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首页 > 热门关键词 > 威世功率开关芯片
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AP2280压摆率控制型负载开关是一款单P沟道MOSFET功率开关,专为高端负载切换或配电应用而设计。该MOSFET在5V电压下的典型导通电阻RDS(ON)为80mΩ,可在低正向压降的情况下提高负载电流处理能力。该器件的导通压摆率由内部控制,以降低导通浪涌电流
数据手册
  • 5+

    ¥1.185
  • 50+

    ¥1.166
  • 150+

    ¥1.1533
  • 500+

    ¥1.1407
  • 有货
  • SY6287C是一款超低导通电阻(RDS(ON))的电源分配开关,具备限流功能,可保护电源免受过流和短路情况的影响。它集成了过温保护和反向阻断功能。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3203
    • 50+

      ¥1.0294
    • 150+

      ¥0.9047
    • 500+

      ¥0.7491
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      ¥0.6799
    • 6000+

      ¥0.6383
  • 有货
  • DIODES AP22811是一款单通道限流集成高端功率开关,针对通用串行总线(USB)和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准,使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间,可提高整个系统的稳健性,并集成了输出放电功能,以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3565
    • 50+

      ¥1.0769
    • 150+

      ¥0.9571
    • 500+

      ¥0.8075
  • 有货
  • AP2501和AP2511是单通道限流集成高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准,使能输入有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间,可提高整个系统的稳健性,并且集成了输出放电功能,以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
    数据手册
    • 5+

      ¥1.364488 ¥2.0066
    • 50+

      ¥0.923708 ¥1.5926
    • 150+

      ¥0.679248 ¥1.4151
    • 500+

      ¥0.573024 ¥1.1938
    • 2500+

      ¥0.525696 ¥1.0952
    • 5000+

      ¥0.497328 ¥1.0361
  • 有货
  • USB限流保护内阻32毫欧
    数据手册
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      ¥1.5006
    • 50+

      ¥1.173
    • 150+

      ¥1.0326
    • 500+

      ¥0.8574
    • 3000+

      ¥0.7794
    • 6000+

      ¥0.7326
  • 有货
  • 反激拓扑副边同步整流功率开关,支持 High Side 和 Low Side 配置,支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。内置 VDD 高压供电模块,无需 VDD 辅助绕组供电。精准的 SR MOSFET 关断控制。< 300μA 超低静态电流。内置 40V 功率 MOSFET。内部集成保护:VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 电压钳位 (>5mA 钳位电流)。封装类型 SOP-8。用于替代反激变换器中副边肖特基二极管,内置超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升系统效率。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5153
    • 50+

      ¥1.2069
    • 150+

      ¥1.0747
    • 500+

      ¥0.9097
  • 有货
  • RS2599 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线(USB)应用的集成电源开关。RS2599 是一款经济高效、低电压的单 P 沟道 MOSFET 负载开关,其导通电阻 RDS(ON) 为 50mΩ,且无寄生体二极管,可在开关断电时消除开关两端的任何反向电流。当输出电压高于输入电压时,内部输出反向电压保护器会关闭电源开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5271
    • 50+

      ¥1.1743
    • 150+

      ¥1.0231
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      ¥0.8345
    • 2500+

      ¥0.7505
    • 5000+

      ¥0.7
  • 有货
  • DIODES AP2182A和DIODES AP2192A是双通道、限流、集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准,使能输入有两种极性可选。这些器件具有快速短路响应时间,可提高整个系统的稳健性,并集成了输出放电功能,以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
    数据手册
    • 1+

      ¥1.5416 ¥3.28
    • 10+

      ¥0.9916 ¥2.68
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      ¥0.6534 ¥2.42
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      ¥0.567 ¥2.1
    • 500+

      ¥0.5292 ¥1.96
    • 1000+

      ¥0.5076 ¥1.88
  • 有货
  • 反激拓扑副边同步整流功率开关,支持 High Side 和 Low Side 配置,支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。内置 VDD 高压供电模块,无需 VDD 辅助绕组供电。精准的 SR MOSFET 关断控制。< 300μA 超低静态电流。内置 40V 功率 MOSFET。内部集成保护:VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 电压钳位 (>5mA 钳位电流)。封装类型 SOP-8。用于替代反激变换器中副边肖特基二极管,内置超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升系统效率。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5499
    • 50+

      ¥1.3704
    • 150+

      ¥1.2934
    • 500+

      ¥1.1974
    • 2500+

      ¥1.0218
  • 有货
  • DIO7330B是一款低导通电阻N沟道MOSFET,适用于移动应用,采用3ms软启动时序进行控制。低导通电阻R(on)使系统能够提供高达2.4A直流电流,或为电池充电。当电源连接到V(IN)引脚(高电平有效)时,该器件自动启用;若无电源输入(内部下拉),则保持关断状态
    • 5+

      ¥1.6426
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      ¥1.2898
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      ¥1.1386
    • 500+

      ¥0.95
  • 有货
  • TPS2553-1 高电平有效且具有闭锁和反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6578
    • 50+

      ¥1.3161
    • 250+

      ¥1.1696
  • 有货
  • AP22850是一款集成式P沟道负载开关,其特点是具有可调节的上电斜率和放电速率,分别可通过外部电容和电阻进行设置。此外,它还集成了一个“电源正常”输出,用于在开关完全导通时发出信号。该P沟道开关的典型导通电阻RDS(ON)为21 mΩ,可处理高达8A的电流
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6628
    • 50+

      ¥1.4769
    • 150+

      ¥1.3972
    • 500+

      ¥1.2979
  • 有货
  • NCP380是一款高端功率分配开关,专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ(DFN封装)的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时,该器件会切换到恒流调节模式,将输出电流限制在所需水平
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6965 ¥2.61
    • 10+

      ¥1.2815 ¥2.33
    • 30+

      ¥0.9855 ¥2.19
    • 100+

      ¥0.9225 ¥2.05
    • 500+

      ¥0.8865 ¥1.97
    • 1000+

      ¥0.8685 ¥1.93
  • 有货
  • AP2161D和AP2171D是集成式高端功率开关,针对通用串行总线(USB)和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准,使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能,以及可控的上升时间和欠压锁定功能
    • 5+

      ¥1.741
    • 50+

      ¥1.4182
    • 150+

      ¥1.2798
    • 500+

      ¥1.1072
  • 有货
  • TPS22929D 具有输出放电功能的 5.5V、1.8A、115mΩ 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥1.96
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.89
    • 100+

      ¥1.86
  • 有货
  • AP2146和AP2156是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具备两种极性可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2396
    • 50+

      ¥1.7597
    • 150+

      ¥1.554
    • 500+

      ¥1.2973
  • 有货
  • TPS22914/15 是一款小型、低 RON、具有受控压摆率的单通道负载开关。此器件包括一个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内运行并可支持 2A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制,能够直接连接低电压控制信号。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.373 ¥5.65
    • 10+

      ¥1.4688 ¥4.59
    • 30+

      ¥0.8932 ¥4.06
    • 250+

      ¥0.7788 ¥3.54
    • 500+

      ¥0.7084 ¥3.22
    • 1000+

      ¥0.6732 ¥3.06
  • 有货
  • TPS2062C 低电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的双通道、1A 负载、4.5-5.5V、70mΩ USB 电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.4528 ¥4.38
    • 10+

      ¥1.702 ¥3.7
    • 30+

      ¥1.1628 ¥3.23
    • 100+

      ¥1.0188 ¥2.83
    • 500+

      ¥0.9756 ¥2.71
    • 1000+

      ¥0.9504 ¥2.64
  • 有货
  • AP2142和AP2152是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具有两种极性可选。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.46
    • 10+

      ¥1.92
    • 30+

      ¥1.68
    • 100+

      ¥1.39
    • 500+

      ¥1.27
  • 有货
  • BD2246G和BD2247G是用于通用串行总线(USB)应用的低导通电阻高端功率开关N沟道MOSFET。这些集成电路内置过流保护、热关断、欠压锁定和软启动功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.47
    • 10+

      ¥2.17
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.88
    • 500+

      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.74
  • 有货
  • ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成,这些达林顿对具有高压输出,带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。 单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.49
    • 10+

      ¥1.98
    • 30+

      ¥1.76
  • 有货
  • TPS22934 具有输出放电功能的 3.6V、1A、63mΩ 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.59
    • 10+

      ¥2.28
    • 30+

      ¥2.15
    • 100+

      ¥1.98
    • 500+

      ¥1.91
  • 有货
  • TPS22925 具有输出放电功能的 3.6V、3A、9.2mΩ 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.02
    • 30+

      ¥1.77
  • 有货
  • AP2162和AP2172是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具有两种极性可选。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.75
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.98
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.49
  • 有货
  • AP2146和AP2156是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具备两种极性可选。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.32
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.19
  • 有货
  • NCP334 和 NCP335 为极低导通电阻 MOSFET,通过外部逻辑引脚控制,可优化电池寿命和便携式设备自治。由于使用 PMOS 结构实现的电流耗量优化,不使用时绝缘了电池上联接的集成电路,消除了漏电流。NCP335 版本中提供了输出放电路径。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.1624 ¥5.36
    • 10+

      ¥2.1315 ¥4.35
    • 30+

      ¥1.5015 ¥3.85
    • 100+

      ¥1.3104 ¥3.36
    • 500+

      ¥1.1934 ¥3.06
    • 1000+

      ¥1.1349 ¥2.91
  • 有货
  • BD82006FVJ - M和BD82007FVJ - M是低导通电阻N沟道MOSFET高端功率开关,专为通用串行总线(USB)应用而优化。BD82006FVJ - M和BD82007FVJ - M具备过流保护、热关断、欠压锁定和软启动功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.64
    • 30+

      ¥2.37
  • 有货
  • NCP380是一款高端功率分配开关,专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ(DFN封装)的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时,该器件会切换到恒流调节模式,将输出电流限制在所需水平
    数据手册
    • 1+

      ¥3.3
    • 10+

      ¥2.63
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥1.98
  • 有货
  • 是一款过压保护设备,具有低 35mΩ(典型值)导通电阻的内部 FET 和 PTVS 二极管。PTVS 还可保护设备免受高达 100V 的浪涌影响。当输入电压超过过压阈值时,内部 FET 会关闭,以防止受保护的下游组件损坏。内部过压保护 (OVP) 阈值预设为典型值 6.8V。采用小型 WL-CSP-12B (BSC) 封装,适用于小 PCB 面积应用。
    • 1+

      ¥3.43
    • 10+

      ¥2.7
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥1.99
    • 500+

      ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.71
  • 有货
  • SP2525A 器件是一款集成式高端功率开关,非常适合自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用。这些高端开关为 MOSFET,其 RDS(ON) 为 70mΩ,可满足最大传输线长度下的 USB 电压降要求。多功能漏极开路故障标志输出可指示过流限制、热关断或欠压锁定
    数据手册
    • 1+

      ¥3.73
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥3.05
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.69
    • 1000+

      ¥2.62
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