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首页 > 热门关键词 > 台湾宏康电池保护芯片
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专为1/32扫以下扫描屏设计的内建SPWM恒流LED驱动器
型号：MBI5253GP-A 编号：C2687353
封装：SSOP-24-150mil
品牌：MBI(台湾聚积)
专为LED全彩显示屏应用设计的驱动芯片，使用者可使用14/13位的脉波宽度调变功能来达成灰阶控制。内建16位位移缓存器可以将串行的输入资料转换成每个输出通道的灰阶像数。16个恒流输出通道所输出的电流值不受输出端负载电压影响，提供一致并且恒定的输出电流。
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    HSX530G 8.000MHZ 20PF ±50PPM
    型号：X5H008000IK1H-H 编号：C254395
    封装：SMD5032-2P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    耐压:400V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
    型号：SFA806G C0G 编号：C483975
    封装：TO-220AC-2
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:400V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
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    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
    型号：SFA808G C0G 编号：C483976
    封装：ITO-220AC
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
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    耐压:800V 电流:4A
    型号：GBU406 C2G 编号：C478623
    封装：GBU
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:800V 电流:4A
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    耐压:600V 电流:5A 反向恢复时间：20ns
    型号：UGS5J MNG 编号：C485505
    封装：TO-263AB
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:600V 电流:5A 反向恢复时间：20ns
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    电压:100V 电流:10A
    型号：TST20U100C C0G 编号：C410828
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:100V 电流:10A
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    耐压:300V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
    型号：SFAF805G C0G 编号：C483977
    封装：ITO-220AC
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:300V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
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    型号：MBRS15100CT-Y 编号：C483920
    封装：D2PAK
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:100V 电流:15A
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    停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:3A
    型号：TSM60NB1R4CH C5G 编号：C557550
    封装：TO-251(IPAK)
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:3A
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    耐压:50V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
    型号：SFAS801G MNG 编号：C485053
    封装：D2PAK
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:50V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
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    HSX531S 25.000MHZ 20PF 30PPM
    型号：X1H025000FK1H 编号：C254361
    封装：SMD5032-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    耐压:300V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
    型号：SFAS805GHMNG 编号：C485062
    封装：D2PAK
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:300V 电流:8A 反向恢复时间：35ns
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    电压:150V 电流:20A
    型号：MBRS20H150CT RNG 编号：C483921
    封装：D2PAK
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    电压:150V 电流:20A
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    耐压:400V 电流:20A 反向恢复时间：35ns
    型号：SF2006PT C0G 编号：C483972
    封装：TO-3PN
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    耐压:400V 电流:20A 反向恢复时间：35ns
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    27MHz 1.71V
    型号：SSW027000FECHC-T 编号：C253912
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    N沟道,电流:16A,耐压:60V
    型号：TQM050NB06CR RLG 编号：C3278486
    封装：PDFNU-8(5x6)
    品牌：Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
    特性：AEC-Q101认证。 100%进行UIS和Rg测试。 175℃工作结温。 可焊侧翼封装。 符合RoHS标准。 根据IEC 61249-2-21标准无卤。应用：12V汽车系统。 电磁阀和电机控制

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    26MHz ±10ppm 9pF
    型号：X3S026000B91H-NZ 编号：C133481
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    HSX211S 24MHZ 10PF ±30PPM
    型号：X2C024000FA1H-X 编号：C254312
    封装：SMD2016-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    3.3uH ±20% 9.5A
    型号：BCIHP0730SC-3R3M 编号：C2921181
    封装：SMD,7.1x6.6mm
    品牌：BC(台湾诚阳)
    特性：符合 RoHs。最低直流电阻(DCR)。频率范围高达 3.0 MHz。可处理高瞬态电流尖峰而不饱和。由于采用复合结构,超低嗡嗡声噪声。设计紧凑。应用：笔记本电脑 CPU 的 DC/DC 转换器。电池供电设备
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    HSX321S 40.000MHZ 15PF 10PPM
    型号：X3S040000BF1H-Z 编号：C133482
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    HSX321S 32.000MHZ 16pF ±10PPM
    型号：X3S032000BG1H-Z 编号：C254275
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    24.000MHZ 16PF 10PPM
    型号：X3S024000BG1HA-Z 编号：C254388
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    HSX211S 24.000MHZ 10PF ±10PPM
    型号：X2C024000BA1H 编号：C254251
    封装：SMD2016-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    HSX321S 12.000MHZ 20PF ±20PPM
    型号：X3S012000DK1HA-X 编号：C254320
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    19.2MHz ±10ppm 7pF
    型号：X2R019200BZ1H-CHZ 编号：C133483
    封装：SMD2520-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    HSX321S 28.63636MHZ 20pF 20PPM
    型号：X3S02863ADK1HA-X 编号：C136080
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    特性：主流微型贴片式，具有成熟的行业生产历史，目前应用广泛。 高精度、高可靠性，具有出色的耐热性。 是射频应用、模块设备和其他消费类移动产品的常用解决方案
    数据手册

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    27.000MHZ 20PF 20PPM
    型号：X3S027000DK1H-V 编号：C254374
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    数据手册

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    12.000MHZ 12PF 30PPM
    型号：X5H012000FC1H-X 编号：C254396
    封装：SMD5032-2P
    品牌：HELE(台湾加高)
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    25.000MHZ 12PF 20PPM
    型号：X3S025000DC1H-U 编号：C254348
    封装：SMD3225-4P
    品牌：HELE(台湾加高)
    特性：频率:25.000000MHz。频率公差:在25°C±3°C时为±20ppm。等效电阻:最大60欧姆/串联。储存温度范围:-40°C至+85°C。工作温度范围:-20°C至+70°C。温度漂移:在-20°C至+70°C时为±20ppm。负载电容(CL):12.0pF。驱动电平:10μW(最大100μW)。并联电容:最大2.0pF。绝缘电阻:在直流100V时大于500M欧姆。振荡模式:基频。冲击:从120cm高度在混凝土地板上掉落3次,频率变化小于±5ppm,电阻变化小于±15%或最大2欧姆。老化:小于+3ppm/年。湿度敏感度等级:1级
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