压的单P沟道MOSFET负载开关,专为自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用而优化。该开关的输入电压范围为2.4V至5V。
    • 10+

      ¥0.2544
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      ¥0.1607
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      ¥0.156
  • 有货
  • TPS22810 具备可调节上升和可调节输出放电的 18V、3A、79mΩ 负载开关
    数据手册
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      ¥1.65
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  • DIODES™ ZXMS6004FF是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET® MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004FF非常适合作为由3驱动的通用开关
    数据手册
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      ¥3.19
    • 10+

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      ¥1.83
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  • 28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch
    数据手册
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      ¥5.01
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    • 500+

      ¥3.32
    • 1000+

      ¥3.15
  • 有货
  • 采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET,通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
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      ¥14.27
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      ¥12.08
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    • 500+

      ¥8.48
    • 1000+

      ¥8.2
  • 有货
  • TPS22810 具备可调节上升和可调节输出放电的 18V、3A、79mΩ 负载开关
    数据手册
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    • 6000+

      ¥0.8611
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  • NCV8402 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件提供保护,适用于严苛的汽车环境。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.34
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      ¥3.6
    • 30+

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  • TPS2553 高电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关
    数据手册
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      ¥1.8596
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      ¥1.5024
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    • 6000+

      ¥1.0223
  • 有货
  • NCV8402D/AD是一款双路受保护的低边智能分立器件。其保护功能包括过流、过温、静电放电(ESD)保护,以及用于过压保护的集成漏极至栅极钳位电路。该器件具备保护功能,适用于严苛的汽车环境
    数据手册
    • 1+

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      ¥3.14
    • 1000+

      ¥2.98
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.16
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    • 1000+

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  • 高电流 PN 半桥驱动IC
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      ¥50.54
    • 10+

      ¥44.7
    • 30+

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    • 100+

      ¥33.11
  • 有货
  • OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET
    数据手册
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      ¥4.93
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      ¥4.36
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      ¥3.8
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      ¥3.46
    • 1000+

      ¥3.28
  • 有货
  • MIC2026和MIC2076是高端MOSFET开关,针对需要电路保护的通用配电应用进行了优化。MIC2026/76内置限流功能,并具备热关断功能,可保护器件和负载。
    数据手册
    • 1+

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      ¥5.71
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    • 1000+

      ¥3.34
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。
    数据手册
    • 1+

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    • 500+

      ¥5.76
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      ¥5.56
  • 有货
  • BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    • 1+

      ¥18.79
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      ¥15.81
    • 30+

      ¥13.95
    • 100+

      ¥12.04
    • 500+

      ¥11.18
    • 1000+

      ¥10.8
  • 有货
  • BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥19.08
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      ¥16.22
    • 30+

      ¥14.43
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      ¥12.59
    • 500+

      ¥11.76
    • 1000+

      ¥11.4
  • 有货
  • TPS22919 具有可调节输出放电功能的 5.5V、1.5A、90mΩ 负载开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.5619
    • 100+

      ¥0.4661
    • 300+

      ¥0.4182
    • 3000+

      ¥0.3731
  • 有货
  • AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关,专为需要精确电流限制的应用而优化,或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA(典型值)之间。在高电流限制设置下,可实现 ±10% 的电流限制精度
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8138
    • 50+

      ¥1.4664
    • 150+

      ¥1.3175
    • 500+

      ¥1.1318
    • 3000+

      ¥1.0491
    • 6000+

      ¥0.9994
  • 有货
  • LPW5209是一款用于自供电和总线供电通用串行总线(USB)应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET,以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流(μA)和小封装(SOT23 - 5)特别适用于电池供电的便携式设备
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5186
    • 50+

      ¥0.4139
    • 150+

      ¥0.3616
    • 500+

      ¥0.3224
    • 3000+

      ¥0.2844
    • 6000+

      ¥0.2687
  • 有货
  • 这是一款低压单NMOSFET高端功率开关,针对自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用进行了优化。该开关配备电荷泵电路以驱动内部NMOSFET开关,其低导通电阻Rds(on)为40mΩ,满足USB电压降要求,并且设有标志输出,可向本地USB控制器指示故障情况
    • 5+

      ¥1.12708 ¥1.483
    • 50+

      ¥0.878104 ¥1.1554
    • 150+

      ¥0.7714 ¥1.015
    • 500+

      ¥0.638324 ¥0.8399
    • 3000+

      ¥0.579044 ¥0.7619
    • 6000+

      ¥0.5434 ¥0.715
  • 有货
  • TPS22918 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、2A、52mΩ 负载开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1624
    • 50+

      ¥0.9155
    • 150+

      ¥0.8097
    • 500+

      ¥0.6341
    • 3000+

      ¥0.5753
    • 6000+

      ¥0.54
  • 有货
  • AP2161和AP2171是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入有两种极性可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4451
    • 50+

      ¥1.1912
    • 150+

      ¥1.0824
    • 500+

      ¥0.9467
    • 3000+

      ¥0.8178
    • 6000+

      ¥0.7816
  • 有货
  • 特性:压降:Vdrop = 0.2V(Vin = 12V,IL = 2.0A;Vin = 5V,IL = 1.8A)。 RDS(ON):56mΩ(典型值,VGS = -12V,ID = -2.0A);90mΩ(典型值,VGS = -5.0V,ID = -1.8A)。 先进的沟槽工艺技术。 可通过外部R1、R2和C1调节开关转换速率。 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。 符合IEC 61249标准的绿色模塑料。应用:电池组。 电池供电的便携式设备
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2829
    • 50+

      ¥1.7973
    • 150+

      ¥1.5893
    • 500+

      ¥1.2639
    • 3000+

      ¥1.1483
    • 6000+

      ¥1.079
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