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封装：SO-28-300mil

VNQ810P - E是一款四通道高侧驱动器（HSD），由两个VND810P - E芯片封装在同一个SO - 28封装中构成。VNQ810P - E是采用VIPower M0 - 3技术制造的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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型号：FPF1048BUCX 编号：C479722

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1048 高级负载管理开关针对需要高度集成解决方案的应用。它能够断开由直流电源轨（<6V）供电的负载，具有严格的关断状态电流目标和高负载电容（高达100 μF）。FPF1048 由 slew rate controlled 低阻抗 MOSFET 开关（典型值23 mΩ）和集成模拟特性组成。slew rate controlled 的开启特性可以防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压下降。FPF1048 具有真反向电流阻断 (TRCB) 功能，在 ON 和 OFF 状态下阻止从 Vout 到 VIN 的不需要的反向电流。极低的关断状态电流消耗（最大<1 μA）有助于满足待机功耗要求。输入电压范围为1.5 V至5.5 VDC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（主动高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/通用输入/输出 (GPIO) 接口，无需外部下拉电阻。该器件采用先进的全“绿色”合规的1.0 mm x 1.5 mm晶圆级芯片级封装 (WLCSP)，背面覆膜。

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型号：FPF3380UCX 编号：C894838

封装：WLCSP-12(1.3x1.8)

品牌：onsemi(安森美)

FPF3380UCX是一款集成超低导通电阻单通道开关的过压保护（OVP）器件。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在2.8 V至23 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持5 A。当输入电压超过过压阈值时，内部FET会立即关断，以防止受保护的下游组件损坏。该器件集成了基于IEC61000 - 4 - 5标准的±110 V浪涌保护瞬态电压抑制器（TVS）。FPF3380采用小型12凸点晶圆级芯片规模封装（WLCSP），工作环境温度范围为 - 40 ℃至 + 85 ℃。

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型号：FPF1039UCX 编号：C891218

封装：WLCSP-6(1x1.7)

品牌：onsemi(安森美)

FPF1039 高级负载管理开关适用于需要高度集成解决方案以断开由直流电源轨（<6V）供电的负载的应用，这些应用具有严格的关断电流目标和高负载电容（高达200 μF）。FPF1039 包含一个 slew rate controlled 低阻 MOSFET 开关（典型值21 mΩ）和其他集成模拟特性。slew rate controlled 启动特性可防止浪涌电流以及由此导致的电源轨上的过度电压跌落。该设备具有极低的关断电流消耗（最大<1 μA），有助于符合低待机功耗应用的要求。输入电压范围为1.2 V至5.5 V DC，支持消费电子、光学、医疗、存储、便携式和工业设备电源管理中的广泛应用。开关控制通过逻辑输入（激活时为高电平）进行管理，可以直接与低压控制信号/GPIO接口，无需外部上拉电阻。该设备采用先进的全“绿色”1mm x 1.5 mm晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP），提供优异的热导率、小尺寸和低电气电阻，适用于更广泛的应用。

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型号：VNP10N06-E 编号：C263000

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

VNP10N06是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。

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型号：BTS500801TMAATMA1 编号：C2150048

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关，采用PG-TO220-7-4封装，具备嵌入式保护功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成，基于智能SIPMOS芯片堆叠技术设计。具有电流控制输入，提供带负载电流检测的诊断反馈，在过载、过温关机和/或短路关机时提供定义的故障信号。

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型号：BTS500601TEAAUMA2 编号：C3232344

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50060 - 1TEA采用PG - TO252 - 5 - 11封装，是一款导通电阻为6mΩ的单通道智能高端功率开关。它基于芯片级智能功率芯片技术，集成了P沟道垂直功率MOSFET，具备保护和诊断功能。该器件专为在严苛的汽车环境中驱动负载而设计

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型号：BTS6142D 编号：C534820

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道高端功率开关（12 mΩ），采用PG-TO252-5-11功率封装，提供包括ReverSave™在内的嵌入式保护功能。ReverSave™是一种保护功能，可在反极性情况下使功率晶体管导通，从而降低功耗。具有电流控制输入，并通过负载电流检测提供诊断反馈。设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术。

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单价：
￥25.25 / 个

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型号：BTS6142D 编号：C3232341

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS 6142D 是一款采用 PG-TO252-5-11 封装的单通道高端功率开关，具备包括 ReverSave™ 在内的嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。其设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术

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型号：BTS141TCBUMA1 编号：C2680352

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

N 通道垂直功率 FET，采用 Smart SIPMOS 芯片堆叠技术，提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS500851TMBAKSA1 编号：C3232980

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中。提供嵌入式保护功能。

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型号：Y4203-ADJM6R 编号：C49270370

封装：SOT-23-6

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

具有充电前端过电压和过温保护功能。支持3V到40V的宽输入电压工作范围。过压保护阈值可以外部设置或采用内部默认设置。超快的过压保护响应速度能够确保后级电路的安全。集成了超低导通阻抗的nFET开关，确保电池充电系统应用更好的性能。它可以承受峰值5A的电流，以及持续3A的工作电流以满足电池充电系统的要求。集成了过热保护关机和自动恢复电路，防止持续大电流导致芯片过热失效。采用了DFN2x2-8L和SOT23-6L的封装，散热好，能够很好的满足大电流应用条件。

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型号：SY6283DRC 编号：C178243

封装：DFN-4(1.2x1.6)

品牌：Silergy(矽力杰)

是超低RDS(ON)开关，具有限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。是具有过流和过温保护的限流P沟道MOSFET电源开关。MOSFET的漏极和源极之间没有体二极管，可防止芯片禁用后电流从输出流向输入。

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型号：BTS500801TEAAUMA1 编号：C2150064

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS50080-1TEA是一款采用PG-TO252-5-11封装的单通道高端功率开关，具备嵌入式保护功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。其设计基于智能SIPMOS芯片堆叠技术

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型号：VND14NV04-E 编号：C155647

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

VNB14NV04、VND14NV04、VND14NV04 - 1和VNS14NV04是采用VIPower™ M0技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 KHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测故障反馈

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型号：SY6288C30AAC 编号：C7427215

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288是一款超低导通电阻（RDS(ON)）开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。SY6288是一款用于高端负载开关应用的限流P沟道MOSFET功率开关。该MOSFET的漏极和源极之间不存在寄生体二极管，因此当芯片禁用且输出端被外部强制施加比输入电压（VIN）更高的电压时，SY6288可防止电流从输出端流向输入端

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型号：RT9742ANGJ5F 编号：C147955

封装：TSOT-23-5

品牌：RICHTEK(立锜)

是一款用于USB应用的经济高效、低电压、单N-MOSFET高端电源开关IC。该IC实现了低导通电阻和低电源电流。集成了过流保护电路、短路折返电路、热关断电路和欠压锁定电路，以提供全面保护。此外，还有一个标志输出，用于向本地USB控制器指示故障情况。此外，芯片还集成了嵌入式延迟功能，以防止因浪涌电流而发生误操作。采用TSOT-23-5、TSOT-23-5 (FC)和SOT-23-3封装，可支持灵活应用。

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型号：BTS5014SDA 编号：C534802

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS5014SDA 是一款单通道高边功率开关，采用 PG-TO252-5-11 封装，提供嵌入式保护功能。该功率晶体管由带电荷泵的 N 沟道垂直功率 MOSFET 构成。设计基于智能 SIPMOS 芯片堆叠技术。BTS5014SDA 具有电流控制输入，并在过载操作、过温关断和/或短路关断情况下提供带有负载电流检测和定义故障信号的诊断反馈。特性包括：- 可扩展产品系列的一部分- 负载电流检测- Reversave - 非常低的待机电流- 电流控制输入引脚- 改进的电磁兼容性 (EMC)- 快速去磁化感应负载- 低压下的稳定行为- 绿色产品（符合 RoHS 标准）- AEC 认证工作电压范围为 5.5V 至 20V，最小过压保护为 39V。在 150°C 下的最大导通电阻为 28 mΩ。标称负载电流为 6A，最小电流限制为 55A。在 25°C 下，整个设备带负载时的最大待机电流为 6 μA。

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￥12.635095

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型号：KP10790WPA 编号：C2693101

封装：ASOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1079XWP 系列是高度集成的恒流 LED 功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压 500V 功率 MOSFET、600V 超快恢复二极管、800V 整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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￥0.3437
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￥0.2717
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￥0.2087
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￥0.1763

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型号：KP10791WPA 编号：C2693102

封装：ASOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1079XWP 系列是高度集成的恒流 LED 功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压 500V 功率 MOSFET、600V 超快恢复二极管、800V 整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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￥0.4353
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￥0.3441
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￥0.2985
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￥0.2643
5000+
￥0.237
10000+
￥0.2233

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型号：KP10792WPA 编号：C2693103

封装：ASOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1079XWP 系列是高度集成的恒流 LED 功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压 500V 功率 MOSFET、600V 超快恢复二极管、800V 整流桥和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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￥0.3901
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￥0.3349
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￥0.2935
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￥0.2742
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￥0.2576

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型号：KP15113SPA 编号：C2692452

封装：SOP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1511X 是一款高度集成的升压式 PFC 恒压功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、超低谐波失真和高效率的要求。 KP1511X 内部集成消磁信号检测技术，同时集成有高压启动供电电路和高压 MOSFET，无需辅助绕组检测消磁和供电，只需很少的外围器件，极大的简化了系统的设计和生产成本。 KP1511X 集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如：VDD 欠压保护功能 (UVLO)、逐周期电流限制 (OCP)、过热保护 (OTP)、输出过压保护 (OVP)、输出欠压保护 (UVP) 等。

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￥1.2317
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￥1.0049
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￥0.9077
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2500+
￥0.7325
4000+
￥0.7

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型号：KP12654FDP 编号：C2692382

封装：DIP-7

品牌：Kiwi Instruments(必易微)

KP1265XF是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，同时加以有源功率因数校正控制技术可以满足高功率因数、低谐波失真和高效率的性能。 KP1265XF内部集成有高压500V功率MOSFET和高压供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片通过独有的恒流控制算法，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。

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