威世功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：MAX14915AFM+ 编号：C1556660

封装：QFN-48-EP(6x6)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

紧凑型工业八路高边开关，带诊断功能

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1+
￥68.3
10+
￥66.01
14+
￥62.7095 ￥66.01

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型号：LT4320IDD-1#PBF 编号：C672463

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥68.8548 ￥70.26
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￥58.604 ￥59.8
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￥52.3614 ￥53.43
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￥47.1282 ￥48.09

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型号：LT4320HDD-1#PBF 编号：C672453

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥74.15
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￥63.76
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￥57.44
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￥47.4383 ￥52.13

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型号：LT4320HMSE#PBF 编号：C672455

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥76.247 ￥80.26
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￥72.5135 ￥76.33
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￥66.044 ￥69.52
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￥60.401 ￥63.58

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型号：LT8310IFE#PBF 编号：C673710

封装：TSSOP-20-EP

品牌：ADI(亚德诺)

是一款易于使用的谐振复位正激转换器控制器，可通过内部稳压的10V电源驱动低端N沟道MOSFET的栅极。采用占空比模式控制，使用单个电源变压器产生稳定、稳压的隔离输出。通过光耦合器（隔离）或直接布线（非隔离）添加输出电压反馈，可激活电流模式调节，提高输出精度和负载响应。用户可将开关频率编程为100kHz至500kHz，以优化效率、性能或外部组件尺寸。同步输出可用于控制次级侧同步整流，以提高效率。用户可编程保护功能包括输入电压（欠压锁定和过压锁定）和开关电流（过流限制）监测。软启动功能有助于保护变压器免受磁通饱和影响。

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1+
￥96.44
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￥91.94
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￥84.14
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￥71.9262 ￥77.34

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型号：LTC1479IG#PBF 编号：C675684

封装：SSOP-36

品牌：ADI(亚德诺)

是单电池和双电池笔记本电脑及其他便携式设备电源管理解决方案的核心。它将来自两个电池组和一个直流电源的电力引导至主系统开关稳压器的输入。它与相关的电源管理产品协同工作，从电池和直流电源开始，到计算机复杂负载的输入结束。系统提供的电源管理微处理器对其进行监控和主动控制。使用低损耗N沟道MOSFET开关来引导来自三个主要电源的电力。自适应限流方案通过在过渡期间控制MOSFET开关的栅极来降低电容器和电池的浪涌电流。可直接连接到电池充电电路。

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单价：
￥129.13 / 个

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型号：TLE824533SAAUMA1 编号：C1882558

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥153.82
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￥147.07
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型号：P14C1S 编号：C2880326

封装：SOT-23-6L

品牌：Prisemi(芯导)

P14C1S是一款过压保护（OVP）负载开关，其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V。当任何输入电压超过该阈值时，该器件将关断内部MOSFET，断开输入（IN）与输出（OUT）的连接，以保护负载。

10+
￥0.309
100+
￥0.2409
300+
￥0.2068

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型号：RY2121 编号：C2887853

封装：SOT-23-5

品牌：RYCHiP(蕊源)

RY2121电源分配开关具备内部限流功能，可防止因负载故障导致主机设备损坏。RY2121采用可编程限流技术，开发出超低导通电阻开关，能在过流和短路情况下保护电源。它集成了过温保护功能，并能在关断期间对输出电容进行放电

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10+
￥0.3269
100+
￥0.2597
300+
￥0.2261

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型号：LPW5208B5F 编号：C517265

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5208 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。其内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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1+
￥0.7512
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￥0.5928
30+
￥0.5136
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￥0.4542

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型号：FP6861C-I2AS5CTR 编号：C42411204

封装：SOT-23-5

品牌：FITIPOWER(天钰)

工作电压：2.7V to5.5V；

5+
￥0.9863
50+
￥0.7797
150+
￥0.6911
500+
￥0.5806

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型号：FP6861J-1S6 编号：C42411201

封装：SOT-23-6

品牌：FITIPOWER(天钰)

工作电压：2.7V to 6V；输出电流：0.17A~3.76A；

5+
￥1.0104
50+
￥0.7987
150+
￥0.708
500+
￥0.5948

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型号：AP2161SG-13 编号：C500803

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

AP2161和AP2171是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能。漏极开路标志输出端具备7ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部元件。所有器件提供SO - 8、MSOP - 8EP、SOT25和U - DFN2018 - 6封装形式。

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5+
￥1.02254 ￥1.189
50+
￥0.884032 ￥1.1632
150+
￥0.75636 ￥1.146
500+
￥0.745074 ￥1.1289

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型号：AP2151DSG-13 编号：C2150333

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP2141D和AP2151D是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具备两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥1.053444 ￥1.2541
50+
￥0.907906 ￥1.2269
150+
￥0.773632 ￥1.2088
500+
￥0.762048 ￥1.1907

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型号：AP2181DMPG-13 编号：C2149813

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2181D和AP2191D是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥1.06974 ￥1.2735
50+
￥0.923372 ￥1.2478
150+
￥0.787648 ￥1.2307
500+
￥0.776704 ￥1.2136

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型号：AP2191MPG-13 编号：C2149935

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2181和AP2191是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入具有两种极性可选。

5+
￥1.089
50+
￥1.0654
150+
￥1.0497
500+
￥1.034

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型号：AP2401MP-13 编号：C507876

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2401和AP2411是单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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5+
￥1.1053
50+
￥0.9599
150+
￥0.8976
500+
￥0.8198

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型号：TMI6241 编号：C2985068

封装：SOT-23-5

品牌：TMI(拓尔微)

TMI6241是一款具有低导通电阻的单通道线路电源开关。输入电压范围为2.7V至6V，最大输入电压应力为20V。

1+
￥1.1519
10+
￥0.91
30+
￥0.8063
100+
￥0.6769
500+
￥0.6193
1000+
￥0.5848

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型号：BD2242G-GTR 编号：C559606

封装：SSOP-6-1.6mm

品牌：ROHM(罗姆)

BD2222G、BD2242G和BD2243G是低导通电阻N沟道MOSFET高端功率开关，针对通用串行总线（USB）应用进行了优化。这些器件具备过流检测、热关断、欠压锁定和软启动功能。此外，电流限制阈值范围可从0开始调节

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5+
￥1.1886
50+
￥0.9425
150+
￥0.837
500+
￥0.7054

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型号：RS2587BXC6 编号：C42459546

封装：SC-70-6

品牌：RUNIC(润石)

RS2587器件是一款小型单通道负载开关，具备可控压摆率。该器件包含一个N沟道MOSFET，可在1.6V至4.2V的输入电压范围内工作，且能支持最大1.5A的连续电流。开关导通状态由一个数字输入控制，该数字输入能够直接与低压控制信号接口

5+
￥1.2769
50+
￥0.9997
150+
￥0.8809

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型号：AP2151AMP-13 编号：C2150405

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2151A 是一款集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）及其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合 USB 2.0 标准，具备高电平有效使能输入。它们提供电流和热限制、短路保护，以及受控上升时间和欠压锁定功能

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1+
￥1.3104 ￥1.56
10+
￥1.1322 ￥1.53
30+
￥0.9664 ￥1.51
100+
￥0.9472 ￥1.48

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型号：AP22916CCA4-7 编号：C3246319

封装：X1-WLB0808-4

品牌：DIODES(美台)

AP22916是一款小型、低泄漏的单P沟道功率MOSFET，专为低功耗和负载开关应用而设计。这款功率MOSFET在5V电压下的典型导通电阻RDS(ON)为60mΩ，可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。多种电压对应不同的时间选项，以支持各种系统负载条件

5+
￥1.3674
50+
￥1.0852
150+
￥0.9642
500+
￥0.8133

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型号：AP2191AW-7 编号：C5290221

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

AP2181A和AP2191A是为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用优化的集成高端功率开关。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入具有两种极性可选。

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5+
￥1.4303
50+
￥1.1503
150+
￥1.0304
500+
￥0.8807

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型号：RS2588DYF5 编号：C42459547

封装：SOT-23-5

品牌：RUNIC(润石)

RS2588 是一款集成式功率开关，导通电阻为 70mΩ/54mΩ（典型值，RS2588A/B/C 为 70mΩ，RS2588D 为 54mΩ），适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。RS2588 内置限流功能，并具备热关断功能，可保护器件和负载免受过流损坏。如果管芯温度超过 150°C，热关断功能会关闭输出 MOSFET 并置位标志引脚输出，直至管芯温度降至 130°C

5+
￥1.47
50+
￥1.1424
150+
￥1.002

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型号：AP22652FDZ-7 编号：C2158036

封装：WDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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